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Perfil en el portal institucional

Calleja Pardo, Enrique enrique.calleja@upm.es

INGENIERÍA ELECTRÓNICA / Universidad Politécnica de Madrid

Actividades

Unravelling the polarity of InN quantum dots using a modified approach of negative-spherical-aberration imaging

  • Rajak P
  • Islam M
  • Jiménez J
  • Mánuel J
  • Aseev P
  • Gačević
  • Calleja E
  • García R
  • Morales F
  • Bhattacharyya S
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Nanoscale (p. 13632-13638) - 28/7/2019

10.1039/c9nr04146j Ver en origen

  • ISSN 20403364

Uniform Low-to-High In Composition InGaN Layers Grown on Si

  • Aseev, Pavel
  • Soto Rodriguez, Paul E. D.
  • Kumar, Praveen
  • Gomez, Victor J.
  • Alvi, Naveed ul Hassan
  • Manuel, Jose M.
  • Morales, Francisco M.
  • Jimenez, Juan J.
  • Garcia, Rafael
  • Calleja, Enrique
  • Noetzel, Richard;
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Applied Physics Express - 1/11/2013

10.7567/apex.6.115503 Ver en origen

  • ISSN 18820778

Understanding the selective area growth of GaN nanocolumns by MBE using Ti nanomasks

  • Bengoechea-Encabo, A
  • Barbagini, F
  • Fernandez-Garrido, S
  • Grandal, J
  • Ristic, J
  • Sanchez-Garcia, MA
  • Calleja, E
  • Jahn, U
  • Luna, E
  • Trampert, A
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Journal Of Crystal Growth (p. 89-92) - 15/6/2011

10.1016/j.jcrysgro.2011.04.035 Ver en origen

  • ISSN 00220248

Ultraviolet electroluminescence in GaN/AlGaN single-heterojunction light-emitting diodes grown on Si(111)

  • Sánchez-García, M.A.
  • Naranjo, F.B.
  • Pau, J.L.
  • Jiménez, A.
  • Calleja, E.
  • Muñoz, E.

Journal Of Applied Physics (p. 1569-1571) - 1/2/2000

Editor: American Institute of Physics Inc.

10.1063/1.372052 Ver en origen

  • ISSN 00218979
  • ISSN/ISBN 0021-8979

Tunneling through indirect-gap semiconductor barriers

  • Mendez E
  • Calleja E
  • Wang W

Physical Review b (p. 6026-6029) - 1/1/1986

10.1103/physrevb.34.6026 Ver en origen

  • ISSN 01631829

Transport properties of 2DEGs in AlGaN/GaN heterostructures: Spin splitting and occupation of higher subbands

  • Link, A.
  • Graf, T.
  • Ambacher, O.
  • Jimenez, A.
  • Calleja, E.
  • Smorchkova, Y.
  • Speck, J.
  • Mishra, U.
  • Stutzmann, M.
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Physica Status Solidi B-Basic Solid State Physics (p. 805-809) - 1/12/2002

10.1002/1521-3951(200212)234:3<805::aid-pssb805>3.0.co;2-g Ver en origen

  • ISSN 15213951
  • ISSN/ISBN 0370-1972

Transient negative photocurrent and out-of-well dipole kinetics in novel piezoelectric InGaAs/GaAs MQW pin diodes

  • Izpura, I
  • Valtuena, JF
  • SanchezRojas, JL
  • Sacedon, A
  • Calleja, E
  • Munoz, E;

Solid-State Electronics (p. 463-467) - 1/1/1996

10.1016/0038-1101(95)00311-8 Ver en origen

  • ISSN 00381101

Titanium induced polarity inversion in ordered (In,Ga)N/GaN nanocolumns

  • Kong, X
  • Li, H
  • Albert, S
  • Bengoechea-Encabo, A
  • Sanchez-Garcia, MA
  • Calleja, E
  • Draxl, C
  • Trampert, A
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Nanotechnology - 13/1/2016

10.1088/0957-4484/27/6/065705 Ver en origen

  • ISSN 09574484

Time-resolved spectroscopy on GaN nanocolumns grown by plasma assisted molecular beam epitaxy on Si substrates

  • Corfdir, P.
  • Lefebvre, P.
  • Ristic, J.
  • Valvin, P.
  • Calleja, E.
  • Trampert, A.
  • Ganiere, J. -D.
  • Deveaud-Pledran, B.;
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Journal Of Applied Physics - 9/7/2009

10.1063/1.3062742 Ver en origen

  • ISSN 00218979

Thermal degeneration of Mo and Pt silicon Schottky diodes

  • Calleja E
  • Garrido J
  • Piqueras J
  • Martinez A

Solid-State Electronics (p. 591-598) - 1/1/1980

10.1016/0038-1101(80)90041-6 Ver en origen

  • ISSN 00381101

Este/a investigador/a no tiene libros.

TEM study of (Ga, AI)N nanocolumns and embedded GaN nanodiscs

  • Trampert A
  • Ristic J
  • Jahn U
  • Calleja E
  • Ploog K

Microscopy Of Semiconducting Materials 2003 (p. 167-170) - 1/1/2018

10.1201/9781351074636 Ver en origen

Ga(in)N nanowires grown by molecular beam epitaxy: From quantum light emitters to nanotransistors

  • Gačević Ž
  • Calleja E

Novel Compound Semiconductor Nanowires: Materials, Devices, And Applications (p. 319-364) - 1/1/2017

10.1201/9781315364407 Ver en origen

Z. Gacevic, S. Fernández-Garrido, E. Calleja, D. Hosseini, S. Estrade and F. Peiró "Structural properties of InAlN single layers nearly latice-matched to GaN grown by plasma assisted molecular beal epitaxy"

  • S. Fernández-Garrido
  • S. Estradé
  • F. Peiró
  • D. Hosseini
  • Gacevic, Zarko
  • Calleja Pardo, Enrique

"Structural Properties Of Inaln Single Layers Nearly Latice-Matched To Gan Grown By Plasma Assisted Molecular Beal Epitaxy" (p. 0-0) - 20/3/2011

  • iMarina

Z. Gacevic, P. Lefebvre, F. Bertram, G. Schmidt, P. Veit, J. Christen, and E. Calleja "Growth and characterization of InGaN/GaN quantum dots for violet/blue applications"

  • P. Lefebvre
  • P. Veit
  • J. Christen
  • G. Schmidt
  • F. Bertram
  • Gacevic, Zarko
  • Calleja Pardo, Enrique
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Growth And Characterization Of Ingan/Gan Quantum Dots For Violet/Blue Applications (p. 0-0) - 10/7/2012

  • iMarina

Z. GACEVIC, S. FERNÁNDEZ-GARRIDO, E. CALLEJA, E.LUNA, A. TRAMPERT "Growth and characterization of lattice-matched InAlN/GaN Bragg reflectors grown by plasma assisted molecular beam epitaxy" 15th European Molecular Beam Epitaxy Workshop Zakopane (Poland

  • Gacevic, Zarko
  • Calleja Pardo, Enrique

"Growth And Characterization Of Lattice-Matched Inaln/Gan Bragg Reflectors Grown By Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy" (p. 0-0) - 8/3/2009

  • iMarina

Z. GACEVIC, S. FERNÁNDEZ-GARRIDO, E. CALLEJA "New approach to grow high reflectivity Al(Ga)N bragg reflectors by plasma-assited molecular beam epitaxy" 8th International Conference on Nitride Semiconductors Jeju (Korea), 2009

  • Gacevic, Zarko
  • Calleja Pardo, Enrique

"New Approach To Grow High Reflectivity Al(Ga)N Bragg Reflectors By Plasma-Assited Molecular Beam Epitaxy" (p. 0-0) - 18/10/2009

  • iMarina

Z. GACEVIC, S. FERNÁNDEZ-GARRIDO, E. CALLEJA "Current status and further challenge in MBE growth of lattice-matched InAlN/GaN Bragg reflectors" 8th International Conference on Nitride Semiconductors Jeju (Korea), 2009

  • Gacevic, Zarko
  • Calleja Pardo, Enrique

"Current Status And Further Challenge In Mbe Growth Of Lattice-Matched Inaln/Gan Bragg Reflectors" (p. 0-0) - 18/5/2009

  • iMarina

XRD analysis of InGaN uniform layers grown on Si (111) without any buffer layers and on Sapphire

  • Aseev, Pavel
  • SOTO RODRIGUEZ, PAUL
  • Notzel, Richard
  • Gacevic, Zarko
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel
  • Calleja Pardo, Enrique

Proceedings (p. 0-3) - 24/8/2014

  • iMarina

Visible and solar-blind AlGaN metal-semiconductor-metal photodetectors grown on Si(111) substrates

  • Pau, JL
  • Muñoz, E
  • Sánchez-García, MA
  • Calleja, E

Physica Status Solidi A-Applications And Materials Science (p. 314-319) - 1/1/2002

10.1002/1521-396x(200208)192:2&lt;314::aid-pssa314&gt;3.0.co;2-y Ver en origen

  • ISSN 00318965

Valence EELS analysis of multiple InGaN-QW structure for electronic properties

  • S. Estradé
  • N. García-Lepetit
  • L. López-Conesa
  • Francesca Peiró
  • C. Magen
  • A. Eljarrat
  • Gacevic, Zarko
  • Calleja Pardo, Enrique
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Proceedings (p. 0-3) - 11/2/2015

  • iMarina

Understanding the selective area nucleation and growth of GaN Nanocolumns by MBE using Ti nanomasks

  • et al
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel
  • Calleja Pardo, Enrique

Proceedings (p. 0-0) - 2/11/2011

  • iMarina

Understanding of the nucleation and growth of ordered GaN nanocolumns by MBE on GaN

  • S. Fernández-Garrido
  • J. Ristic
  • J. Grandal
  • Calleja Pardo, Enrique

Proceedings (p. 0-0) - 4/4/2012

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.

Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.

Towards p-type conductivity in In0.5Ga0.5N nanocolumns on a Si (100) substrate with GaN buffer layers

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • XIE, MENGYAO (Becario/a)
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)

Ejecución: 15-06-2015 - 14-06-2017

Tipo: Internacional

Importe financiado: 170121,60 Euros.

  • iMarina

Substrate nanopatterning by e-beam lithography to growth ordered arrays of III-Nitride nanodetectors: application to IR detectors, emitters, and new Solar Cells

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)

Ejecución: 01-01-2011 - 31-12-2012

Tipo: Internacional

Importe financiado: 153917,00 Euros.

  • iMarina

Smart nanostructured semiconductors for energy saving light solutions

  • FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • GRANDAL QUINTANA, JAVIER (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
  • PRIETO MARTIN, JOSE LUIS (Participante)
  • PADILLA GONZALEZ, ISIDORO (Participante)
  • Gacevic, Zarko (Participante)
  • Martínez Rodrigo, Javier (Participante)
  • Notzel, Richard (Participante)
  • Calle Gómez, Fernando (Participante)
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Ejecución: 01-09-2009 - 31-08-2012

Tipo: Internacional

Importe financiado: 800650,00 Euros.

  • iMarina

Nanohilos basados en GaN para sistemas de información cuántica y circuitos digitales

  • FERNANDO SAAVEDRA, AMALIA LUISA (Participante)
  • HERRANZ FEITO, MIGUEL (Investigador/a)
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Investigador principal (IP))
  • FOTEINOPOULOU, AIKATERINI (Participante)
  • Gacevic, Zarko (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Participante)
  • KARAGIANNIS, NIKOLAOS (Participante)
  • LASO CARBAJO, MANUEL (Participante)
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Ejecución: 01-01-2019 - 31-07-2022

Tipo: Nacional

Importe financiado: 193963,00 Euros.

  • iMarina

Nanoestructuras de semiconductores como componentes par ala información cuántica

  • Enrique Calleja Pardo (Investigador principal (IP))
  • MONTES BAJO, MIGUEL (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2006 - 01-01-2009

  • iMarina

Nanoestructura de Semiconductores como Componentes para La Información Cuántica

  • FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Participante)
  • GRACIA VERANO, VICTOR (Investigador principal (IP))
  • CERUTTI CERUTTI, LAURENT (Investigador principal (IP))
  • RISTIC RISTIC, JELENA (Investigador principal (IP))
  • SANZ MONASTERIO, MIKEL (Investigador principal (IP))
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
  • MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
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Ejecución: 01-12-2005 - 01-01-2010

Tipo: Regional

  • iMarina

Materiales y dispositivos optoelectrónicos basados en nitruros del grupo- III

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))

Ejecución: 19-12-2019 - 31-12-2021

  • iMarina

Instalación/Actuación: Central de Tecnología del ISOM

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))

Ejecución: 13-11-2008 - 15-10-2009

Tipo: Nacional

  • iMarina

InDaN and AIGaN semi-polar and non-polar pseudo-substrates made by Molecular Beam Epitaxy by ordered coalescence of nanocrystals

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-01-2018 - 15-09-2022

  • iMarina

High quality and intrinsic Properties of InN and indium rich Nitride Alloys

  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Investigador principal (IP))
  • Calle Gómez, Fernando (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Participante)

Ejecución: 01-10-2008 - 30-09-2012

Tipo: Internacional

Importe financiado: 388526,00 Euros.

  • iMarina

nxGa1-xN layers, nanowires, and nanodots on Silicon for clean energy applications

  • Calleja Pardo, Enrique (Director)
  • Gacevic, Zarko (Director) Doctorando: Aseev, Pavel

1/1/2017

  • iMarina

Investigations on III-nitrides nanostructures: application to renewable energies and bio-sensing

  • Calleja Pardo, Enrique (Director)
  • Gacevic, Zarko (Director) Doctorando: Soto Rodriguez, Paul Eduardo David

1/1/2016

  • iMarina

Growth and characterization of group-iii nitride nanocolumnar structures - crecimiento y caracterización de estructuras nanocolumnares de nitruros dle grupo iii

  • Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Jelena Ristic

1/1/2006

  • iMarina

Growth and characterization of gan/aln non-polar pseudo-substrates

  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: Fernando Saavedra, Amalia Luisa

1/1/2021

  • iMarina

Fabricación, caracterización y aplicaciones de detectores de UV basados en AlGaN.

  • Muñoz Merino, Elías (Director)
  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: PAU VIZCAINO, José Luis

1/1/2003

  • iMarina

Espejos de Braga de AlGaN/GaN crecidos por Epitaxia de Haces Moleculares para Dispositivos Optoelectrónicos de Cavidad Resonante

  • Enrique Calleja Pardo (Director)
  • Fernando Calle Gómez (Director) Doctorando: Fernández Ruano, Susana María

1/1/2004

  • iMarina

Crecimiento, fabricación y caracterización de diodos electroluminiscentes basados en pozos cuánticos de InGaN

  • Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Fernando Bernabé Naranjo Vega

1/6/2003

  • iMarina

Crecimiento y fabricación de transistores HEMT de AlGaN/GaN por epitaxia de haces moleculares

  • Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Ana Jimenez Martín

1/1/2003

  • iMarina

Crecimiento y caracterización de nitruros del grupo III sobre Si (111) por epitaxia de haces moleculares.

  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: SANCHEZ GARCIA, Miguel Angel

1/1/2000

  • iMarina

Crecimiento y caracterización de estructuras nanocolumnares de nitruros DLE grupo III.

  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: RISTIC, Jelena

1/1/2006

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.

Última actualización de los datos: 24/04/24 13:12