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Perfil en el portal institucional

Calleja Pardo, Enrique enrique.calleja@upm.es

INGENIERÍA ELECTRÓNICA / Universidad Politécnica de Madrid

Actividades

Growth of non-polar m-plane GaN pseudo-substrates by Molecular beam epitaxy

  • Fernando-Saavedra A
  • Albert S
  • Bengoechea-Encabo A
  • Trampert A
  • Xie M
  • Sanchez-Garcia MA
  • Calleja E
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Journal Of Crystal Growth - 1/9/2023

10.1016/j.jcrysgro.2023.127272 Ver en origen

  • ISSN 00220248

Role of high nitrogen flux in InAlN growth by plasma-assisted molecular beam epitaxy

  • Sawicka M
  • Fiuczek N
  • Wolny P
  • Feduniewicz-Żmuda A
  • Siekacz M
  • Kryśko M
  • Nowakowski-Szkudlarek K
  • Smalc-Koziorowska J
  • Kret S
  • Gačević Ž
  • Calleja E
  • Skierbiszewski C
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Journal Of Crystal Growth - 15/8/2020

10.1016/j.jcrysgro.2020.125720 Ver en origen

  • ISSN 00220248

III-Nitrides Resonant Cavity Photodetector Devices

  • Fernández, S.
  • Naranjo, F.B.
  • Sánchez-García, M.Á.
  • Calleja, E.

Materials (p. 1-12) - 1/1/2020

Editor: MDPI AG

10.3390/ma13194428 Ver en origen

  • ISSN 19961944
  • ISSN/ISBN 1996-1944

Unravelling the polarity of InN quantum dots using a modified approach of negative-spherical-aberration imaging

  • Rajak P
  • Islam M
  • Jiménez J
  • Mánuel J
  • Aseev P
  • Gačević
  • Calleja E
  • García R
  • Morales F
  • Bhattacharyya S
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Nanoscale (p. 13632-13638) - 28/7/2019

10.1039/c9nr04146j Ver en origen

  • ISSN 20403364

(S)TEM methods contributions to improve the fabrication of InGaN thin films on Si, and InN nanostructures on flat Si and rough InGaN

  • Jimenez, J. J.
  • Manuel, J. M.
  • Aseev, P.
  • Soto Rodriguez, P. E. D.
  • Notzel, R.
  • Gacevic, Z.
  • Calleja, E.
  • Garcia, R.
  • Morales, F. M.;
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Journal Of Alloys And Compounds (p. 697-708) - 30/4/2019

10.1016/j.jallcom.2018.12.319 Ver en origen

  • ISSN 09258388

Electron Tomography of Pencil-Shaped GaN/(In,Ga)N Core-Shell Nanowires

  • Nicolai L
  • Gačević Ž
  • Calleja E
  • Trampert A

Nanoscale Research Letters - 1/12/2019

10.1186/s11671-019-3072-1 Ver en origen

  • ISSN 19317573

Ordered arrays of defect-free GaN nanocolumns with very narrow excitonic emission line width

  • Fernando-Saavedra, A
  • Albert, S
  • Bengoechea-Encabo, A
  • Lopez-Romero, D
  • Niehle, M
  • Metzner, S
  • Schmidt, G
  • Bertram, F
  • Sánchez-García, MA
  • Trampert, A
  • Christen, J
  • Calleja, E
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Journal Of Crystal Growth - 1/11/2019

10.1016/j.jcrysgro.2019.125189 Ver en origen

  • ISSN 00220248

Formation mechanisms of single-crystalline InN quantum dots fabricated via droplet epitaxy

  • Aseev, P.
  • Gacevic, Z.
  • Manuel, J. M.
  • Jimenez, J. J.
  • Garcia, R.
  • Morales, F. M.
  • Calleja, E.;
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Journal Of Crystal Growth (p. 65-75) - 1/7/2018

10.1016/j.jcrysgro.2018.04.027 Ver en origen

  • ISSN 00220248

Unvealing GaN Polytypism in Distributed GaN/InAlN Bragg Reflectors Through HRTEM Image Simulation

  • Lopez-Conesa, Lluis
  • Antonio Perez-Omil, Jose
  • Gacevic, Zarko
  • Calleja, Enrique
  • Estrade, Sonia
  • Peiro, Francesca;

Physica Status Solidi A-Applications And Materials Science - 10/10/2018

10.1002/pssa.201800218 Ver en origen

  • ISSN 00318965

Effect of different buffer layers on the quality of InGaN layers grown on Si

  • Gómez, V.J.
  • Grandal, J.
  • Núñez-Cascajero, A.
  • Naranjo, F.B.
  • Varela, M.
  • Sánchez-García, M.A.
  • Calleja, E.
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Aip Advances - 1/10/2018

Editor: American Institute of Physics Inc.

10.1063/1.5046756 Ver en origen

  • ISSN 21583226
  • ISSN/ISBN 2158-3226

Este/a investigador/a no tiene libros.

TEM study of (Ga, AI)N nanocolumns and embedded GaN nanodiscs

  • Trampert A
  • Ristic J
  • Jahn U
  • Calleja E
  • Ploog K

Microscopy Of Semiconducting Materials 2003 (p. 167-170) - 1/1/2018

10.1201/9781351074636 Ver en origen

Ga(in)N nanowires grown by molecular beam epitaxy: From quantum light emitters to nanotransistors

  • Gačević Ž
  • Calleja E

Novel Compound Semiconductor Nanowires: Materials, Devices, And Applications (p. 319-364) - 1/1/2017

10.1201/9781315364407 Ver en origen

Correlation between the AlN buffer layer thickness and the GaN polarity in GaN/AlN/Si(111) grown by MBE

  • Sanchez, AM
  • Ruterana, P
  • Vennegues, P
  • Semond, F
  • Pacheco, FJ
  • Molina, SI
  • Garcia, R
  • Sanchez-Garcia, MA
  • Calleja, E
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Materials Research Society Symposium - Proceedings (p. 157-162) - 1/1/2003

  • ISSN 02729172
  • iMarina

Anomalous composition dependence of optical energies of MBE-grown InGaN

  • Fernandez-Torrente, I.
  • Amabile, D.
  • Martin, R.W.
  • O'Donnell, K.P.
  • Mosselmans, J.F.W.
  • Calleja, E.
  • Naranjo, F.B.
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Materials Research Society Symposium - Proceedings (p. 673-676) - 1/1/2003

Editor: Materials Research Society

10.1557/proc-798-y5.47 Ver en origen

  • ISSN 02729172
  • ISSN/ISBN 0272-9172

Hydrogen-related local vibrational modes in GaN:Mg grown by molecular beam epitaxy

  • Pastor, D.
  • Cuscó, R.
  • Artús, L.
  • Naranjo, F.
  • Calleja, E.

Materials Research Society Symposium - Proceedings (p. 485-490) - 1/1/2003

Editor: Materials Research Society

10.1557/proc-798-y5.15 Ver en origen

  • ISSN 02729172
  • ISSN/ISBN 0272-9172

Physica Status Solidi (A) Applied Research: Preface

  • Calleja E
  • Muñoz E
  • Ploog K

Physica Status Solidi A-Applications And Materials Science - 1/7/2002

10.1002/1521-396x(200207)192:1<3::aid-pssa3>3.0.co;2-j Ver en origen

  • ISSN 00318965

AlGaN ultraviolet photodetectors grown by molecular beam epitaxy on Si(111) substrates

  • Pau, JL
  • Monroy, E
  • Sánchez-García, MA
  • Calleja, E
  • Muñoz, E

Materials Science And Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials (p. 159-162) - 30/5/2002

10.1016/s0921-5107(02)00051-x Ver en origen

  • ISSN 09215107

Plasma-assisted MBE growth of group-III nitrides: from basics to device applications

  • Sánchez-García, M.A.
  • Pau, J.L.
  • Naranjo, F.
  • Jiménez, A.
  • Fernández, S.
  • Ristic, J.
  • Calle, F.
  • Calleja, E.
  • Muñoz, E.
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Materials Science And Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials (p. 189-196) - 30/5/2002

10.1016/s0921-5107(02)00049-1 Ver en origen

  • ISSN 09215107
  • ISSN/ISBN 0921-5107

Structural and optical characterization of intrinsic GaN nanocolumns

  • Sánchez-Páramo, J
  • Calleja, JM
  • Sánchez-García, MA
  • Calleja, E
  • Jahn, U

Physica E-Low-Dimensional Systems & Nanostructures (p. 1070-1073) - 1/3/2002

10.1016/s1386-9477(02)00305-3 Ver en origen

  • ISSN 13869477

Visible and solar-blind AlGaN metal-semiconductor-metal photodetectors grown on Si(111) substrates

  • Pau, JL
  • Muñoz, E
  • Sánchez-García, MA
  • Calleja, E

Physica Status Solidi A-Applications And Materials Science (p. 314-319) - 1/1/2002

10.1002/1521-396x(200208)192:2&lt;314::aid-pssa314&gt;3.0.co;2-y Ver en origen

  • ISSN 00318965

Solar-blind AlGaN-based UV photodetectors grown on Si (111) substrates

  • Pau J
  • Muñoz E
  • Sánchez M
  • Calleja E

Proceedings Of Spie - The International Society For Optical Engineering (p. 104-110) - 1/1/2002

10.1117/12.467653 Ver en origen

  • ISSN 0277786X

AlGaN photodetectors grown on Si(111) by molecular beam epitaxy

  • Pau, J.L.
  • Monroy, E.
  • Muñoz, E.
  • Naranjo, F.B.
  • Calle, F.
  • Sánchez-García, M.A.
  • Calleja, E.
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Journal Of Crystal Growth (p. 544-548) - 1/1/2001

Editor: Elsevier

10.1016/s0022-0248(01)01291-x Ver en origen

  • ISSN 00220248
  • ISSN/ISBN 0022-0248

Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.

Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.

A. Develop process to make full visible spectrum display emitter layer using nanocolumns. B. Develop process to make UVA emitting arrays using nanocolumns

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Investigador principal (IP))

Ejecución: 06-10-2020 - 03-11-2021

  • iMarina

Materiales y dispositivos optoelectrónicos basados en nitruros del grupo- III

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))

Ejecución: 19-12-2019 - 31-12-2021

  • iMarina

Nanohilos basados en GaN para sistemas de información cuántica y circuitos digitales

  • FERNANDO SAAVEDRA, AMALIA LUISA (Participante)
  • HERRANZ FEITO, MIGUEL (Investigador/a)
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Investigador principal (IP))
  • FOTEINOPOULOU, AIKATERINI (Participante)
  • Gacevic, Zarko (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Participante)
  • KARAGIANNIS, NIKOLAOS (Participante)
  • LASO CARBAJO, MANUEL (Participante)
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Ejecución: 01-01-2019 - 31-07-2022

Tipo: Nacional

Importe financiado: 193963,00 Euros.

  • iMarina

GaN-based nanowires as building blocks for quantum information systems and digital electronic circuits (RTI2018-097338-B-I00)

  • FOTEINOPOULOU, AIKATERINI (Investigador/a)
  • Miguel Angel Sanchez Garcia
  • Manuel Laso Carbajo
  • Enrique Calleja Pardo
  • Nikos Karayiannis
  • Zarko Gacevic
  • Aikaterini Foteinopoulou (Investigador principal (IP))
  • KARAGIANNIS, NIKOLAOS (Investigador/a)
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Ejecución: 01-01-2019 - 31-12-2021

Tipo: Nacional

Importe financiado: 160300,00 Euros.

  • iMarina

InDaN and AIGaN semi-polar and non-polar pseudo-substrates made by Molecular Beam Epitaxy by ordered coalescence of nanocrystals

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-01-2018 - 15-09-2022

  • iMarina

Crecimiento por Epitaxia de Haces Moleculares de capas finas y nanoestructuras ordenadas de InGaN para dispositivos fotovoltaicos, sensores y generadores de hidrógeno

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
  • Gacevic, Zarko (Participante)
  • COBOS ARRIBAS, PEDRO (Participante)

Ejecución: 01-01-2016 - 31-12-2018

Tipo: Nacional

Importe financiado: 204490,00 Euros.

  • iMarina

Towards p-type conductivity in In0.5Ga0.5N nanocolumns on a Si (100) substrate with GaN buffer layers

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • XIE, MENGYAO (Becario/a)
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)

Ejecución: 15-06-2015 - 14-06-2017

Tipo: Internacional

Importe financiado: 170121,60 Euros.

  • iMarina

Extensión de medida de catodoluminiscencia(CL) al rango infrarrojo en microcospio de barrido electrónico FESEM

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)

Ejecución: 01-01-2013 - 31-12-2015

Tipo: Nacional

  • iMarina

ADECUACIÓN DE UN REACTOR DE EPITAXIA DE HACES MOLECULARES (MBE) PARA EL CRECIMIENTO EPITAXIAL DE NANOESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)

Ejecución: 01-01-2013 - 31-12-2015

Tipo: Nacional

Importe financiado: 22105,00 Euros.

  • iMarina

3D GaN for High Efficiency Solid State Lighting

  • Bengoechea Encabo, Ana Mª (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
  • Martínez Rodrigo, Javier (Participante)
  • Gacevic, Zarko (Participante)

Ejecución: 01-04-2012 - 31-03-2015

Tipo: Internacional

Importe financiado: 552079,00 Euros.

  • iMarina

Growth and characterization of gan/aln non-polar pseudo-substrates

  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: Fernando Saavedra, Amalia Luisa

1/1/2021

  • iMarina

nxGa1-xN layers, nanowires, and nanodots on Silicon for clean energy applications

  • Calleja Pardo, Enrique (Director)
  • Gacevic, Zarko (Director) Doctorando: Aseev, Pavel

1/1/2017

  • iMarina

Investigations on III-nitrides nanostructures: application to renewable energies and bio-sensing

  • Calleja Pardo, Enrique (Director)
  • Gacevic, Zarko (Director) Doctorando: Soto Rodriguez, Paul Eduardo David

1/1/2016

  • iMarina

Constituent blocks of planar III - nitride microcavities grown by molecular beam epitaxy

  • Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Zarko Gacevic

1/1/2012

  • iMarina

Crecimiento de nitruros del grupo III por epitaxia de haces moleculares para la fabricación de diodos electroluminiscentes en el rango visible-ultravioleta

  • Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Sergio Fernández Garrido

1/1/2009

  • iMarina

Crecimiento y caracterización de estructuras nanocolumnares de nitruros DLE grupo III.

  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: RISTIC, Jelena

1/1/2006

  • iMarina

Growth and characterization of group-iii nitride nanocolumnar structures - crecimiento y caracterización de estructuras nanocolumnares de nitruros dle grupo iii

  • Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Jelena Ristic

1/1/2006

  • iMarina

Espejos de Braga de AlGaN/GaN crecidos por Epitaxia de Haces Moleculares para Dispositivos Optoelectrónicos de Cavidad Resonante

  • Enrique Calleja Pardo (Director)
  • Fernando Calle Gómez (Director) Doctorando: Fernández Ruano, Susana María

1/1/2004

  • iMarina

Crecimiento, fabricación y caracterización de diodos electroluminiscentes basados en pozos cuánticos de InGaN

  • Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Fernando Bernabé Naranjo Vega

1/6/2003

  • iMarina

Fabricación, caracterización y aplicaciones de detectores de UV basados en AlGaN.

  • Muñoz Merino, Elías (Director)
  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: PAU VIZCAINO, José Luis

1/1/2003

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.

Última actualización de los datos: 24/04/24 13:12