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Perfil en el portal institucional

Calleja Pardo, Enrique enrique.calleja@upm.es

INGENIERÍA ELECTRÓNICA / Universidad Politécnica de Madrid

Actividades

Influence of the surface morphology on the relaxation of low-strained InxGa1-xAs linear buffer structures

  • Valtuena, JF
  • Sacedon, A
  • Alvarez, AL
  • Izpura, I
  • Calle, F
  • Calleja, E
  • MacPherson, G
  • Goodhew, PJ
  • Pacheco, FJ
  • Garcia, R
  • Molina, SI;
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Journal Of Crystal Growth (p. 281-291) - 1/1/1997

10.1016/s0022-0248(97)00377-1 Ver en origen

  • ISSN 00220248

Influence of steering effects on strain detection in AlGaInN/GaN heterostructures by ion channelling

  • Redondo-Cubero A
  • Lorenz K
  • Franco N
  • Fernndez-Garrido S
  • Gago R
  • Smulders P
  • Mũoz E
  • Calleja E
  • Alves E
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Journal Of Physics D-Applied Physics - 9/4/2009

10.1088/0022-3727/42/6/065420 Ver en origen

  • ISSN 00223727

Influence of interface dislocations on surface kinetics during epitaxial growth of InGaAs

  • Alvarez, AL
  • Calle, F
  • Valtuena, JF
  • Faura, J
  • Sanchez, MA
  • Calleja, E
  • Munoz, E
  • Morante, JR
  • Gonzalez, D
  • Araujo, D
  • Roja, RG;
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Applied Surface Science (p. 303-307) - 1/1/1998

10.1016/s0169-4332(97)00483-2 Ver en origen

  • ISSN 01694332

Influence of composition, strain, and electric field anisotropy on different emission colors and recombination dynamics from InGaN nanodisks in pencil-like GaN nanowires

  • Gacevic, Z.
  • Vukmirovic, N.
  • Garcia-Lepetit, N.
  • Torres-Pardo, A.
  • Mueller, M.
  • Metzner, S.
  • Albert, S.
  • Bengoechea-Encabo, A.
  • Bertram, F.
  • Veit, P.
  • Christen, J.
  • Gonzalez-Calbet, J. M.
  • Calleja, E.;
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Physical Review b - 30/3/2016

10.1103/physrevb.93.125436 Ver en origen

  • ISSN 01631829

Influence of Si doping on the subgrain structure of GaN grown on AlN/Si(111)

  • Molina, SI
  • Sanchez, AM
  • Pacheco, FJ
  • Garcia, R
  • Sanchez-Garcia, MA
  • Calleja, E

Physica Status Solidi A-Applications And Materials Science (p. 401-406) - 1/1/1999

10.1002/(sici)1521-396x(199911)176:1<401::aid-pssa401>3.3.co;2-4 Ver en origen

  • ISSN 00318965

Influence of DX centers on HEMT performance

  • Munoz E
  • Calleja E
  • Garcia F
  • Izpura I
  • Rojas J

Alta Frequenza Rivista Di Elettronica (p. 3-11) - 1/3/1993

  • ISSN 11201908
  • iMarina

Inelastic tunneling in AlAs-GaAs-AlAs heterostructures

  • Mendez E
  • Calleja E
  • Wang W

Applied Physics Letters (p. 977-979) - 1/12/1988

10.1063/1.100046 Ver en origen

  • ISSN 00036951

Inelastic light scattering spectroscopy of semiconductor nitride nanocolumns

  • Calleja, JM
  • Lazic, S
  • Sanchez-Páramo, J
  • Agulló-Rueda, F
  • Cerutti, L
  • Ristic, J
  • Fernández-Garrido, S
  • Sánchez-Garcia, MA
  • Grandal, J
  • Calleja, E
  • Trampert, A
  • Jahn, U
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Physica Status Solidi B-Basic Solid State Physics (p. 2838-2846) - 1/8/2007

10.1002/pssb.200675610 Ver en origen

  • ISSN 15213951

Incorporation of Be into In x Ga 1-x As (0.004≤x≤0.17) studied by photoluminescence and resonant Raman spectroscopy of local vibrational modes

  • Alvarez A
  • Wagner J
  • Calle F
  • Maier M
  • Gutierrez G
  • Sacedon A
  • Calleja E
  • Munoz E
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Materials Science Forum (p. 241-246) - 1/12/1994

10.4028/www.scientific.net/msf.143-147.241 Ver en origen

  • ISSN 02555476

InN/InGaN multiple quantum wells emitting at 1.5 mu m grown by molecular beam epitaxy

  • Grandal, J
  • Pereiro, J
  • Bengoechea-Encabo, A
  • Fernández-Garrido, S
  • Sánchez-García, MA
  • Muñoz, E
  • Calleja, E
  • Luna, E
  • Trampert, A
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Applied Physics Letters - 7/2/2011

10.1063/1.3552195 Ver en origen

  • ISSN 00036951

Este/a investigador/a no tiene libros.

TEM study of (Ga, AI)N nanocolumns and embedded GaN nanodiscs

  • Trampert A
  • Ristic J
  • Jahn U
  • Calleja E
  • Ploog K

Microscopy Of Semiconducting Materials 2003 (p. 167-170) - 1/1/2018

10.1201/9781351074636 Ver en origen

Ga(in)N nanowires grown by molecular beam epitaxy: From quantum light emitters to nanotransistors

  • Gačević Ž
  • Calleja E

Novel Compound Semiconductor Nanowires: Materials, Devices, And Applications (p. 319-364) - 1/1/2017

10.1201/9781315364407 Ver en origen

Z. Gacevic, S. Fernández-Garrido, E. Calleja, D. Hosseini, S. Estrade and F. Peiró "Structural properties of InAlN single layers nearly latice-matched to GaN grown by plasma assisted molecular beal epitaxy"

  • S. Fernández-Garrido
  • S. Estradé
  • F. Peiró
  • D. Hosseini
  • Gacevic, Zarko
  • Calleja Pardo, Enrique

"Structural Properties Of Inaln Single Layers Nearly Latice-Matched To Gan Grown By Plasma Assisted Molecular Beal Epitaxy" (p. 0-0) - 20/3/2011

  • iMarina

Z. Gacevic, P. Lefebvre, F. Bertram, G. Schmidt, P. Veit, J. Christen, and E. Calleja "Growth and characterization of InGaN/GaN quantum dots for violet/blue applications"

  • P. Lefebvre
  • P. Veit
  • J. Christen
  • G. Schmidt
  • F. Bertram
  • Gacevic, Zarko
  • Calleja Pardo, Enrique
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Growth And Characterization Of Ingan/Gan Quantum Dots For Violet/Blue Applications (p. 0-0) - 10/7/2012

  • iMarina

Z. GACEVIC, S. FERNÁNDEZ-GARRIDO, E. CALLEJA, E.LUNA, A. TRAMPERT "Growth and characterization of lattice-matched InAlN/GaN Bragg reflectors grown by plasma assisted molecular beam epitaxy" 15th European Molecular Beam Epitaxy Workshop Zakopane (Poland

  • Gacevic, Zarko
  • Calleja Pardo, Enrique

"Growth And Characterization Of Lattice-Matched Inaln/Gan Bragg Reflectors Grown By Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy" (p. 0-0) - 8/3/2009

  • iMarina

Z. GACEVIC, S. FERNÁNDEZ-GARRIDO, E. CALLEJA "New approach to grow high reflectivity Al(Ga)N bragg reflectors by plasma-assited molecular beam epitaxy" 8th International Conference on Nitride Semiconductors Jeju (Korea), 2009

  • Gacevic, Zarko
  • Calleja Pardo, Enrique

"New Approach To Grow High Reflectivity Al(Ga)N Bragg Reflectors By Plasma-Assited Molecular Beam Epitaxy" (p. 0-0) - 18/10/2009

  • iMarina

Z. GACEVIC, S. FERNÁNDEZ-GARRIDO, E. CALLEJA "Current status and further challenge in MBE growth of lattice-matched InAlN/GaN Bragg reflectors" 8th International Conference on Nitride Semiconductors Jeju (Korea), 2009

  • Gacevic, Zarko
  • Calleja Pardo, Enrique

"Current Status And Further Challenge In Mbe Growth Of Lattice-Matched Inaln/Gan Bragg Reflectors" (p. 0-0) - 18/5/2009

  • iMarina

XRD analysis of InGaN uniform layers grown on Si (111) without any buffer layers and on Sapphire

  • Aseev, Pavel
  • SOTO RODRIGUEZ, PAUL
  • Notzel, Richard
  • Gacevic, Zarko
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel
  • Calleja Pardo, Enrique

Proceedings (p. 0-3) - 24/8/2014

  • iMarina

Visible and solar-blind AlGaN metal-semiconductor-metal photodetectors grown on Si(111) substrates

  • Pau, JL
  • Muñoz, E
  • Sánchez-García, MA
  • Calleja, E

Physica Status Solidi A-Applications And Materials Science (p. 314-319) - 1/1/2002

10.1002/1521-396x(200208)192:2&lt;314::aid-pssa314&gt;3.0.co;2-y Ver en origen

  • ISSN 00318965

Valence EELS analysis of multiple InGaN-QW structure for electronic properties

  • S. Estradé
  • N. García-Lepetit
  • L. López-Conesa
  • Francesca Peiró
  • C. Magen
  • A. Eljarrat
  • Gacevic, Zarko
  • Calleja Pardo, Enrique
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Proceedings (p. 0-3) - 11/2/2015

  • iMarina

Understanding the selective area nucleation and growth of GaN Nanocolumns by MBE using Ti nanomasks

  • et al
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel
  • Calleja Pardo, Enrique

Proceedings (p. 0-0) - 2/11/2011

  • iMarina

Understanding of the nucleation and growth of ordered GaN nanocolumns by MBE on GaN

  • S. Fernández-Garrido
  • J. Ristic
  • J. Grandal
  • Calleja Pardo, Enrique

Proceedings (p. 0-0) - 4/4/2012

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.

Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.

Towards p-type conductivity in In0.5Ga0.5N nanocolumns on a Si (100) substrate with GaN buffer layers

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • XIE, MENGYAO (Becario/a)
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)

Ejecución: 15-06-2015 - 14-06-2017

Tipo: Internacional

Importe financiado: 170121,60 Euros.

  • iMarina

Substrate nanopatterning by e-beam lithography to growth ordered arrays of III-Nitride nanodetectors: application to IR detectors, emitters, and new Solar Cells

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)

Ejecución: 01-01-2011 - 31-12-2012

Tipo: Internacional

Importe financiado: 153917,00 Euros.

  • iMarina

Smart nanostructured semiconductors for energy saving light solutions

  • FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • GRANDAL QUINTANA, JAVIER (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
  • PRIETO MARTIN, JOSE LUIS (Participante)
  • PADILLA GONZALEZ, ISIDORO (Participante)
  • Gacevic, Zarko (Participante)
  • Martínez Rodrigo, Javier (Participante)
  • Notzel, Richard (Participante)
  • Calle Gómez, Fernando (Participante)
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Ejecución: 01-09-2009 - 31-08-2012

Tipo: Internacional

Importe financiado: 800650,00 Euros.

  • iMarina

Nanohilos basados en GaN para sistemas de información cuántica y circuitos digitales

  • FERNANDO SAAVEDRA, AMALIA LUISA (Participante)
  • HERRANZ FEITO, MIGUEL (Investigador/a)
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Investigador principal (IP))
  • FOTEINOPOULOU, AIKATERINI (Participante)
  • Gacevic, Zarko (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Participante)
  • KARAGIANNIS, NIKOLAOS (Participante)
  • LASO CARBAJO, MANUEL (Participante)
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Ejecución: 01-01-2019 - 31-07-2022

Tipo: Nacional

Importe financiado: 193963,00 Euros.

  • iMarina

Nanoestructuras de semiconductores como componentes par ala información cuántica

  • Enrique Calleja Pardo (Investigador principal (IP))
  • MONTES BAJO, MIGUEL (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2006 - 01-01-2009

  • iMarina

Nanoestructura de Semiconductores como Componentes para La Información Cuántica

  • FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Participante)
  • GRACIA VERANO, VICTOR (Investigador principal (IP))
  • CERUTTI CERUTTI, LAURENT (Investigador principal (IP))
  • RISTIC RISTIC, JELENA (Investigador principal (IP))
  • SANZ MONASTERIO, MIKEL (Investigador principal (IP))
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
  • MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
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Ejecución: 01-12-2005 - 01-01-2010

Tipo: Regional

  • iMarina

Materiales y dispositivos optoelectrónicos basados en nitruros del grupo- III

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))

Ejecución: 19-12-2019 - 31-12-2021

  • iMarina

Instalación/Actuación: Central de Tecnología del ISOM

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))

Ejecución: 13-11-2008 - 15-10-2009

Tipo: Nacional

  • iMarina

InDaN and AIGaN semi-polar and non-polar pseudo-substrates made by Molecular Beam Epitaxy by ordered coalescence of nanocrystals

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-01-2018 - 15-09-2022

  • iMarina

High quality and intrinsic Properties of InN and indium rich Nitride Alloys

  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Investigador principal (IP))
  • Calle Gómez, Fernando (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Participante)

Ejecución: 01-10-2008 - 30-09-2012

Tipo: Internacional

Importe financiado: 388526,00 Euros.

  • iMarina

nxGa1-xN layers, nanowires, and nanodots on Silicon for clean energy applications

  • Calleja Pardo, Enrique (Director)
  • Gacevic, Zarko (Director) Doctorando: Aseev, Pavel

1/1/2017

  • iMarina

Investigations on III-nitrides nanostructures: application to renewable energies and bio-sensing

  • Calleja Pardo, Enrique (Director)
  • Gacevic, Zarko (Director) Doctorando: Soto Rodriguez, Paul Eduardo David

1/1/2016

  • iMarina

Growth and characterization of group-iii nitride nanocolumnar structures - crecimiento y caracterización de estructuras nanocolumnares de nitruros dle grupo iii

  • Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Jelena Ristic

1/1/2006

  • iMarina

Growth and characterization of gan/aln non-polar pseudo-substrates

  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: Fernando Saavedra, Amalia Luisa

1/1/2021

  • iMarina

Fabricación, caracterización y aplicaciones de detectores de UV basados en AlGaN.

  • Muñoz Merino, Elías (Director)
  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: PAU VIZCAINO, José Luis

1/1/2003

  • iMarina

Espejos de Braga de AlGaN/GaN crecidos por Epitaxia de Haces Moleculares para Dispositivos Optoelectrónicos de Cavidad Resonante

  • Enrique Calleja Pardo (Director)
  • Fernando Calle Gómez (Director) Doctorando: Fernández Ruano, Susana María

1/1/2004

  • iMarina

Crecimiento, fabricación y caracterización de diodos electroluminiscentes basados en pozos cuánticos de InGaN

  • Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Fernando Bernabé Naranjo Vega

1/6/2003

  • iMarina

Crecimiento y fabricación de transistores HEMT de AlGaN/GaN por epitaxia de haces moleculares

  • Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Ana Jimenez Martín

1/1/2003

  • iMarina

Crecimiento y caracterización de nitruros del grupo III sobre Si (111) por epitaxia de haces moleculares.

  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: SANCHEZ GARCIA, Miguel Angel

1/1/2000

  • iMarina

Crecimiento y caracterización de estructuras nanocolumnares de nitruros DLE grupo III.

  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: RISTIC, Jelena

1/1/2006

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.

Última actualización de los datos: 24/04/24 13:12