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Perfil en el portal institucional

Calleja Pardo, Enrique enrique.calleja@upm.es

INGENIERÍA ELECTRÓNICA / Universidad Politécnica de Madrid

Actividades

Origin of the nonexponential thermal emission kinetics of DX centers in GaAlAs

  • Calleja E
  • Mooney P
  • Wright S
  • Heiblum M

Applied Physics Letters (p. 657-659) - 1/12/1986

10.1063/1.97559 Ver en origen

  • ISSN 00036951

Ordered arrays of defect-free GaN nanocolumns with very narrow excitonic emission line width

  • Fernando-Saavedra, A
  • Albert, S
  • Bengoechea-Encabo, A
  • Lopez-Romero, D
  • Niehle, M
  • Metzner, S
  • Schmidt, G
  • Bertram, F
  • Sánchez-García, MA
  • Trampert, A
  • Christen, J
  • Calleja, E
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Journal Of Crystal Growth - 1/11/2019

10.1016/j.jcrysgro.2019.125189 Ver en origen

  • ISSN 00220248

Optoelectronic properties of InAlN/GaN distributed bragg reflector heterostructure examined by valence electron energy loss spectroscopy

  • Eljarrat A, Estradé S, Ga?evi? Z, Fernández-Garrido S, Calleja E, Magén C, Peiró F

Microscopy And Microanalysis (p. 1143-54) - 1/10/2012

10.1017/s1431927612001328

  • ISSN 14319276
  • iMarina

Optoelectronic properties of 2-D and 3-D-grown GaInNAs/GaAs QW light emitting diodes and laser diodes

  • Ulloa, JM
  • Hierro, A
  • Miguel-Sanchez, J
  • Guzman, A
  • Trampert, A
  • Sanchez-Rojas, JL
  • Calleja, E
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Iee Proceedings-Optoelectronics (p. 421-425) - 1/10/2004

10.1049/ip-opt:20040911 Ver en origen

  • ISSN 13502433

Optically detected magnetic resonance study of defects in undoped, Be-doped, and Mg-doped GaN

  • Koschnick, FK
  • Michael, K
  • Spaeth, JM
  • Beaumont, B
  • Gibart, P
  • Calleja, E
  • Munoz, E;
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Journal Of Electronic Materials (p. 1351-1355) - 1/1/2000

10.1007/s11664-000-0118-0 Ver en origen

  • ISSN 03615235

Optical properties of InN grown on Si(111) substrate

  • Sakalauskas, E
  • Schley, P
  • Räthel, J
  • Klar, TA
  • Müller, R
  • Pezoldt, J
  • Tonisch, K
  • Grandal, J
  • Sánchez-García, MA
  • Calleja, E
  • Vilalta-Clemente, A
  • Ruterana, P
  • Goldhahn, R
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Physica Status Solidi A-Applications And Materials Science (p. 1066-1069) - 1/5/2010

10.1002/pssa.200983102 Ver en origen

  • ISSN 00318965

Optical investigation of strain in Si-doped GaN films

  • Sánchez-Páramo, J
  • Calleja, JM
  • Sánchez-García, MA
  • Calleja, E

Applied Physics Letters (p. 4124-4126) - 25/6/2001

10.1063/1.1379063 Ver en origen

  • ISSN 00036951

Optical characterization of [111]B InGaAs layers

  • Calle, F
  • Sacedon, A
  • Alvarez, AL
  • Calleja, E
  • Muno, E
  • Colson, HG
  • Kidd, P;
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Microelectronics Journal (p. 821-826) - 1/1/1995

10.1016/0026-2692(95)00042-9 Ver en origen

  • ISSN 00262692

Optical characterisation of quantum well infra-red detector structures

  • A Guzmán
  • JL Sánchez-Rojas
  • JMG Tijero
  • JJ Sánchez
  • J Hernando
  • E Calleja
  • E Muñoz
  • G Vergara
  • MT Montojo
  • LJ Gómez
  • P Rodriíguez
  • R Almazán
  • M Verdú
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Iee Proceedings-Optoelectronics (p. 89-92) - 1/12/1999

10.1049/ip-opt:19990183 Ver en origen

  • ISSN 13502433

Optical and electrical characterization of GaN layers grown on silicon and sapphire substrates

  • SanchezGarcia, MA
  • Sanchez, FJ
  • Calle, F
  • Munoz, E
  • Calleja, E
  • Stevens, KS
  • Kinniburgh, M
  • Beresford, R
  • Beaumont, B
  • Gibart, P
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Solid-State Electronics (p. 81-84) - 1/1/1996

10.1016/0038-1101(95)00217-0 Ver en origen

  • ISSN 00381101

Este/a investigador/a no tiene libros.

TEM study of (Ga, AI)N nanocolumns and embedded GaN nanodiscs

  • Trampert A
  • Ristic J
  • Jahn U
  • Calleja E
  • Ploog K

Microscopy Of Semiconducting Materials 2003 (p. 167-170) - 1/1/2018

10.1201/9781351074636 Ver en origen

Ga(in)N nanowires grown by molecular beam epitaxy: From quantum light emitters to nanotransistors

  • Gačević Ž
  • Calleja E

Novel Compound Semiconductor Nanowires: Materials, Devices, And Applications (p. 319-364) - 1/1/2017

10.1201/9781315364407 Ver en origen

Z. Gacevic, S. Fernández-Garrido, E. Calleja, D. Hosseini, S. Estrade and F. Peiró "Structural properties of InAlN single layers nearly latice-matched to GaN grown by plasma assisted molecular beal epitaxy"

  • S. Fernández-Garrido
  • S. Estradé
  • F. Peiró
  • D. Hosseini
  • Gacevic, Zarko
  • Calleja Pardo, Enrique

"Structural Properties Of Inaln Single Layers Nearly Latice-Matched To Gan Grown By Plasma Assisted Molecular Beal Epitaxy" (p. 0-0) - 20/3/2011

  • iMarina

Z. Gacevic, P. Lefebvre, F. Bertram, G. Schmidt, P. Veit, J. Christen, and E. Calleja "Growth and characterization of InGaN/GaN quantum dots for violet/blue applications"

  • P. Lefebvre
  • P. Veit
  • J. Christen
  • G. Schmidt
  • F. Bertram
  • Gacevic, Zarko
  • Calleja Pardo, Enrique
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Growth And Characterization Of Ingan/Gan Quantum Dots For Violet/Blue Applications (p. 0-0) - 10/7/2012

  • iMarina

Z. GACEVIC, S. FERNÁNDEZ-GARRIDO, E. CALLEJA, E.LUNA, A. TRAMPERT "Growth and characterization of lattice-matched InAlN/GaN Bragg reflectors grown by plasma assisted molecular beam epitaxy" 15th European Molecular Beam Epitaxy Workshop Zakopane (Poland

  • Gacevic, Zarko
  • Calleja Pardo, Enrique

"Growth And Characterization Of Lattice-Matched Inaln/Gan Bragg Reflectors Grown By Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy" (p. 0-0) - 8/3/2009

  • iMarina

Z. GACEVIC, S. FERNÁNDEZ-GARRIDO, E. CALLEJA "New approach to grow high reflectivity Al(Ga)N bragg reflectors by plasma-assited molecular beam epitaxy" 8th International Conference on Nitride Semiconductors Jeju (Korea), 2009

  • Gacevic, Zarko
  • Calleja Pardo, Enrique

"New Approach To Grow High Reflectivity Al(Ga)N Bragg Reflectors By Plasma-Assited Molecular Beam Epitaxy" (p. 0-0) - 18/10/2009

  • iMarina

Z. GACEVIC, S. FERNÁNDEZ-GARRIDO, E. CALLEJA "Current status and further challenge in MBE growth of lattice-matched InAlN/GaN Bragg reflectors" 8th International Conference on Nitride Semiconductors Jeju (Korea), 2009

  • Gacevic, Zarko
  • Calleja Pardo, Enrique

"Current Status And Further Challenge In Mbe Growth Of Lattice-Matched Inaln/Gan Bragg Reflectors" (p. 0-0) - 18/5/2009

  • iMarina

XRD analysis of InGaN uniform layers grown on Si (111) without any buffer layers and on Sapphire

  • Aseev, Pavel
  • SOTO RODRIGUEZ, PAUL
  • Notzel, Richard
  • Gacevic, Zarko
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel
  • Calleja Pardo, Enrique

Proceedings (p. 0-3) - 24/8/2014

  • iMarina

Visible and solar-blind AlGaN metal-semiconductor-metal photodetectors grown on Si(111) substrates

  • Pau, JL
  • Muñoz, E
  • Sánchez-García, MA
  • Calleja, E

Physica Status Solidi A-Applications And Materials Science (p. 314-319) - 1/1/2002

10.1002/1521-396x(200208)192:2<314::aid-pssa314>3.0.co;2-y Ver en origen

  • ISSN 00318965

Valence EELS analysis of multiple InGaN-QW structure for electronic properties

  • S. Estradé
  • N. García-Lepetit
  • L. López-Conesa
  • Francesca Peiró
  • C. Magen
  • A. Eljarrat
  • Gacevic, Zarko
  • Calleja Pardo, Enrique
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Proceedings (p. 0-3) - 11/2/2015

  • iMarina

Understanding the selective area nucleation and growth of GaN Nanocolumns by MBE using Ti nanomasks

  • et al
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel
  • Calleja Pardo, Enrique

Proceedings (p. 0-0) - 2/11/2011

  • iMarina

Understanding of the nucleation and growth of ordered GaN nanocolumns by MBE on GaN

  • S. Fernández-Garrido
  • J. Ristic
  • J. Grandal
  • Calleja Pardo, Enrique

Proceedings (p. 0-0) - 4/4/2012

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.

Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.

Towards p-type conductivity in In0.5Ga0.5N nanocolumns on a Si (100) substrate with GaN buffer layers

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • XIE, MENGYAO (Becario/a)
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)

Ejecución: 15-06-2015 - 14-06-2017

Tipo: Internacional

Importe financiado: 170121,60 Euros.

  • iMarina

Substrate nanopatterning by e-beam lithography to growth ordered arrays of III-Nitride nanodetectors: application to IR detectors, emitters, and new Solar Cells

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)

Ejecución: 01-01-2011 - 31-12-2012

Tipo: Internacional

Importe financiado: 153917,00 Euros.

  • iMarina

Smart nanostructured semiconductors for energy saving light solutions

  • FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • GRANDAL QUINTANA, JAVIER (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
  • PRIETO MARTIN, JOSE LUIS (Participante)
  • PADILLA GONZALEZ, ISIDORO (Participante)
  • Gacevic, Zarko (Participante)
  • Martínez Rodrigo, Javier (Participante)
  • Notzel, Richard (Participante)
  • Calle Gómez, Fernando (Participante)
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Ejecución: 01-09-2009 - 31-08-2012

Tipo: Internacional

Importe financiado: 800650,00 Euros.

  • iMarina

Nanohilos basados en GaN para sistemas de información cuántica y circuitos digitales

  • FERNANDO SAAVEDRA, AMALIA LUISA (Participante)
  • HERRANZ FEITO, MIGUEL (Investigador/a)
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Investigador principal (IP))
  • FOTEINOPOULOU, AIKATERINI (Participante)
  • Gacevic, Zarko (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Participante)
  • KARAGIANNIS, NIKOLAOS (Participante)
  • LASO CARBAJO, MANUEL (Participante)
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Ejecución: 01-01-2019 - 31-07-2022

Tipo: Nacional

Importe financiado: 193963,00 Euros.

  • iMarina

Nanoestructuras de semiconductores como componentes par ala información cuántica

  • Enrique Calleja Pardo (Investigador principal (IP))
  • MONTES BAJO, MIGUEL (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2006 - 01-01-2009

  • iMarina

Nanoestructura de Semiconductores como Componentes para La Información Cuántica

  • FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Participante)
  • GRACIA VERANO, VICTOR (Investigador principal (IP))
  • CERUTTI CERUTTI, LAURENT (Investigador principal (IP))
  • RISTIC RISTIC, JELENA (Investigador principal (IP))
  • SANZ MONASTERIO, MIKEL (Investigador principal (IP))
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
  • MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
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Ejecución: 01-12-2005 - 01-01-2010

Tipo: Regional

  • iMarina

Materiales y dispositivos optoelectrónicos basados en nitruros del grupo- III

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))

Ejecución: 19-12-2019 - 31-12-2021

  • iMarina

Instalación/Actuación: Central de Tecnología del ISOM

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))

Ejecución: 13-11-2008 - 15-10-2009

Tipo: Nacional

  • iMarina

InDaN and AIGaN semi-polar and non-polar pseudo-substrates made by Molecular Beam Epitaxy by ordered coalescence of nanocrystals

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-01-2018 - 15-09-2022

  • iMarina

High quality and intrinsic Properties of InN and indium rich Nitride Alloys

  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Investigador principal (IP))
  • Calle Gómez, Fernando (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Participante)

Ejecución: 01-10-2008 - 30-09-2012

Tipo: Internacional

Importe financiado: 388526,00 Euros.

  • iMarina

nxGa1-xN layers, nanowires, and nanodots on Silicon for clean energy applications

  • Calleja Pardo, Enrique (Director)
  • Gacevic, Zarko (Director) Doctorando: Aseev, Pavel

1/1/2017

  • iMarina

Investigations on III-nitrides nanostructures: application to renewable energies and bio-sensing

  • Calleja Pardo, Enrique (Director)
  • Gacevic, Zarko (Director) Doctorando: Soto Rodriguez, Paul Eduardo David

1/1/2016

  • iMarina

Growth and characterization of group-iii nitride nanocolumnar structures - crecimiento y caracterización de estructuras nanocolumnares de nitruros dle grupo iii

  • Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Jelena Ristic

1/1/2006

  • iMarina

Growth and characterization of gan/aln non-polar pseudo-substrates

  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: Fernando Saavedra, Amalia Luisa

1/1/2021

  • iMarina

Fabricación, caracterización y aplicaciones de detectores de UV basados en AlGaN.

  • Muñoz Merino, Elías (Director)
  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: PAU VIZCAINO, José Luis

1/1/2003

  • iMarina

Espejos de Braga de AlGaN/GaN crecidos por Epitaxia de Haces Moleculares para Dispositivos Optoelectrónicos de Cavidad Resonante

  • Enrique Calleja Pardo (Director)
  • Fernando Calle Gómez (Director) Doctorando: Fernández Ruano, Susana María

1/1/2004

  • iMarina

Crecimiento, fabricación y caracterización de diodos electroluminiscentes basados en pozos cuánticos de InGaN

  • Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Fernando Bernabé Naranjo Vega

1/6/2003

  • iMarina

Crecimiento y fabricación de transistores HEMT de AlGaN/GaN por epitaxia de haces moleculares

  • Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Ana Jimenez Martín

1/1/2003

  • iMarina

Crecimiento y caracterización de nitruros del grupo III sobre Si (111) por epitaxia de haces moleculares.

  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: SANCHEZ GARCIA, Miguel Angel

1/1/2000

  • iMarina

Crecimiento y caracterización de estructuras nanocolumnares de nitruros DLE grupo III.

  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: RISTIC, Jelena

1/1/2006

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.

Última actualización de los datos: 24/04/24 13:12