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Perfil en el portal institucional

Calleja Pardo, Enrique enrique.calleja@upm.es

INGENIERÍA ELECTRÓNICA / Universidad Politécnica de Madrid

Actividades

Observation of non-trigonal lattice distortion in pseudomorphic InGaAs/GaAs superlattices grown on misoriented (111)B GaAs

  • Sanzhervas, A
  • Aguilar, M
  • Sanchezrojas, JL
  • Sacedon, A
  • Calleja, E
  • Munoz, E
  • Villar, C
  • Abril, EJ
  • Lopez, M
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Journal Of Applied Physics (p. 3297-3305) - 1/10/1997

10.1063/1.365637 Ver en origen

  • ISSN 00218979

Growth kinetics and morphology of high quality AlN grown on Si(111) by plasma-assisted molecular beam epitaxy

  • Calleja, E
  • SanchezGarcia, MA
  • Monroy, E
  • Sanchez, FJ
  • Munoz, E
  • SanzHervas, A
  • Villar, C
  • Aguilar, M
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Journal Of Applied Physics (p. 4681-4683) - 1/11/1997

10.1063/1.366208 Ver en origen

  • ISSN 00218979

Exciton and donor-acceptor recombination in undoped GaN on Si(111)

  • Calle, F
  • Sanchez, FJ
  • Tijero, JMG
  • SanchezGarcia, MA
  • Calleja, E
  • Beresford, R

Semiconductor Science And Technology (p. 1396-1403) - 1/11/1997

10.1088/0268-1242/12/11/011 Ver en origen

  • ISSN 13616641

Violet GaN based light emitting diodes fabricated by metal organics vapour phase epitaxy

  • Beaumont B
  • Haffouz S
  • Gibart P
  • Leroux M
  • Lorenzini P
  • Calleja E
  • Muñoz E
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Materials Science And Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials (p. 296-301) - 18/12/1997

10.1016/s0921-5107(97)00193-1 Ver en origen

  • ISSN 09215107

Photoconductor gain mechanisms in GaN ultraviolet detectors

  • Munoz, E
  • Monroy, E
  • Garrido, JA
  • Izpura, I
  • Sanchez, FJ
  • SanchezGarcia, MA
  • Calleja, E
  • Beaumont, B
  • Gibart, P
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Applied Physics Letters (p. 870-872) - 18/8/1997

10.1063/1.119673 Ver en origen

  • ISSN 00036951

The effect of the III/V ratio and substrate temperature on the morphology and properties of GaN- and AlN-layers grown by molecular beam epitaxy on Si(111)

  • Sanchez-Garcia, MA
  • Calleja, E
  • Monroy, E
  • Sanchez, FJ
  • Calle, F
  • Munoz, E
  • Beresford, R
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Journal Of Crystal Growth (p. 23-30) - 1/1/1998

10.1016/s0022-0248(97)00386-2 Ver en origen

  • ISSN 00220248

Blue-UV homojunction GaN LEDs fabricated by MOVPE

  • Calle Gómez, Fernando

Materials Science Forum (p. 1425-1428) - 1/1/1998

10.4028/www.scientific.net/msf.264-268.1425 Ver en origen

  • ISSN 02555476

Influence of interface dislocations on surface kinetics during epitaxial growth of InGaAs

  • Alvarez, AL
  • Calle, F
  • Valtuena, JF
  • Faura, J
  • Sanchez, MA
  • Calleja, E
  • Munoz, E
  • Morante, JR
  • Gonzalez, D
  • Araujo, D
  • Roja, RG;
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Applied Surface Science (p. 303-307) - 1/1/1998

10.1016/s0169-4332(97)00483-2 Ver en origen

  • ISSN 01694332

Growth optimization and doping with Si and Be of high quality GaN on Si(111) by molecular beam epitaxy

  • Sanchez-Garcia, MA
  • Calleja, E
  • Sanchez, FJ
  • Calle, F
  • Monroy, E
  • Basak, D
  • Munoz, E
  • Villar, C
  • Sanz-Hervas, A
  • Aguilar, M
  • Serrano, JJ
  • Blanco, JM
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Journal Of Electronic Materials (p. 276-281) - 1/1/1998

10.1007/s11664-998-0399-2 Ver en origen

  • ISSN 03615235

Effect of Ga/Si interdiffusion on optical and transport properties of GaN layers grown on Si(111) by molecular-beam epitaxy

  • Calleja, E
  • Sanchez-Garcia, MA
  • Basak, D
  • Sanchez, FJ
  • Calle, F
  • Youinou, P
  • Munoz, E
  • Serrano, JJ
  • Blanco, JM
  • Villar, C
  • Laine, T
  • Oila, J
  • Saarinen, K
  • Hautojarvi, P
  • Molloy, CH
  • Somerford, DJ
  • Harrison, I
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Physical Review b (p. 1550-1559) - 1/1/1998

10.1103/physrevb.58.1550 Ver en origen

  • ISSN 01631829

Este/a investigador/a no tiene libros.

Ga(in)N nanowires grown by molecular beam epitaxy: From quantum light emitters to nanotransistors

  • Gačević Ž
  • Calleja E

Novel Compound Semiconductor Nanowires: Materials, Devices, And Applications (p. 319-364) - 1/1/2017

10.1201/9781315364407 Ver en origen

TEM study of (Ga, AI)N nanocolumns and embedded GaN nanodiscs

  • Trampert A
  • Ristic J
  • Jahn U
  • Calleja E
  • Ploog K

Microscopy Of Semiconducting Materials 2003 (p. 167-170) - 1/1/2018

10.1201/9781351074636 Ver en origen

PRESSURE EFFECTS ON THE PROPERTIES OF DX CENTERS IN SI-DOPED GAAS AND ALXGA1-XAS ALLOYS

  • CALLEJA, E
  • GARCIA, F
  • MUNOZ, E
  • MOONEY, PM
  • MORGAN, TN
  • WRIGHT, SL;

20th International Conference On The Physics Of Semiconductors, Vols 1-3 (p. 513-516) - 1/1/1990

  • iMarina

INCORPORATION OF BE INTO INXGA1-XAS (0.004-LESS-THAN-OR-EQUAL-TO-X-LESS-THAN-OR-EQUAL-TO-0.17) STUDIED BY PHOTOLUMINESCENCE AND RESONANT RAMAN-SPECTROSCOPY OF LOCAL VIBRATIONAL-MODES

  • ALVAREZ, AL
  • WAGNER, J
  • CALLE, F
  • MAIER, M
  • GUTIERREZ, G
  • SACEDON, A
  • CALLEJA, E
  • MUNOZ, E;
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Materials Science Forum (p. 241-245) - 1/1/1994

10.4028/www.scientific.net/msf.143-147.241 Ver en origen

  • ISSN 02555476

Dislocation distribution in graded composition InGaAs layers

  • Molina S
  • Gutierrez G
  • Sacedon A
  • Calleja E
  • Garcia R

Materials Research Society Symposium - Proceedings (p. 223-228) - 1/1/1994

  • ISSN 02729172
  • iMarina

Time-resolved piezoelectric nonlinearities and exciton dynamics in strained [111] p-i-n multiple quantum well structures

  • Harken D
  • Huang X
  • McCallum D
  • Smirl A
  • Sanchez-Rojas J
  • Sacedon A
  • Munoz E
  • Calleja E
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(p. 364-365) - 1/12/1994

  • iMarina

Piezoelectric optical nonlinearities in strained [111] InGaAs-GaAs multiple quantum well p-i-n structures

  • Smirl A
  • Huang X
  • Harken D
  • Cartwright A
  • McCallum D
  • Sanchez-Rojas J
  • Sacedon A
  • Gonzalez-Sanz F
  • Calleja E
  • Munoz E
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(p. 135-137) - 1/12/1994

  • iMarina

Field control in piezoelectric [111]- oriented InGaAs/GaAs MQW and superlattice devices

  • Sanchez-Rojas J
  • Munoz E
  • Sacedon A
  • Valtuena J
  • Izpura I
  • Calleja E

(p. 506-515) - 1/12/1995

10.1109/cornel.1995.482547 Ver en origen

Non-uniform strain relaxation in InxGa1-xAs layers

  • Alvarez, AL
  • Calle, F
  • Sacedon, A
  • Calleja, E
  • Munoz, E
  • Garcia, R
  • Gonzalez, L
  • Gonzalez, Y
  • Colson, HG
  • Kidd, P
  • Beanland, R
  • Goodhew, P
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Solid-State Electronics (p. 647-651) - 1/1/1996

10.1016/0038-1101(95)00380-0 Ver en origen

  • ISSN 00381101

Design and characterization of two color GaAs based quantum well infrared detector structures

  • Sanchez-Rojas J
  • Guzman A
  • Munoz E
  • Sanchez J
  • Calleja E
  • Sanz-Hervas A
  • Villar C
  • Aguilar M
  • Montojo M
  • Vergara G
  • Gomez L
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Advanced Workshop On Frontiers In Electronics, Proceedings, Wofe (p. 65-71) - 1/1/1997

  • iMarina

Structural characterization of GaN/AlN/Si (111)

  • Molina, SI
  • Sanchez, AM
  • Sanchez-Garcia, MA
  • Calleja, E
  • Calle, F
  • Garcia, R

Electron Microscopy 1998, Vol 3 (p. 389-390) - 1/1/1998

  • iMarina

Structural characterization of undoped and Si doped GaN on Si (111)

  • Molina, SI
  • Sánchez, AM
  • Pacheco, FJ
  • García, R
  • Sánchez-García, MA
  • Calleja, E

Lattice Mismatched Thin Films (p. 177-182) - 1/1/1999

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.

Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.

Nanoestructura de Semiconductores como Componentes para La Información Cuántica

  • FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Participante)
  • GRACIA VERANO, VICTOR (Investigador principal (IP))
  • CERUTTI CERUTTI, LAURENT (Investigador principal (IP))
  • RISTIC RISTIC, JELENA (Investigador principal (IP))
  • SANZ MONASTERIO, MIKEL (Investigador principal (IP))
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
  • MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
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Ejecución: 01-12-2005 - 01-01-2010

Tipo: Regional

  • iMarina

Nanoestructuras de semiconductores como componentes par ala información cuántica

  • Enrique Calleja Pardo (Investigador principal (IP))
  • MONTES BAJO, MIGUEL (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2006 - 01-01-2009

  • iMarina

High quality and intrinsic Properties of InN and indium rich Nitride Alloys

  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Investigador principal (IP))
  • Calle Gómez, Fernando (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Participante)

Ejecución: 01-10-2008 - 30-09-2012

Tipo: Internacional

Importe financiado: 388526,00 Euros.

  • iMarina

Instalación/Actuación: Central de Tecnología del ISOM

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))

Ejecución: 13-11-2008 - 15-10-2009

Tipo: Nacional

  • iMarina

Desarrollo de Micro y Nanocavidades incluyendo regiones activas de puntos cuánticos de Nitruros-III: Aplicaciones a emisiones de luz en azul y UV.

  • FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Participante)
  • JAN ., UWE (Participante)
  • TRAMPET ., ACHIM (Participante)
  • LEFREBVE ., PIERRE (Participante)
  • RISTIC ., JELENA (Participante)
  • GRANJEAN ., NICOLAS (Participante)
  • DAUDIN ., BRUNO (Participante)
  • RODRIGUEZ CANTO, PEDRO (Participante)
  • GODIGNON ., PHILIP (Participante)
  • Gacevic, Zarko (Participante)
  • UTRERA LÓPEZ, MARÍA (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
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Ejecución: 01-01-2009 - 31-12-2011

Tipo: Nacional

  • iMarina

Células Solares de heterounión InGaN y alta eficiencia crecidas por MBE

  • FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Participante)
  • NANISHI ., YASUSHI (Participante)
  • ARTUS SURROCA, LLUIS (Participante)
  • Calleja Pardo, Jose Manuel (Participante)
  • GRANDAL QUINTANA, JAVIER (Participante)
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
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Ejecución: 01-11-2009 - 01-11-2012

Tipo: Nacional

Importe financiado: 40000,00 Euros.

  • iMarina

Smart nanostructured semiconductors for energy saving light solutions

  • FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • GRANDAL QUINTANA, JAVIER (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
  • PRIETO MARTIN, JOSE LUIS (Participante)
  • PADILLA GONZALEZ, ISIDORO (Participante)
  • Gacevic, Zarko (Participante)
  • Martínez Rodrigo, Javier (Participante)
  • Notzel, Richard (Participante)
  • Calle Gómez, Fernando (Participante)
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Ejecución: 01-09-2009 - 31-08-2012

Tipo: Internacional

Importe financiado: 800650,00 Euros.

  • iMarina

Substrate nanopatterning by e-beam lithography to growth ordered arrays of III-Nitride nanodetectors: application to IR detectors, emitters, and new Solar Cells

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)

Ejecución: 01-01-2011 - 31-12-2012

Tipo: Internacional

Importe financiado: 153917,00 Euros.

  • iMarina

Células Solares de Ingan mejoradas con plasmones superficiales y fabricadas por MBE sobre sustratos de Silicio y Capas de Gan

  • Bengoechea Encabo, Ana Mª (Participante)
  • YASUSHI NA, NANISHI (Participante)
  • MCCONVILLE NA, CHRIS (Participante)
  • Notzel, Richard (Participante)
  • Gacevic, Zarko (Participante)
  • SABIDO SILLER, M CARMEN (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Participante)
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Investigador principal (IP))
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Ejecución: 01-01-2012 - 31-12-2014

Tipo: Nacional

Importe financiado: 269999,00 Euros.

  • iMarina

3D GaN for High Efficiency Solid State Lighting

  • Bengoechea Encabo, Ana Mª (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
  • Martínez Rodrigo, Javier (Participante)
  • Gacevic, Zarko (Participante)

Ejecución: 01-04-2012 - 31-03-2015

Tipo: Internacional

Importe financiado: 552079,00 Euros.

  • iMarina

Aportación al estudio de estructuras pseudomórficas y metamórficas de InGaAs

  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: SACEDON AYUSO, Ana

1/1/1996

  • iMarina

Contribución al estudio de defectos en capas epitaxiales de Gan. Aplicaciones a dispositivos optoelectronicos

  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: SANCHEZ SANZ, Fernando José

1/1/1999

  • iMarina

Crecimiento y caracterización de nitruros del grupo III sobre Si (111) por epitaxia de haces moleculares.

  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: SANCHEZ GARCIA, Miguel Angel

1/1/2000

  • iMarina

Fabricación, caracterización y aplicaciones de detectores de UV basados en AlGaN.

  • Muñoz Merino, Elías (Director)
  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: PAU VIZCAINO, José Luis

1/1/2003

  • iMarina

Crecimiento y fabricación de transistores HEMT de AlGaN/GaN por epitaxia de haces moleculares

  • Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Ana Jimenez Martín

1/1/2003

  • iMarina

Crecimiento, fabricación y caracterización de diodos electroluminiscentes basados en pozos cuánticos de InGaN

  • Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Fernando Bernabé Naranjo Vega

1/6/2003

  • iMarina

Espejos de Braga de AlGaN/GaN crecidos por Epitaxia de Haces Moleculares para Dispositivos Optoelectrónicos de Cavidad Resonante

  • Enrique Calleja Pardo (Director)
  • Fernando Calle Gómez (Director) Doctorando: Fernández Ruano, Susana María

1/1/2004

  • iMarina

Crecimiento y caracterización de estructuras nanocolumnares de nitruros DLE grupo III.

  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: RISTIC, Jelena

1/1/2006

  • iMarina

Growth and characterization of group-iii nitride nanocolumnar structures - crecimiento y caracterización de estructuras nanocolumnares de nitruros dle grupo iii

  • Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Jelena Ristic

1/1/2006

  • iMarina

Crecimiento de nitruros del grupo III por epitaxia de haces moleculares para la fabricación de diodos electroluminiscentes en el rango visible-ultravioleta

  • Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Sergio Fernández Garrido

1/1/2009

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.

Última actualización de los datos: 24/04/24 13:12