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Perfil en el portal institucional

Calleja Pardo, Enrique enrique.calleja@upm.es

INGENIERÍA ELECTRÓNICA / Universidad Politécnica de Madrid

Actividades

Dynamic control of the optical emission from GaN/InGaN nanowire quantum dots by surface acoustic waves

  • Lazic, S.
  • Chernysheva, E.
  • Gacevic, Z.
  • van der Meulen, H. P.
  • Calleja, E.
  • Calleja Pardo, J. M.;

Aip Advances - 1/9/2015

10.1063/1.4932147 Ver en origen

  • ISSN 21583226

Effect of different buffer layers on the quality of InGaN layers grown on Si

  • Gómez, V.J.
  • Grandal, J.
  • Núñez-Cascajero, A.
  • Naranjo, F.B.
  • Varela, M.
  • Sánchez-García, M.A.
  • Calleja, E.
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Aip Advances - 1/10/2018

Editor: American Institute of Physics Inc.

10.1063/1.5046756 Ver en origen

  • ISSN 21583226
  • ISSN/ISBN 2158-3226

Influence of DX centers on HEMT performance

  • Munoz E
  • Calleja E
  • Garcia F
  • Izpura I
  • Rojas J

Alta Frequenza Rivista Di Elettronica (p. 3-11) - 1/3/1993

  • ISSN 11201908
  • iMarina

Electron tomography of (In,Ga)N insertions in GaN nanocolumns grown on semi-polar (11(2)over-bar2) GaN templates

  • Niehle, M.
  • Trampert, A.
  • Albert, S.
  • Bengoechea-Encabo, A.
  • Calleja, E.;

Apl Materials - 1/3/2015

10.1063/1.4914102 Ver en origen

  • ISSN 2166532X

GaN-based solar-ultraviolet detection instrument

  • Monroy, E
  • Calle, F
  • Angulo, C
  • Vila, P
  • Sanz, A
  • Garrido, JA
  • Calleja, E
  • Munoz, E
  • Haffouz, S
  • Beaumont, B
  • Omnes, F
  • Gibart, P
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Applied Optics (p. 5058-5062) - 1/8/1998

10.1364/ao.37.005058 Ver en origen

  • ISSN 00036935

First Demonstration of Direct Growth of Planar High-In-Composition InGaN Layers on Si

  • Kumar, Praveen
  • Soto Rodriguez, Paul E. D.
  • Gomez, Victor J.
  • Alvi, Naveed H.
  • Calleja, Enrique
  • Noetzel, Richard;

Applied Physics Express - 1/3/2013

10.7567/apex.6.035501 Ver en origen

  • ISSN 18820778

Uniform Low-to-High In Composition InGaN Layers Grown on Si

  • Aseev, Pavel
  • Soto Rodriguez, Paul E. D.
  • Kumar, Praveen
  • Gomez, Victor J.
  • Alvi, Naveed ul Hassan
  • Manuel, Jose M.
  • Morales, Francisco M.
  • Jimenez, Juan J.
  • Garcia, Rafael
  • Calleja, Enrique
  • Noetzel, Richard;
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Applied Physics Express - 1/11/2013

10.7567/apex.6.115503 Ver en origen

  • ISSN 18820778

A top-gate GaN nanowire metal-semiconductor field effect transistor with improved channel electrostatic control

  • Ž Ga?evi?
  • D López-Romero
  • T Juan Mangas
  • E Calleja

Applied Physics Letters (p. 033101-033101) - 18/1/2016

10.1063/1.4940197 Ver en origen

  • ISSN 00036951

Near-infrared emitting In-rich InGaN layers grown directly on Si: Towards the whole composition range

  • Aseev, Pavel
  • Soto Rodriguez, Paul E. D.
  • Gomez, Victor J.
  • Alvi, Naveed ul Hassan
  • Manuel, Jose M.
  • Morales, Francisco M.
  • Jimenez, Juan J.
  • Garcia, Rafael
  • Senichev, Alexander
  • Lienau, Christoph
  • Calleja, Enrique
  • Noetzel, Richard;
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Applied Physics Letters - 16/2/2015

10.1063/1.4909515 Ver en origen

  • ISSN 00036951

Improving optical performance of GaN nanowires grown by selective area growth homoepitaxy: Influence of substrate and nanowire dimensions

  • Aseev, P.
  • Gacevic, Z.
  • Torres-Pardo, A.
  • Gonzalez-Calbet, J. M.
  • Calleja, E.;

Applied Physics Letters - 20/6/2016

10.1063/1.4954742 Ver en origen

  • ISSN 00036951

Este/a investigador/a no tiene libros.

TEM study of (Ga, AI)N nanocolumns and embedded GaN nanodiscs

  • Trampert A
  • Ristic J
  • Jahn U
  • Calleja E
  • Ploog K

Microscopy Of Semiconducting Materials 2003 (p. 167-170) - 1/1/2018

10.1201/9781351074636 Ver en origen

Ga(in)N nanowires grown by molecular beam epitaxy: From quantum light emitters to nanotransistors

  • Gačević Ž
  • Calleja E

Novel Compound Semiconductor Nanowires: Materials, Devices, And Applications (p. 319-364) - 1/1/2017

10.1201/9781315364407 Ver en origen

AlGaN-based photodetectors for solar UV applications

  • Calle Gómez, Fernando

Proceedings Of Spie - The International Society For Optical Engineering (p. 200-210) - 1/1/1999

10.1117/12.344557 Ver en origen

  • ISSN 0277786X

Solar-blind AlGaN-based UV photodetectors grown on Si (111) substrates

  • Pau J
  • Muñoz E
  • Sánchez M
  • Calleja E

Proceedings Of Spie - The International Society For Optical Engineering (p. 104-110) - 1/1/2002

10.1117/12.467653 Ver en origen

  • ISSN 0277786X

Potential of remote sensing techniques to improve the agriculture water footprint assessment and the virtual water trade accounting

  • Toulios L
  • Romaguera M
  • Calleja E
  • Stancalie G
  • Nertan A
  • Struzik P
  • Marta A
  • Alfonso A
  • Dunkel Z
  • Nunes J
  • Vuolo F
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Proceedings Of Spie - The International Society For Optical Engineering - 16/9/2013

10.1117/12.2027568 Ver en origen

  • ISSN 0277786X

Selective Area Growth of III- Nitride Nanorods on polar, semi-polar and non-polar orientations: Device applications

  • Albert, S
  • Bengoechea-Encabo, A
  • Lopez-Romero, D
  • de Mierry, P
  • Zuñiga-Perez, J
  • Kong, X
  • Trampert, A
  • Sanchez-García, MA
  • Calleja, E
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Proceedings Of Spie--The International Society For Optical Engineering (p. 0-3) - 7/2/2015

10.1117/12.2085079 Ver en origen

  • ISSN 0277786X

Non-uniform strain relaxation in InxGa1-xAs layers

  • Alvarez, AL
  • Calle, F
  • Sacedon, A
  • Calleja, E
  • Munoz, E
  • Garcia, R
  • Gonzalez, L
  • Gonzalez, Y
  • Colson, HG
  • Kidd, P
  • Beanland, R
  • Goodhew, P
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Solid-State Electronics (p. 647-651) - 1/1/1996

10.1016/0038-1101(95)00380-0 Ver en origen

  • ISSN 00381101

STEM-HAADF-EELS and HRTEM assessment of cubic-hexagonal transitions and In-enrichment in InAlN/GaN Bragg reflectors grown by plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy

  • S. Estradé
  • S. Fernández Garrido
  • S. Conesa
  • J.M. Rebled
  • D. Hosseini
  • C. Magen
  • Gacevic, Zarko
  • Calleja Pardo, Enrique
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Stem-Haadf-Eels And Hrtem Assessment Of Cubic-Hexagonal Transitions And In-Enrichment In Inaln/Gan Bragg Reflectors Grown By Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy (p. 0-0) - 4/4/2011

  • iMarina

The influence of the Ga content on the N incorporation in InAsN and GaInNAs Quantum Dots 7th International Workshop on Epitaxial Semiconductors on Patterned Substrates and Novel Index Surfaces (ESPS-NIS), Les Arcenaulx, Marseille (Francia), 2008

  • M. Hopkinson
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
  • HIERRO CANO, ADRIAN
  • Calleja Pardo, Enrique

The Influence Of The Ga Content On The N Incorporation In Inasn And Gainnas Quantum Dots 7th International Workshop On Epitaxial (p. 0-0) - 13/10/2008

  • iMarina

Time-resolved photoluminescence of GaN nanocolumns grown by molecular beam epitaxy on Si Int. Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2008) Montreux (Suiza), 2008

  • P. Lefebvre
  • P. CORFDIR
  • J. Ristic
  • J-D GANIERE
  • E. CALLEJA
  • B. DEVEAUD-PLEDRAN
  • Calleja Pardo, Enrique
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Time-Resolved Photoluminescence Of Gan Nanocolumns Grown By Molecular Beam Epitaxy On Si (p. 0-0) - 6/10/2008

  • iMarina

Tomography of multilayered materials for optoelectronic applications

  • S. Estradé
  • S. Bals
  • S. Fernández-Garrido
  • Ll. Yedra
  • JM Rebled
  • H. Heidari
  • F. Peiró
  • B. Goris
  • Gacevic, Zarko
  • Calleja Pardo, Enrique
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Tomography Of Multilayered Materials For Optoelectronic Applications (p. 0-0) - 28/11/2011

  • iMarina

Transmission Electron Microscopy and Electron Energy Loss Spectroscopy investigations of InAlN/GaN Bragg reflectors grown by plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy

  • S. Estrada
  • S Fernández-Garrido
  • F. Peiró
  • D. Hosseini
  • Gacevic, Zarko
  • Calleja Pardo, Enrique

Transmission Electron Microscopy And Electron Energy Loss Spectroscopy Investigations Of Inaln/Gan Bragg Reflectors Grown By Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy (p. 0-0) - 9/2/2011

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.

Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.

A. Develop process to make full visible spectrum display emitter layer using nanocolumns. B. Develop process to make UVA emitting arrays using nanocolumns

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Investigador principal (IP))

Ejecución: 06-10-2020 - 03-11-2021

  • iMarina

Materiales y dispositivos optoelectrónicos basados en nitruros del grupo- III

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))

Ejecución: 19-12-2019 - 31-12-2021

  • iMarina

Nanohilos basados en GaN para sistemas de información cuántica y circuitos digitales

  • FERNANDO SAAVEDRA, AMALIA LUISA (Participante)
  • HERRANZ FEITO, MIGUEL (Investigador/a)
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Investigador principal (IP))
  • FOTEINOPOULOU, AIKATERINI (Participante)
  • Gacevic, Zarko (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Participante)
  • KARAGIANNIS, NIKOLAOS (Participante)
  • LASO CARBAJO, MANUEL (Participante)
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Ejecución: 01-01-2019 - 31-07-2022

Tipo: Nacional

Importe financiado: 193963,00 Euros.

  • iMarina

GaN-based nanowires as building blocks for quantum information systems and digital electronic circuits (RTI2018-097338-B-I00)

  • FOTEINOPOULOU, AIKATERINI (Investigador/a)
  • Miguel Angel Sanchez Garcia
  • Manuel Laso Carbajo
  • Enrique Calleja Pardo
  • Nikos Karayiannis
  • Zarko Gacevic
  • Aikaterini Foteinopoulou (Investigador principal (IP))
  • KARAGIANNIS, NIKOLAOS (Investigador/a)
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Ejecución: 01-01-2019 - 31-12-2021

Tipo: Nacional

Importe financiado: 160300,00 Euros.

  • iMarina

InDaN and AIGaN semi-polar and non-polar pseudo-substrates made by Molecular Beam Epitaxy by ordered coalescence of nanocrystals

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-01-2018 - 15-09-2022

  • iMarina

Crecimiento por Epitaxia de Haces Moleculares de capas finas y nanoestructuras ordenadas de InGaN para dispositivos fotovoltaicos, sensores y generadores de hidrógeno

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
  • Gacevic, Zarko (Participante)
  • COBOS ARRIBAS, PEDRO (Participante)

Ejecución: 01-01-2016 - 31-12-2018

Tipo: Nacional

Importe financiado: 204490,00 Euros.

  • iMarina

Towards p-type conductivity in In0.5Ga0.5N nanocolumns on a Si (100) substrate with GaN buffer layers

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • XIE, MENGYAO (Becario/a)
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)

Ejecución: 15-06-2015 - 14-06-2017

Tipo: Internacional

Importe financiado: 170121,60 Euros.

  • iMarina

Extensión de medida de catodoluminiscencia(CL) al rango infrarrojo en microcospio de barrido electrónico FESEM

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)

Ejecución: 01-01-2013 - 31-12-2015

Tipo: Nacional

  • iMarina

ADECUACIÓN DE UN REACTOR DE EPITAXIA DE HACES MOLECULARES (MBE) PARA EL CRECIMIENTO EPITAXIAL DE NANOESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)

Ejecución: 01-01-2013 - 31-12-2015

Tipo: Nacional

Importe financiado: 22105,00 Euros.

  • iMarina

3D GaN for High Efficiency Solid State Lighting

  • Bengoechea Encabo, Ana Mª (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
  • Martínez Rodrigo, Javier (Participante)
  • Gacevic, Zarko (Participante)

Ejecución: 01-04-2012 - 31-03-2015

Tipo: Internacional

Importe financiado: 552079,00 Euros.

  • iMarina

Growth and characterization of gan/aln non-polar pseudo-substrates

  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: Fernando Saavedra, Amalia Luisa

1/1/2021

  • iMarina

nxGa1-xN layers, nanowires, and nanodots on Silicon for clean energy applications

  • Calleja Pardo, Enrique (Director)
  • Gacevic, Zarko (Director) Doctorando: Aseev, Pavel

1/1/2017

  • iMarina

Investigations on III-nitrides nanostructures: application to renewable energies and bio-sensing

  • Calleja Pardo, Enrique (Director)
  • Gacevic, Zarko (Director) Doctorando: Soto Rodriguez, Paul Eduardo David

1/1/2016

  • iMarina

Constituent blocks of planar III - nitride microcavities grown by molecular beam epitaxy

  • Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Zarko Gacevic

1/1/2012

  • iMarina

Crecimiento de nitruros del grupo III por epitaxia de haces moleculares para la fabricación de diodos electroluminiscentes en el rango visible-ultravioleta

  • Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Sergio Fernández Garrido

1/1/2009

  • iMarina

Crecimiento y caracterización de estructuras nanocolumnares de nitruros DLE grupo III.

  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: RISTIC, Jelena

1/1/2006

  • iMarina

Growth and characterization of group-iii nitride nanocolumnar structures - crecimiento y caracterización de estructuras nanocolumnares de nitruros dle grupo iii

  • Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Jelena Ristic

1/1/2006

  • iMarina

Espejos de Braga de AlGaN/GaN crecidos por Epitaxia de Haces Moleculares para Dispositivos Optoelectrónicos de Cavidad Resonante

  • Enrique Calleja Pardo (Director)
  • Fernando Calle Gómez (Director) Doctorando: Fernández Ruano, Susana María

1/1/2004

  • iMarina

Crecimiento, fabricación y caracterización de diodos electroluminiscentes basados en pozos cuánticos de InGaN

  • Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Fernando Bernabé Naranjo Vega

1/6/2003

  • iMarina

Fabricación, caracterización y aplicaciones de detectores de UV basados en AlGaN.

  • Muñoz Merino, Elías (Director)
  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: PAU VIZCAINO, José Luis

1/1/2003

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.

Última actualización de los datos: 24/04/24 13:12