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Perfil en el portal institucional

Calleja Pardo, Enrique enrique.calleja@upm.es

INGENIERÍA ELECTRÓNICA / Universidad Politécnica de Madrid

Actividades

pn Junction applications and transport properties in polysilicon rods

  • Criado A
  • Calleja E
  • Martinez J
  • Piqueras J
  • Muñoz E

Solid-State Electronics (p. 693-700) - 1/1/1979

10.1016/0038-1101(79)90077-7 Ver en origen

  • ISSN 00381101

Yellow luminescence in Mg-doped GaN

  • Sanchez, FJ
  • Calle, F
  • Basak, D
  • Tijero, JMG
  • SanchezGarcia, MA
  • Monroy, E
  • Calleja, E
  • Munoz, E
  • Beaumont, B
  • Gibart, P
  • Serano, JJ
  • Blanco, JM
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M R S Internet Journal Of Nitride Semiconductor Research: (Materials Research Society) (p. U10-U16) - 1/1/1997

10.1557/s109257830000154x Ver en origen

  • ISSN 10925783

Yellow luminescence and related deep states in undoped GaN

  • Calleja, E
  • Sanchez, FJ
  • Basak, D
  • SanchezGarcia, MA
  • Munoz, E
  • Izpura, I
  • Calle, F
  • Tijero, JMG
  • SanchezRojas, JL
  • Beaumont, B
  • Lorenzini, P
  • Gibart, P
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Physical Review b (p. 4689-4694) - 1/1/1997

10.1103/physrevb.55.4689 Ver en origen

  • ISSN 01631829

Yellow band and deep levels in undoped MOVPE GaN.

  • Sanchez, FJ
  • Basak, D
  • SanchezGarcia, MA
  • Calleja, E
  • Munoz, E
  • Izpura, I
  • Calle, F
  • Tijero, JMG
  • Beaumont, B
  • Lorenzini, P
  • Gibart, P
  • Cheng, TS
  • Foxon, CT
  • Orton, JW
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M R S Internet Journal Of Nitride Semiconductor Research: (Materials Research Society) (p. U53-U58) - 1/1/1996

10.1557/s1092578300001794 Ver en origen

  • ISSN 10925783

XPS study of Au/GaN and Pt/GaN contacts

  • Sporken R
  • Silien C
  • Malengreau F
  • Grigorov K
  • Caudano R
  • Sánchez F
  • Calleja E
  • Muñoz E
  • Beaumont B
  • Gibart P
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M R S Internet Journal Of Nitride Semiconductor Research: (Materials Research Society) - 1/1/1997

10.1557/s1092578300001496 Ver en origen

  • ISSN 10925783

Wurtzite GaN nanocolumns grown on Si(001) by molecular beam epitaxy

  • Lazic, Snezana
  • Calleja Pardo, Jose Manuel
  • Cerutti, L
  • Ristic, J
  • Fernandez-Garrido, S
  • Calleja, E
  • Trampert, A
  • Ploog, K H
  • Calleja, J M
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Applied Physics Letters - 21/5/2006

10.1063/1.2204836 Ver en origen

  • ISSN 00036951

Wet etching of GaN grown by molecular beam epitaxy on Si(111)

  • Palacios, T.
  • Calle, F.
  • Varela, M.
  • Ballesteros, C.
  • Monroy, E.
  • Naranjo, F.B.
  • Sánchez-García, M.A.
  • Calleja, E.
  • Muñoz, E.
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Semiconductor Science And Technology (p. 996-1000) - 1/10/2000

Editor: IOP

10.1088/0268-1242/15/10/312 Ver en origen

  • ISSN 13616641
  • ISSN/ISBN 0268-1242

Voltage-tunable two-colour quantum well infrared detector with Al-graded triangular confinement barriers

  • Guzmán, A
  • Sánchez-Rojas, JL
  • Tijero, JMG
  • Hernando, J
  • Calleja, E
  • Muñoz, E
  • Vergara, G
  • Almazán, R
  • Sánchez, FJ
  • Verdú, M
  • Montojo, MT
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Semiconductor Science And Technology (p. 285-288) - 1/1/2001

10.1088/0268-1242/16/5/301 Ver en origen

  • ISSN 13616641

Violet GaN based light emitting diodes fabricated by metal organics vapour phase epitaxy

  • Beaumont B
  • Haffouz S
  • Gibart P
  • Leroux M
  • Lorenzini P
  • Calleja E
  • Muñoz E
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Materials Science And Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials (p. 296-301) - 18/12/1997

10.1016/s0921-5107(97)00193-1 Ver en origen

  • ISSN 09215107

Unvealing GaN Polytypism in Distributed GaN/InAlN Bragg Reflectors Through HRTEM Image Simulation

  • Lopez-Conesa, Lluis
  • Antonio Perez-Omil, Jose
  • Gacevic, Zarko
  • Calleja, Enrique
  • Estrade, Sonia
  • Peiro, Francesca;

Physica Status Solidi A-Applications And Materials Science - 10/10/2018

10.1002/pssa.201800218 Ver en origen

  • ISSN 00318965

Este/a investigador/a no tiene libros.

TEM study of (Ga, AI)N nanocolumns and embedded GaN nanodiscs

  • Trampert A
  • Ristic J
  • Jahn U
  • Calleja E
  • Ploog K

Microscopy Of Semiconducting Materials 2003 (p. 167-170) - 1/1/2018

10.1201/9781351074636 Ver en origen

Ga(in)N nanowires grown by molecular beam epitaxy: From quantum light emitters to nanotransistors

  • Gačević Ž
  • Calleja E

Novel Compound Semiconductor Nanowires: Materials, Devices, And Applications (p. 319-364) - 1/1/2017

10.1201/9781315364407 Ver en origen

Electrochemical capacitance voltage profiling of transition from surface electron depletion to accumulation with increasing In-content in InGaN alloys

  • W.M. Linhart
  • J. Pereiro
  • J. Grandal
  • et al
  • AR. Stacel
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel
  • Muñoz Merino, Elías
  • Calleja Pardo, Enrique
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Proceedings (p. 0-0) - 9/5/2011

  • iMarina

Electrical characterization of single GaN/InGaN nanorods grown by selective-area MBE

  • Sanchez Garcia, Miguel Angel
  • Calleja Pardo, Enrique

Proceedings (p. 0-3) - 14/10/2012

  • iMarina

Efficient phosphor-free, white light emission from ordered

  • Sanchez Garcia, Miguel Angel
  • Calleja Pardo, Enrique

Proceedings (p. 0-0) - 18/11/2011

  • iMarina

EELS-HAADF spectrum imaging for characterization of (AlGa)N multilayer heterostructures

  • S. Fernández-Garrido
  • L López-Conesa
  • et al
  • A Eljarrat
  • Gacevic, Zarko
  • Calleja Pardo, Enrique

Proceedings (p. 0-3) - 10/9/2012

  • iMarina

EELS-HAADF combination for characterization of a new AlN/GaN DBRs growth method

  • S Fernández-Garrido
  • L López-Conesa
  • et al
  • A Eljarrat
  • Gacevic, Zarko
  • Calleja Pardo, Enrique

Proceedings (p. 0-3) - 16/9/2012

  • iMarina

E. SILLERO, O.A. WILLIAMS, V. LEBEDEV, V. CIMALLA, C. C. RÖHLIG, C. E. NEBEL, F. CALLE "Nanocrystalline diamond microelectromechanical resonators" 33rd Workshop on Compound Semiconductors and Integrated Circuits, WOCSDICE 2009. Malaga (Spain), 2009

  • Calleja Pardo, Enrique

"Nanocrystalline Diamond Microelectromechanical Resonators" (p. 0-0) - 17/5/2009

  • iMarina

E. Calleja "Self-assembled MBE growth of III-Nitride Nanocolumnar Heterostructures on Si substrates" European Materials Research Society Meeting (E-MRS) 2007 Estrasburgo (Francia) 28 de mayo al 1 Junio de 2007

  • Calleja Pardo, Enrique

23/5/2007

  • iMarina

E. CALLEJA ET AL. "Recent Results on III-Nitride Nanorods and Inn Qws: Growth Mechanisms, Basics And Devices" United Kingdom Nitride Consortium Annual Meeting University of Oxford (England), 2009

  • Calleja Pardo, Enrique

"Recent Results On Iii-Nitride Nanorods And Inn Qws: Growth Mechanisms, Basics And Devices" (p. 0-0) - 7/1/2009

  • iMarina

E. CALLEJA ET AL. "Modulating and Probing Surface States In Single Inn And Ingan Nanorods" 2009 MRS Spring Meeting San Francisco (USA), 2009

  • Calleja Pardo, Enrique

"Modulating And Probing Surface States In Single Inn And Ingan Nanorods" (p. 0-0) - 3/4/2009

  • iMarina

E. CALLEJA ET AL. "Inn/Ingan Multiple Quantum Wells Emitting At 1.5 µm" 15th European Molecular Beam Epitaxy Workshop Zakopane (Poland), 2009

  • Calleja Pardo, Enrique

"Inn/Ingan Multiple Quantum Wells Emitting At 1.5 µM" (p. 0-0) - 8/3/2009

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.

Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.

Towards p-type conductivity in In0.5Ga0.5N nanocolumns on a Si (100) substrate with GaN buffer layers

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • XIE, MENGYAO (Becario/a)
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)

Ejecución: 15-06-2015 - 14-06-2017

Tipo: Internacional

Importe financiado: 170121,60 Euros.

  • iMarina

Substrate nanopatterning by e-beam lithography to growth ordered arrays of III-Nitride nanodetectors: application to IR detectors, emitters, and new Solar Cells

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)

Ejecución: 01-01-2011 - 31-12-2012

Tipo: Internacional

Importe financiado: 153917,00 Euros.

  • iMarina

Smart nanostructured semiconductors for energy saving light solutions

  • FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • GRANDAL QUINTANA, JAVIER (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
  • PRIETO MARTIN, JOSE LUIS (Participante)
  • PADILLA GONZALEZ, ISIDORO (Participante)
  • Gacevic, Zarko (Participante)
  • Martínez Rodrigo, Javier (Participante)
  • Notzel, Richard (Participante)
  • Calle Gómez, Fernando (Participante)
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Ejecución: 01-09-2009 - 31-08-2012

Tipo: Internacional

Importe financiado: 800650,00 Euros.

  • iMarina

Nanohilos basados en GaN para sistemas de información cuántica y circuitos digitales

  • FERNANDO SAAVEDRA, AMALIA LUISA (Participante)
  • HERRANZ FEITO, MIGUEL (Investigador/a)
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Investigador principal (IP))
  • FOTEINOPOULOU, AIKATERINI (Participante)
  • Gacevic, Zarko (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Participante)
  • KARAGIANNIS, NIKOLAOS (Participante)
  • LASO CARBAJO, MANUEL (Participante)
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Ejecución: 01-01-2019 - 31-07-2022

Tipo: Nacional

Importe financiado: 193963,00 Euros.

  • iMarina

Nanoestructuras de semiconductores como componentes par ala información cuántica

  • Enrique Calleja Pardo (Investigador principal (IP))
  • MONTES BAJO, MIGUEL (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2006 - 01-01-2009

  • iMarina

Nanoestructura de Semiconductores como Componentes para La Información Cuántica

  • FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Participante)
  • GRACIA VERANO, VICTOR (Investigador principal (IP))
  • CERUTTI CERUTTI, LAURENT (Investigador principal (IP))
  • RISTIC RISTIC, JELENA (Investigador principal (IP))
  • SANZ MONASTERIO, MIKEL (Investigador principal (IP))
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
  • MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
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Ejecución: 01-12-2005 - 01-01-2010

Tipo: Regional

  • iMarina

Materiales y dispositivos optoelectrónicos basados en nitruros del grupo- III

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))

Ejecución: 19-12-2019 - 31-12-2021

  • iMarina

Instalación/Actuación: Central de Tecnología del ISOM

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))

Ejecución: 13-11-2008 - 15-10-2009

Tipo: Nacional

  • iMarina

InDaN and AIGaN semi-polar and non-polar pseudo-substrates made by Molecular Beam Epitaxy by ordered coalescence of nanocrystals

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-01-2018 - 15-09-2022

  • iMarina

High quality and intrinsic Properties of InN and indium rich Nitride Alloys

  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Investigador principal (IP))
  • Calle Gómez, Fernando (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Participante)

Ejecución: 01-10-2008 - 30-09-2012

Tipo: Internacional

Importe financiado: 388526,00 Euros.

  • iMarina

nxGa1-xN layers, nanowires, and nanodots on Silicon for clean energy applications

  • Calleja Pardo, Enrique (Director)
  • Gacevic, Zarko (Director) Doctorando: Aseev, Pavel

1/1/2017

  • iMarina

Investigations on III-nitrides nanostructures: application to renewable energies and bio-sensing

  • Calleja Pardo, Enrique (Director)
  • Gacevic, Zarko (Director) Doctorando: Soto Rodriguez, Paul Eduardo David

1/1/2016

  • iMarina

Growth and characterization of group-iii nitride nanocolumnar structures - crecimiento y caracterización de estructuras nanocolumnares de nitruros dle grupo iii

  • Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Jelena Ristic

1/1/2006

  • iMarina

Growth and characterization of gan/aln non-polar pseudo-substrates

  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: Fernando Saavedra, Amalia Luisa

1/1/2021

  • iMarina

Fabricación, caracterización y aplicaciones de detectores de UV basados en AlGaN.

  • Muñoz Merino, Elías (Director)
  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: PAU VIZCAINO, José Luis

1/1/2003

  • iMarina

Espejos de Braga de AlGaN/GaN crecidos por Epitaxia de Haces Moleculares para Dispositivos Optoelectrónicos de Cavidad Resonante

  • Enrique Calleja Pardo (Director)
  • Fernando Calle Gómez (Director) Doctorando: Fernández Ruano, Susana María

1/1/2004

  • iMarina

Crecimiento, fabricación y caracterización de diodos electroluminiscentes basados en pozos cuánticos de InGaN

  • Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Fernando Bernabé Naranjo Vega

1/6/2003

  • iMarina

Crecimiento y fabricación de transistores HEMT de AlGaN/GaN por epitaxia de haces moleculares

  • Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Ana Jimenez Martín

1/1/2003

  • iMarina

Crecimiento y caracterización de nitruros del grupo III sobre Si (111) por epitaxia de haces moleculares.

  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: SANCHEZ GARCIA, Miguel Angel

1/1/2000

  • iMarina

Crecimiento y caracterización de estructuras nanocolumnares de nitruros DLE grupo III.

  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: RISTIC, Jelena

1/1/2006

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.

Última actualización de los datos: 24/04/24 13:12