Calleja Pardo, Enrique enrique.calleja@upm.es
Actividades
- Artículos 276
- Libros 0
- Capítulos de libro 2
- Congresos 172
- Documentos de trabajo 0
- Informes técnicos 0
- Proyectos de investigación 19
- Tesis dirigidas 14
- Patentes o licencias de software 0
pn Junction applications and transport properties in polysilicon rods
- Criado A
- Calleja E
- Martinez J
- Piqueras J
- Muñoz E
Solid-State Electronics (p. 693-700) - 1/1/1979
10.1016/0038-1101(79)90077-7 Ver en origen
- ISSN 00381101
Yellow luminescence in Mg-doped GaN
- Sanchez, FJ
- Calle, F
- Basak, D
- Tijero, JMG
- SanchezGarcia, MA
- Monroy, E
- Calleja, E
- Munoz, E
- Beaumont, B
- Gibart, P
- Serano, JJ
- Blanco, JM
M R S Internet Journal Of Nitride Semiconductor Research: (Materials Research Society) (p. U10-U16) - 1/1/1997
10.1557/s109257830000154x Ver en origen
- ISSN 10925783
- iMarina
- iMarina
Yellow luminescence and related deep states in undoped GaN
- Calleja, E
- Sanchez, FJ
- Basak, D
- SanchezGarcia, MA
- Munoz, E
- Izpura, I
- Calle, F
- Tijero, JMG
- SanchezRojas, JL
- Beaumont, B
- Lorenzini, P
- Gibart, P
Physical Review b (p. 4689-4694) - 1/1/1997
10.1103/physrevb.55.4689 Ver en origen
- ISSN 01631829
- iMarina
- iMarina
Yellow band and deep levels in undoped MOVPE GaN.
- Sanchez, FJ
- Basak, D
- SanchezGarcia, MA
- Calleja, E
- Munoz, E
- Izpura, I
- Calle, F
- Tijero, JMG
- Beaumont, B
- Lorenzini, P
- Gibart, P
- Cheng, TS
- Foxon, CT
- Orton, JW
M R S Internet Journal Of Nitride Semiconductor Research: (Materials Research Society) (p. U53-U58) - 1/1/1996
10.1557/s1092578300001794 Ver en origen
- ISSN 10925783
- iMarina
- iMarina
XPS study of Au/GaN and Pt/GaN contacts
- Sporken R
- Silien C
- Malengreau F
- Grigorov K
- Caudano R
- Sánchez F
- Calleja E
- Muñoz E
- Beaumont B
- Gibart P
M R S Internet Journal Of Nitride Semiconductor Research: (Materials Research Society) - 1/1/1997
10.1557/s1092578300001496 Ver en origen
- ISSN 10925783
Wurtzite GaN nanocolumns grown on Si(001) by molecular beam epitaxy
- Lazic, Snezana
- Calleja Pardo, Jose Manuel
- Cerutti, L
- Ristic, J
- Fernandez-Garrido, S
- Calleja, E
- Trampert, A
- Ploog, K H
- Calleja, J M
Applied Physics Letters - 21/5/2006
10.1063/1.2204836 Ver en origen
- ISSN 00036951
Wet etching of GaN grown by molecular beam epitaxy on Si(111)
- Palacios, T.
- Calle, F.
- Varela, M.
- Ballesteros, C.
- Monroy, E.
- Naranjo, F.B.
- Sánchez-García, M.A.
- Calleja, E.
- Muñoz, E.
Semiconductor Science And Technology (p. 996-1000) - 1/10/2000
Editor: IOP
10.1088/0268-1242/15/10/312 Ver en origen
- ISSN 13616641
- ISSN/ISBN 0268-1242
Voltage-tunable two-colour quantum well infrared detector with Al-graded triangular confinement barriers
- Guzmán, A
- Sánchez-Rojas, JL
- Tijero, JMG
- Hernando, J
- Calleja, E
- Muñoz, E
- Vergara, G
- Almazán, R
- Sánchez, FJ
- Verdú, M
- Montojo, MT
Semiconductor Science And Technology (p. 285-288) - 1/1/2001
10.1088/0268-1242/16/5/301 Ver en origen
- ISSN 13616641
Violet GaN based light emitting diodes fabricated by metal organics vapour phase epitaxy
Materials Science And Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials (p. 296-301) - 18/12/1997
10.1016/s0921-5107(97)00193-1 Ver en origen
- ISSN 09215107
Unvealing GaN Polytypism in Distributed GaN/InAlN Bragg Reflectors Through HRTEM Image Simulation
- Lopez-Conesa, Lluis
- Antonio Perez-Omil, Jose
- Gacevic, Zarko
- Calleja, Enrique
- Estrade, Sonia
- Peiro, Francesca;
Physica Status Solidi A-Applications And Materials Science - 10/10/2018
10.1002/pssa.201800218 Ver en origen
- ISSN 00318965
Este/a investigador/a no tiene libros.
TEM study of (Ga, AI)N nanocolumns and embedded GaN nanodiscs
- Trampert A
- Ristic J
- Jahn U
- Calleja E
- Ploog K
Microscopy Of Semiconducting Materials 2003 (p. 167-170) - 1/1/2018
Ga(in)N nanowires grown by molecular beam epitaxy: From quantum light emitters to nanotransistors
- Gačević Ž
- Calleja E
Novel Compound Semiconductor Nanowires: Materials, Devices, And Applications (p. 319-364) - 1/1/2017
U. Jahn, E. Calleja, J. Ristic, A. Trampert, C. Rivera "Spatially resolved luminescence spectroscopy of single GaN/(Al,Ga)N quantum disks" 7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS) Las Vegas (Nevada, USA) 16 al 21 de septiembre d
- U. Jahn
- J. Ristic
- A. Trampert
- Calleja Pardo, Enrique
16/9/2007
- iMarina
Transmission Electron Microscopy and Electron Energy Loss Spectroscopy investigations of InAlN/GaN Bragg reflectors grown by plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy
- S. Estrada
- S Fernández-Garrido
- F. Peiró
- D. Hosseini
- Gacevic, Zarko
- Calleja Pardo, Enrique
Transmission Electron Microscopy And Electron Energy Loss Spectroscopy Investigations Of Inaln/Gan Bragg Reflectors Grown By Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy (p. 0-0) - 9/2/2011
- iMarina
Tomography of multilayered materials for optoelectronic applications
- S. Estradé
- S. Bals
- S. Fernández-Garrido
- Ll. Yedra
- JM Rebled
- H. Heidari
- F. Peiró
- B. Goris
- Gacevic, Zarko
- Calleja Pardo, Enrique
Tomography Of Multilayered Materials For Optoelectronic Applications (p. 0-0) - 28/11/2011
- iMarina
Time-resolved piezoelectric nonlinearities and exciton dynamics in strained [111] p-i-n multiple quantum well structures
- Harken D
- Huang X
- McCallum D
- Smirl A
- Sanchez-Rojas J
- Sacedon A
- Munoz E
- Calleja E
(p. 364-365) - 1/12/1994
- iMarina
Time-resolved photoluminescence of GaN nanocolumns grown by molecular beam epitaxy on Si Int. Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2008) Montreux (Suiza), 2008
- P. Lefebvre
- P. CORFDIR
- J. Ristic
- J-D GANIERE
- E. CALLEJA
- B. DEVEAUD-PLEDRAN
- Calleja Pardo, Enrique
Time-Resolved Photoluminescence Of Gan Nanocolumns Grown By Molecular Beam Epitaxy On Si (p. 0-0) - 6/10/2008
- iMarina
The influence of the Ga content on the N incorporation in InAsN and GaInNAs Quantum Dots 7th International Workshop on Epitaxial Semiconductors on Patterned Substrates and Novel Index Surfaces (ESPS-NIS), Les Arcenaulx, Marseille (Francia), 2008
- M. Hopkinson
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- HIERRO CANO, ADRIAN
- Calleja Pardo, Enrique
The Influence Of The Ga Content On The N Incorporation In Inasn And Gainnas Quantum Dots 7th International Workshop On Epitaxial (p. 0-0) - 13/10/2008
- iMarina
TEM study of spontaneous formation of InGaN nanowall network directly on Si for PV
- R. García
- JM Manuel
- JJ Jimenez
- FM Morales
- SOTO RODRIGUEZ, PAUL
- Notzel, Richard
- Calleja Pardo, Enrique
Proceedings (p. 0-3) - 8/9/2013
- iMarina
TEM study of (Ga,Al)N nanocolumns and embedded GaN nanodiscs
- Trampert A
- Ristic J
- Jahn U
- Calleja E
- Ploog K
Design And Nature (p. 167-170) - 17/11/2004
- ISSN 14780585
- iMarina
Surface-related optical properties of GaN and InGaN nanocolumns
- S Fernández-Garrido
- P. LEFEBVRE
- J. Grandal
- J. Ristic
- et al
- Sanchez Garcia, Miguel Angel
- Calleja Pardo, Enrique
Proceedings (p. 0-0) - 8/5/2012
- iMarina
Substrate nanopatterning by e-beam lithography to growth ordered arrays of III-nitride nanodetectors, white light emitters, and solar cells, Marie Curie Researchers Symposium
- Sanchez Garcia, Miguel Angel
- Martínez Rodrigo, Javier
- Calleja Pardo, Enrique
Proceedings (p. 0-0) - 25/9/2011
- iMarina
Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.
Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.
Towards p-type conductivity in In0.5Ga0.5N nanocolumns on a Si (100) substrate with GaN buffer layers
- Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
- XIE, MENGYAO (Becario/a)
- Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
Ejecución: 15-06-2015 - 14-06-2017
Tipo: Internacional
Importe financiado: 170121,60 Euros.
- iMarina
Substrate nanopatterning by e-beam lithography to growth ordered arrays of III-Nitride nanodetectors: application to IR detectors, emitters, and new Solar Cells
- Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
- Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
Ejecución: 01-01-2011 - 31-12-2012
Tipo: Internacional
Importe financiado: 153917,00 Euros.
- iMarina
Smart nanostructured semiconductors for energy saving light solutions
- FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Participante)
- Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
- GRANDAL QUINTANA, JAVIER (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
- HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
- PRIETO MARTIN, JOSE LUIS (Participante)
- PADILLA GONZALEZ, ISIDORO (Participante)
- Gacevic, Zarko (Participante)
- Martínez Rodrigo, Javier (Participante)
- Notzel, Richard (Participante)
- Calle Gómez, Fernando (Participante)
Ejecución: 01-09-2009 - 31-08-2012
Tipo: Internacional
Importe financiado: 800650,00 Euros.
- iMarina
Nanohilos basados en GaN para sistemas de información cuántica y circuitos digitales
- FERNANDO SAAVEDRA, AMALIA LUISA (Participante)
- HERRANZ FEITO, MIGUEL (Investigador/a)
- Sanchez Garcia, Miguel Angel (Investigador principal (IP))
- FOTEINOPOULOU, AIKATERINI (Participante)
- Gacevic, Zarko (Participante)
- Calleja Pardo, Enrique (Participante)
- KARAGIANNIS, NIKOLAOS (Participante)
- LASO CARBAJO, MANUEL (Participante)
Ejecución: 01-01-2019 - 31-07-2022
Tipo: Nacional
Importe financiado: 193963,00 Euros.
- iMarina
Nanoestructuras de semiconductores como componentes par ala información cuántica
- Enrique Calleja Pardo (Investigador principal (IP))
- MONTES BAJO, MIGUEL (Investigador/a)
Ejecución: 01-01-2006 - 01-01-2009
- iMarina
Nanoestructura de Semiconductores como Componentes para La Información Cuántica
- FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Participante)
- GRACIA VERANO, VICTOR (Investigador principal (IP))
- CERUTTI CERUTTI, LAURENT (Investigador principal (IP))
- RISTIC RISTIC, JELENA (Investigador principal (IP))
- SANZ MONASTERIO, MIKEL (Investigador principal (IP))
- HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
- MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-12-2005 - 01-01-2010
Tipo: Regional
- iMarina
Materiales y dispositivos optoelectrónicos basados en nitruros del grupo- III
- Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
Ejecución: 19-12-2019 - 31-12-2021
- iMarina
Instalación/Actuación: Central de Tecnología del ISOM
- Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
Ejecución: 13-11-2008 - 15-10-2009
Tipo: Nacional
- iMarina
InDaN and AIGaN semi-polar and non-polar pseudo-substrates made by Molecular Beam Epitaxy by ordered coalescence of nanocrystals
- Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-01-2018 - 15-09-2022
- iMarina
High quality and intrinsic Properties of InN and indium rich Nitride Alloys
- Sanchez Garcia, Miguel Angel (Investigador principal (IP))
- Calle Gómez, Fernando (Participante)
- Calleja Pardo, Enrique (Participante)
Ejecución: 01-10-2008 - 30-09-2012
Tipo: Internacional
Importe financiado: 388526,00 Euros.
- iMarina
nxGa1-xN layers, nanowires, and nanodots on Silicon for clean energy applications
- Calleja Pardo, Enrique (Director)
- Gacevic, Zarko (Director) Doctorando: Aseev, Pavel
1/1/2017
- iMarina
Investigations on III-nitrides nanostructures: application to renewable energies and bio-sensing
- Calleja Pardo, Enrique (Director)
- Gacevic, Zarko (Director) Doctorando: Soto Rodriguez, Paul Eduardo David
1/1/2016
- iMarina
Growth and characterization of group-iii nitride nanocolumnar structures - crecimiento y caracterización de estructuras nanocolumnares de nitruros dle grupo iii
- Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Jelena Ristic
1/1/2006
- iMarina
Growth and characterization of gan/aln non-polar pseudo-substrates
- Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: Fernando Saavedra, Amalia Luisa
1/1/2021
- iMarina
Fabricación, caracterización y aplicaciones de detectores de UV basados en AlGaN.
- Muñoz Merino, Elías (Director)
- Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: PAU VIZCAINO, José Luis
1/1/2003
- iMarina
Espejos de Braga de AlGaN/GaN crecidos por Epitaxia de Haces Moleculares para Dispositivos Optoelectrónicos de Cavidad Resonante
- Enrique Calleja Pardo (Director)
- Fernando Calle Gómez (Director) Doctorando: Fernández Ruano, Susana María
1/1/2004
- iMarina
Crecimiento, fabricación y caracterización de diodos electroluminiscentes basados en pozos cuánticos de InGaN
- Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Fernando Bernabé Naranjo Vega
1/6/2003
- iMarina
Crecimiento y fabricación de transistores HEMT de AlGaN/GaN por epitaxia de haces moleculares
- Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Ana Jimenez Martín
1/1/2003
- iMarina
Crecimiento y caracterización de nitruros del grupo III sobre Si (111) por epitaxia de haces moleculares.
- Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: SANCHEZ GARCIA, Miguel Angel
1/1/2000
- iMarina
Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.
Perfiles de investigador/a
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