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Perfil en el portal institucional

Calleja Pardo, Enrique enrique.calleja@upm.es

INGENIERÍA ELECTRÓNICA / Universidad Politécnica de Madrid

Actividades

GaN-based solar-ultraviolet detection instrument

  • Monroy, E
  • Calle, F
  • Angulo, C
  • Vila, P
  • Sanz, A
  • Garrido, JA
  • Calleja, E
  • Munoz, E
  • Haffouz, S
  • Beaumont, B
  • Omnes, F
  • Gibart, P
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Applied Optics (p. 5058-5062) - 1/8/1998

10.1364/ao.37.005058 Ver en origen

  • ISSN 00036935

Relaxation mechanism of InGaAs single and graded layers grown on (111)B GaAs

  • Rojas, TC
  • Molina, SI
  • Sacedon, A
  • Valtuena, F
  • Calleja, E
  • Garcia, R;

Thin Solid Films (p. 270-273) - 1/4/1998

10.1016/s0040-6090(97)00527-0 Ver en origen

  • ISSN 00406090

Luminescence of Be-doped GaN layers grown by molecular beam epitaxy on Si(111)

  • Sanchez, FJ
  • Calle, F
  • Sanchez-Garcia, MA
  • Calleja, E
  • Munoz, E
  • Molloy, CH
  • Somerford, DJ
  • Koschnick, FK
  • Michael, K
  • Spaeth, JM
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M R S Internet Journal Of Nitride Semiconductor Research: (Materials Research Society) (p. art. no.-19) - 1/12/1998

  • ISSN 10925783
  • iMarina

The effect of the III/V ratio and substrate temperature on the morphology and properties of GaN- and AlN-layers grown by molecular beam epitaxy on Si(111)

  • Sanchez-Garcia, MA
  • Calleja, E
  • Monroy, E
  • Sanchez, FJ
  • Calle, F
  • Munoz, E
  • Beresford, R
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Journal Of Crystal Growth (p. 23-30) - 1/1/1998

10.1016/s0022-0248(97)00386-2 Ver en origen

  • ISSN 00220248

Blue-UV homojunction GaN LEDs fabricated by MOVPE

  • Calle Gómez, Fernando

Materials Science Forum (p. 1425-1428) - 1/1/1998

10.4028/www.scientific.net/msf.264-268.1425 Ver en origen

  • ISSN 02555476

Influence of interface dislocations on surface kinetics during epitaxial growth of InGaAs

  • Alvarez, AL
  • Calle, F
  • Valtuena, JF
  • Faura, J
  • Sanchez, MA
  • Calleja, E
  • Munoz, E
  • Morante, JR
  • Gonzalez, D
  • Araujo, D
  • Roja, RG;
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Applied Surface Science (p. 303-307) - 1/1/1998

10.1016/s0169-4332(97)00483-2 Ver en origen

  • ISSN 01694332

Growth optimization and doping with Si and Be of high quality GaN on Si(111) by molecular beam epitaxy

  • Sanchez-Garcia, MA
  • Calleja, E
  • Sanchez, FJ
  • Calle, F
  • Monroy, E
  • Basak, D
  • Munoz, E
  • Villar, C
  • Sanz-Hervas, A
  • Aguilar, M
  • Serrano, JJ
  • Blanco, JM
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Journal Of Electronic Materials (p. 276-281) - 1/1/1998

10.1007/s11664-998-0399-2 Ver en origen

  • ISSN 03615235

Effect of Ga/Si interdiffusion on optical and transport properties of GaN layers grown on Si(111) by molecular-beam epitaxy

  • Calleja, E
  • Sanchez-Garcia, MA
  • Basak, D
  • Sanchez, FJ
  • Calle, F
  • Youinou, P
  • Munoz, E
  • Serrano, JJ
  • Blanco, JM
  • Villar, C
  • Laine, T
  • Oila, J
  • Saarinen, K
  • Hautojarvi, P
  • Molloy, CH
  • Somerford, DJ
  • Harrison, I
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Physical Review b (p. 1550-1559) - 1/1/1998

10.1103/physrevb.58.1550 Ver en origen

  • ISSN 01631829

Experimental evidence for a Be shallow acceptor in GaN grown on Si(111) by molecular beam epitaxy

  • Sanchez, FJ
  • Calle, F
  • Sanchez-Garcia, MA
  • Calleja, E
  • Munoz, E
  • Molloy, CH
  • Somerford, DJ
  • Serrano, JJ
  • Blanco, JM
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Semiconductor Science And Technology (p. 1130-1133) - 1/1/1998

10.1088/0268-1242/13/10/013 Ver en origen

  • ISSN 13616641

Characterisation by TEM and X-ray diffraction of linearly graded composition InGaAs buffer layers on (001) GaAs

  • Pacheco, FJ
  • Araujo, D
  • Molina, SI
  • Garcia, R
  • Sacedon, A
  • Gonzalez-Sanz, F
  • Calleja, E
  • Kidd, P
  • Lourenco, MA;
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Materials Science And Technology (p. 1273-1278) - 1/1/1998

10.1179/mst.1998.14.12.1273 Ver en origen

  • ISSN 02670836

Este/a investigador/a no tiene libros.

TEM study of (Ga, AI)N nanocolumns and embedded GaN nanodiscs

  • Trampert A
  • Ristic J
  • Jahn U
  • Calleja E
  • Ploog K

Microscopy Of Semiconducting Materials 2003 (p. 167-170) - 1/1/2018

10.1201/9781351074636 Ver en origen

Ga(in)N nanowires grown by molecular beam epitaxy: From quantum light emitters to nanotransistors

  • Gačević Ž
  • Calleja E

Novel Compound Semiconductor Nanowires: Materials, Devices, And Applications (p. 319-364) - 1/1/2017

10.1201/9781315364407 Ver en origen

InAlN growth with high nitrogen-flux by plasma-assisted molecular-beam epitaxy

  • et al
  • Calleja Pardo, Enrique

Proceedings (p. 1-3) - 17/2/2019

  • iMarina

Nanoscale Imaging of Individual AlN/GaN/AlN Quantum Disk embedded in GaN Nanowires

  • S. Petzold
  • S. Metzner
  • P. Veit
  • G. Schmidth
  • F. Bertram
  • et al.
  • FERNANDO SAAVEDRA, AMALIA LUISA
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel
  • Calleja Pardo, Enrique
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Proceedings (p. 0-3) - 11/11/2018

  • iMarina

Selective area growth of GaN nanocolumns with extremely low photoluminescence linewidth of <0.6 meV

  • M Niehle
  • D. López-Romero
  • A. Trampert
  • FERNANDO SAAVEDRA, AMALIA LUISA
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel
  • Calleja Pardo, Enrique

Proceedings (p. 0-3) - 11/11/2018

  • iMarina

Studies of free charge carrier properties in AlGaN and InGaN based structures by infrared and terahertz optical Hall effect

  • T. Hofmann
  • S. Knight
  • P. Kuhne
  • N. Armakavicius
  • M Shu
  • JT. Chen
  • et al
  • XIE, MENGYAO
  • Calleja Pardo, Enrique
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Proceedings (p. 0-3) - 24/7/2017

  • iMarina

Growth of self-assembled AIN nanowires on SiO2/Si substrates

  • S. Lazic
  • M. Varela
  • J. Grandal
  • Gacevic, Zarko
  • Calleja Pardo, Enrique

Proceedings (p. 0-3) - 24/7/2017

  • iMarina

Emission of linearly polarized single photons from quantum dots contained in nonpolar, semipolar and polar sections of pencil-Like InGaN/GaN Nanowires

  • Ga?evi? Z
  • Holmes M
  • Chernysheva E
  • Müller M
  • Torres-Pardo A
  • Veit P
  • Bertram F
  • Christen J
  • González Calbet JM
  • Arakawa Y
  • Calleja E
  • Lazi? S
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Proceedings (p. 0-3) - 24/7/2017

10.1021/acsphotonics.6b01030 Ver en origen

  • ISSN 23304022

InGaN single photon emitters in nanowires: Properties and dynamic control

  • et al
  • Calleja Pardo, Enrique

Proceedings (p. 0-3) - 28/1/2017

  • iMarina

MBE growth of ordered III-nitride nano/microrods: from classical/quantum light sources to nanotransistors and pseudosubstrates (Conference Presentation)

  • Calleja, Enrique;

Proceedings Of Spie - The International Society For Optical Engineering - 1/1/2017

10.1117/12.2257104 Ver en origen

  • ISSN 0277786X

Fabrication on III-nitride dot-ín-a-wire single photon sources

  • Y. Arakawa
  • S. Lazic
  • M. Holmes
  • J. M. González-Calbet
  • E. Chernysheva
  • A. Torres-Pardo
  • Gacevic, Zarko
  • Calleja Pardo, Enrique
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Proceedings (p. 0-3) - 23/8/2016

  • iMarina

Dynamic acoustic control of single photon emission from III-Nitride nanowire heterostructures

  • S. Lazic
  • J.M Calleja
  • H.P Van der Meulen
  • E. Chernysheva
  • Gacevic, Zarko
  • Calleja Pardo, Enrique

Proceedings (p. 0-3) - 23/8/2016

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.

Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.

A. Develop process to make full visible spectrum display emitter layer using nanocolumns. B. Develop process to make UVA emitting arrays using nanocolumns

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Investigador principal (IP))

Ejecución: 06-10-2020 - 03-11-2021

  • iMarina

Materiales y dispositivos optoelectrónicos basados en nitruros del grupo- III

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))

Ejecución: 19-12-2019 - 31-12-2021

  • iMarina

Nanohilos basados en GaN para sistemas de información cuántica y circuitos digitales

  • FERNANDO SAAVEDRA, AMALIA LUISA (Participante)
  • HERRANZ FEITO, MIGUEL (Investigador/a)
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Investigador principal (IP))
  • FOTEINOPOULOU, AIKATERINI (Participante)
  • Gacevic, Zarko (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Participante)
  • KARAGIANNIS, NIKOLAOS (Participante)
  • LASO CARBAJO, MANUEL (Participante)
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Ejecución: 01-01-2019 - 31-07-2022

Tipo: Nacional

Importe financiado: 193963,00 Euros.

  • iMarina

GaN-based nanowires as building blocks for quantum information systems and digital electronic circuits (RTI2018-097338-B-I00)

  • FOTEINOPOULOU, AIKATERINI (Investigador/a)
  • Miguel Angel Sanchez Garcia
  • Manuel Laso Carbajo
  • Enrique Calleja Pardo
  • Nikos Karayiannis
  • Zarko Gacevic
  • Aikaterini Foteinopoulou (Investigador principal (IP))
  • KARAGIANNIS, NIKOLAOS (Investigador/a)
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Ejecución: 01-01-2019 - 31-12-2021

Tipo: Nacional

Importe financiado: 160300,00 Euros.

  • iMarina

InDaN and AIGaN semi-polar and non-polar pseudo-substrates made by Molecular Beam Epitaxy by ordered coalescence of nanocrystals

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-01-2018 - 15-09-2022

  • iMarina

Crecimiento por Epitaxia de Haces Moleculares de capas finas y nanoestructuras ordenadas de InGaN para dispositivos fotovoltaicos, sensores y generadores de hidrógeno

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
  • Gacevic, Zarko (Participante)
  • COBOS ARRIBAS, PEDRO (Participante)

Ejecución: 01-01-2016 - 31-12-2018

Tipo: Nacional

Importe financiado: 204490,00 Euros.

  • iMarina

Towards p-type conductivity in In0.5Ga0.5N nanocolumns on a Si (100) substrate with GaN buffer layers

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • XIE, MENGYAO (Becario/a)
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)

Ejecución: 15-06-2015 - 14-06-2017

Tipo: Internacional

Importe financiado: 170121,60 Euros.

  • iMarina

Extensión de medida de catodoluminiscencia(CL) al rango infrarrojo en microcospio de barrido electrónico FESEM

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)

Ejecución: 01-01-2013 - 31-12-2015

Tipo: Nacional

  • iMarina

ADECUACIÓN DE UN REACTOR DE EPITAXIA DE HACES MOLECULARES (MBE) PARA EL CRECIMIENTO EPITAXIAL DE NANOESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)

Ejecución: 01-01-2013 - 31-12-2015

Tipo: Nacional

Importe financiado: 22105,00 Euros.

  • iMarina

3D GaN for High Efficiency Solid State Lighting

  • Bengoechea Encabo, Ana Mª (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
  • Martínez Rodrigo, Javier (Participante)
  • Gacevic, Zarko (Participante)

Ejecución: 01-04-2012 - 31-03-2015

Tipo: Internacional

Importe financiado: 552079,00 Euros.

  • iMarina

Growth and characterization of gan/aln non-polar pseudo-substrates

  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: Fernando Saavedra, Amalia Luisa

1/1/2021

  • iMarina

nxGa1-xN layers, nanowires, and nanodots on Silicon for clean energy applications

  • Calleja Pardo, Enrique (Director)
  • Gacevic, Zarko (Director) Doctorando: Aseev, Pavel

1/1/2017

  • iMarina

Investigations on III-nitrides nanostructures: application to renewable energies and bio-sensing

  • Calleja Pardo, Enrique (Director)
  • Gacevic, Zarko (Director) Doctorando: Soto Rodriguez, Paul Eduardo David

1/1/2016

  • iMarina

Constituent blocks of planar III - nitride microcavities grown by molecular beam epitaxy

  • Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Zarko Gacevic

1/1/2012

  • iMarina

Crecimiento de nitruros del grupo III por epitaxia de haces moleculares para la fabricación de diodos electroluminiscentes en el rango visible-ultravioleta

  • Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Sergio Fernández Garrido

1/1/2009

  • iMarina

Crecimiento y caracterización de estructuras nanocolumnares de nitruros DLE grupo III.

  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: RISTIC, Jelena

1/1/2006

  • iMarina

Growth and characterization of group-iii nitride nanocolumnar structures - crecimiento y caracterización de estructuras nanocolumnares de nitruros dle grupo iii

  • Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Jelena Ristic

1/1/2006

  • iMarina

Espejos de Braga de AlGaN/GaN crecidos por Epitaxia de Haces Moleculares para Dispositivos Optoelectrónicos de Cavidad Resonante

  • Enrique Calleja Pardo (Director)
  • Fernando Calle Gómez (Director) Doctorando: Fernández Ruano, Susana María

1/1/2004

  • iMarina

Crecimiento, fabricación y caracterización de diodos electroluminiscentes basados en pozos cuánticos de InGaN

  • Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Fernando Bernabé Naranjo Vega

1/6/2003

  • iMarina

Fabricación, caracterización y aplicaciones de detectores de UV basados en AlGaN.

  • Muñoz Merino, Elías (Director)
  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: PAU VIZCAINO, José Luis

1/1/2003

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.

Última actualización de los datos: 24/04/24 13:12