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Calleja Pardo, Enrique enrique.calleja@upm.es

INGENIERÍA ELECTRÓNICA / Universidad Politécnica de Madrid

Publications

(Al,Ga)N ultraviolet photodetectors and applications

  • Muñoz E
  • Monroy E
  • Pau J
  • Calle F
  • Calleja E
  • Omnes F
  • Gibart P
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Physica Status Solidi A-Applications And Materials Science (p. 293-300) - 1/7/2000

10.1002/1521-396x(200007)180:1<293::aid-pssa293>3.0.co;2-j View at source

  • ISSN 00318965

(S)TEM methods contributions to improve the fabrication of InGaN thin films on Si, and InN nanostructures on flat Si and rough InGaN

  • Jimenez, J. J.
  • Manuel, J. M.
  • Aseev, P.
  • Soto Rodriguez, P. E. D.
  • Notzel, R.
  • Gacevic, Z.
  • Calleja, E.
  • Garcia, R.
  • Morales, F. M.;
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Journal Of Alloys And Compounds (p. 697-708) - 30/4/2019

10.1016/j.jallcom.2018.12.319 View at source

  • ISSN 09258388

A CRITICAL ANALYSIS OF CAPACITANCE TRANSIENT SIGNALS DUE TO DX CENTERS IN N-TYPE ALGAAS

  • IZPURA, I
  • MUNOZ, E
  • CALLEJA, E;

Semiconductor Science And Technology (p. 1258-1266) - 1/12/1993

10.1088/0268-1242/8/7/013 View at source

  • ISSN 13616641

A RAMAN-SPECTROSCOPIC STUDY OF THE SI, BE, AND C INCORPORATION IN INXGA1-XAS RELAXED LAYERS

  • ALVAREZ, AL
  • CALLE, F
  • SACEDON, A
  • CALLEJA, E
  • MUNOZ, E
  • WAGNER, J
  • MAIER, M
  • MAZUELAS, A
  • PLOOG, KH;
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Journal Of Applied Physics (p. 4690-4695) - 1/1/1995

10.1063/1.359816 View at source

  • ISSN 00218979

A comprehensive diagram to grow (0001)InGaN alloys by molecular beam epitaxy

  • S. Fernández-Garrido
  • SOTO RODRIGUEZ, PAUL
  • Notzel, Richard
  • Gacevic, Zarko
  • Calleja Pardo, Enrique

Journal Of Crystal Growth (p. 123-127) - 1/1/2013

10.1016/j.jcrysgro.2012.11.031 View at source

  • ISSN 00220248

A comprehensive diagram to grow InAlN alloys by plasma-assisted molecular beam epitaxy

  • Fernandez-Garrido, S.
  • Gacevic, Z.
  • Calleja, E.;

Applied Physics Letters - 21/11/2008

10.1063/1.3026541 View at source

  • ISSN 00036951

A growth diagram for plasma-assisted molecular beam epitaxy of GaN nanocolumns on Si(111)

  • Fernández-Garrido, S
  • Grandal, J
  • Calleja, E
  • Sánchez-García, MA
  • López-Romero, D

Journal Of Applied Physics - 1/12/2009

10.1063/1.3267151 View at source

  • ISSN 00218979

A top-gate GaN nanowire metal-semiconductor field effect transistor with improved channel electrostatic control

  • Ž Ga?evi?
  • D López-Romero
  • T Juan Mangas
  • E Calleja

Applied Physics Letters (p. 033101-033101) - 18/1/2016

10.1063/1.4940197 View at source

  • ISSN 00036951

A word from the editors

  • Calleja E
  • Cristoloveanu S
  • Kuk Y
  • Zaslavsky A

Solid-State Electronics (p. 1-1) - 1/1/2013

10.1016/j.sse.2012.09.003 View at source

  • ISSN 00381101

Accommodation mechanism of InN nanocolumns grown on Si(111) substrates by molecular beam epitaxy

  • Grandal, J
  • Sánchez-García, MA
  • Calleja, E
  • Luna, E
  • Trampert, A

Applied Physics Letters - 1/1/2007

10.1063/1.2756293 View at source

  • ISSN 00036951

This researcher has no books.

Ga(in)N nanowires grown by molecular beam epitaxy: From quantum light emitters to nanotransistors

  • Gačević Ž
  • Calleja E

Novel Compound Semiconductor Nanowires: Materials, Devices, And Applications (p. 319-364) - 1/1/2017

10.1201/9781315364407 View at source

TEM study of (Ga, AI)N nanocolumns and embedded GaN nanodiscs

  • Trampert A
  • Ristic J
  • Jahn U
  • Calleja E
  • Ploog K

Microscopy Of Semiconducting Materials 2003 (p. 167-170) - 1/1/2018

10.1201/9781351074636 View at source

Z. Gacevic, P. Lefebvre, F. Bertram, G. Schmidt, P. Veit, J. Christen, and E. Calleja "Growth and characterization of InGaN/GaN quantum dots for violet/blue applications"

  • P. Lefebvre
  • P. Veit
  • J. Christen
  • G. Schmidt
  • F. Bertram
  • Gacevic, Zarko
  • Calleja Pardo, Enrique
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Growth And Characterization Of Ingan/Gan Quantum Dots For Violet/Blue Applications (p. 0-0) - 10/7/2012

  • iMarina

Z. Gacevic, S. Fernández-Garrido, E. Calleja, D. Hosseini, S. Estrade and F. Peiró "Structural properties of InAlN single layers nearly latice-matched to GaN grown by plasma assisted molecular beal epitaxy"

  • S. Fernández-Garrido
  • S. Estradé
  • F. Peiró
  • D. Hosseini
  • Gacevic, Zarko
  • Calleja Pardo, Enrique

"Structural Properties Of Inaln Single Layers Nearly Latice-Matched To Gan Grown By Plasma Assisted Molecular Beal Epitaxy" (p. 0-0) - 20/3/2011

  • iMarina

This researcher has no working papers.

This researcher has no technical reports.

3D GaN for High Efficiency Solid State Lighting

  • Bengoechea Encabo, Ana Mª (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
  • Martínez Rodrigo, Javier (Participante)
  • Gacevic, Zarko (Participante)

Period: 01-04-2012 - 31-03-2015

Type of funding: International

Amount of funding: 552079,00 Euros.

  • iMarina

A. Develop process to make full visible spectrum display emitter layer using nanocolumns. B. Develop process to make UVA emitting arrays using nanocolumns

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Investigador principal (IP))

Period: 06-10-2020 - 03-11-2021

  • iMarina

ADECUACIÓN DE UN REACTOR DE EPITAXIA DE HACES MOLECULARES (MBE) PARA EL CRECIMIENTO EPITAXIAL DE NANOESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)

Period: 01-01-2013 - 31-12-2015

Type of funding: National

Amount of funding: 22105,00 Euros.

  • iMarina

Crecimiento por Epitaxia de Haces Moleculares de capas finas y nanoestructuras ordenadas de InGaN para dispositivos fotovoltaicos, sensores y generadores de hidrógeno

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
  • Gacevic, Zarko (Participante)
  • COBOS ARRIBAS, PEDRO (Participante)

Period: 01-01-2016 - 31-12-2018

Type of funding: National

Amount of funding: 204490,00 Euros.

  • iMarina

Células Solares de Ingan mejoradas con plasmones superficiales y fabricadas por MBE sobre sustratos de Silicio y Capas de Gan

  • Bengoechea Encabo, Ana Mª (Participante)
  • YASUSHI NA, NANISHI (Participante)
  • MCCONVILLE NA, CHRIS (Participante)
  • Notzel, Richard (Participante)
  • Gacevic, Zarko (Participante)
  • SABIDO SILLER, M CARMEN (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Participante)
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Investigador principal (IP))
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Period: 01-01-2012 - 31-12-2014

Type of funding: National

Amount of funding: 269999,00 Euros.

  • iMarina

Células Solares de heterounión InGaN y alta eficiencia crecidas por MBE

  • FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Participante)
  • NANISHI ., YASUSHI (Participante)
  • ARTUS SURROCA, LLUIS (Participante)
  • Calleja Pardo, Jose Manuel (Participante)
  • GRANDAL QUINTANA, JAVIER (Participante)
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
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Period: 01-11-2009 - 01-11-2012

Type of funding: National

Amount of funding: 40000,00 Euros.

  • iMarina

Desarrollo de Micro y Nanocavidades incluyendo regiones activas de puntos cuánticos de Nitruros-III: Aplicaciones a emisiones de luz en azul y UV.

  • FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Participante)
  • JAN ., UWE (Participante)
  • TRAMPET ., ACHIM (Participante)
  • LEFREBVE ., PIERRE (Participante)
  • RISTIC ., JELENA (Participante)
  • GRANJEAN ., NICOLAS (Participante)
  • DAUDIN ., BRUNO (Participante)
  • RODRIGUEZ CANTO, PEDRO (Participante)
  • GODIGNON ., PHILIP (Participante)
  • Gacevic, Zarko (Participante)
  • UTRERA LÓPEZ, MARÍA (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
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Period: 01-01-2009 - 31-12-2011

Type of funding: National

  • iMarina

Extensión de medida de catodoluminiscencia(CL) al rango infrarrojo en microcospio de barrido electrónico FESEM

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)

Period: 01-01-2013 - 31-12-2015

Type of funding: National

  • iMarina

GaN-based nanowires as building blocks for quantum information systems and digital electronic circuits (RTI2018-097338-B-I00)

  • FOTEINOPOULOU, AIKATERINI (Investigador/a)
  • Miguel Angel Sanchez Garcia
  • Manuel Laso Carbajo
  • Enrique Calleja Pardo
  • Nikos Karayiannis
  • Zarko Gacevic
  • Aikaterini Foteinopoulou (Investigador principal (IP))
  • KARAGIANNIS, NIKOLAOS (Investigador/a)
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Period: 01-01-2019 - 31-12-2021

Type of funding: National

Amount of funding: 160300,00 Euros.

  • iMarina

High quality and intrinsic Properties of InN and indium rich Nitride Alloys

  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Investigador principal (IP))
  • Calle Gómez, Fernando (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Participante)

Period: 01-10-2008 - 30-09-2012

Type of funding: International

Amount of funding: 388526,00 Euros.

  • iMarina

Aportación al estudio de estructuras pseudomórficas y metamórficas de InGaAs

  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: SACEDON AYUSO, Ana

1/1/1996

  • iMarina

Constituent blocks of planar III - nitride microcavities grown by molecular beam epitaxy

  • Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Zarko Gacevic

1/1/2012

  • iMarina

Contribución al estudio de defectos en capas epitaxiales de Gan. Aplicaciones a dispositivos optoelectronicos

  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: SANCHEZ SANZ, Fernando José

1/1/1999

  • iMarina

Crecimiento de nitruros del grupo III por epitaxia de haces moleculares para la fabricación de diodos electroluminiscentes en el rango visible-ultravioleta

  • Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Sergio Fernández Garrido

1/1/2009

  • iMarina

Crecimiento y caracterización de estructuras nanocolumnares de nitruros DLE grupo III.

  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: RISTIC, Jelena

1/1/2006

  • iMarina

Crecimiento y caracterización de nitruros del grupo III sobre Si (111) por epitaxia de haces moleculares.

  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: SANCHEZ GARCIA, Miguel Angel

1/1/2000

  • iMarina

Crecimiento y fabricación de transistores HEMT de AlGaN/GaN por epitaxia de haces moleculares

  • Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Ana Jimenez Martín

1/1/2003

  • iMarina

Crecimiento, fabricación y caracterización de diodos electroluminiscentes basados en pozos cuánticos de InGaN

  • Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Fernando Bernabé Naranjo Vega

1/6/2003

  • iMarina

Espejos de Braga de AlGaN/GaN crecidos por Epitaxia de Haces Moleculares para Dispositivos Optoelectrónicos de Cavidad Resonante

  • Enrique Calleja Pardo (Director)
  • Fernando Calle Gómez (Director) Doctorando: Fernández Ruano, Susana María

1/1/2004

  • iMarina

Fabricación, caracterización y aplicaciones de detectores de UV basados en AlGaN.

  • Muñoz Merino, Elías (Director)
  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: PAU VIZCAINO, José Luis

1/1/2003

  • iMarina

This researcher has no patents or software licenses.

Last data update: 4/24/24 1:12 PM