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Electronic defect levels in continuous wave laser annealed silicon metal oxide semiconductor devices

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GE DIFFUSION INTO GAAS BY PULSED LASER IRRADIATION

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LASER MELTING OF GAAS COVERED WITH THIN METAL LAYERS

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Tin diffusion and segregation in GaAs processed with a pulsed ruby laser

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GaAs doping by rapid thermal diffusion of a laser deposited elemental Zn source film: shallow and laterally graded diffusions

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Molecular beam epitaxial growth and optical characterization of GaAs/AlGaAs quantum wells on nominally oriented (111)B GaAs substrates

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Raman characterization of GaAs doped with Sn by laser assisted diffusion

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Growth optimization and optical properties of GaAs-(Ga,Al)As quantum well structures on UV-ozone prepared nominal (111)B GaAs surfaces

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Estados superficiales y niveles de volumen en MOS sobre sustratos de silicio policristalino

1/1/1984

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Difusión asistida por láser en GaAs: Aplicación a MESFET´s

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Estudio por microscopía electrónica de GaAs dopado con Sn mediante irradiación con láser pulsante de rubí

10/12/1990

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Medición mediante microscopía electrónica de transmisión de GaAs dopado con Sn mediante irradiación con láser pulsante de rubí

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Hétérostructures a puits quantiques GaAs-(Ga,Al)As (111)B: conditions de croissance et propriétés optiques

1/9/1994

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Migration enhanced epitaxy of GaAs from TBA and TEGa

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Chemical beam epitaxial growth of GaAs1-xPx from TBAs, TBP and TEGa

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Low Temperature Electron Cyclotron Resonance Plasma Technique for Low Loss Integrated Optical Devices

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Multilayer porous anodic oxides on silicon studied by X-ray reflectivity, Auger electron spectroscopy and secondary ion mass spectroscopy

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Fabrication of integrated optical waveguides on GaAsP/GaAs using chemical beam epitaxy and electron cyclotron resonance plasma technique

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Tecnología de materiales compuestos III V y dispositivos para comunicaciones ópticas

Ejecución: 01-01-1980 - 31-12-1983

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Recristalización por láser de Si policristalino

Ejecución: 01-01-1984 - 31-12-1985

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Procesado por láser y haces de electrones de dispositivos semiconductores

Ejecución: 01-01-1986 - 31-12-1989

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Taller de diseño de Cirucitos Integrados TIpo C

Ejecución: 01-01-1988 - 31-12-1991

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Ejecución: 01-01-1989 - 31-12-1991

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Ejecución: 01-01-1995 - 31-12-1995

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Ejecución: 01-10-1996 - 31-12-1997

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Ejecución: 01-01-1997 - 31-12-2000

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Servicio de nanolitografía electrónica

Ejecución: 01-01-2000 - 31-12-2000

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Crecimiento por epitaxia de haces químicos de aleaciones semiconductoras III-V basadas en nitrógeno para aplicaciones optoelectrónicas en el infrarrojo

Ejecución: 28-12-2000 - 27-12-2002

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1/1/1998

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Crecimiento por epitaxia de haces químicos de GaAsP a partir de TBAs, TBP y TEGa

20/11/1998

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Selección eficiente y robusta de la disposición de los transductores en un sistema multicanal de control activo del ruido

31/1/2002

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Crecimiento de heteroestructuras de (GaIn)(AsPN) por epitaxia de haces químicos

6/9/2011

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Contribution to the development of electronic devicesbased on zn3n2 thin films, and zn0 and gaas nanowires

1/1/2015

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Crecimiento de nanohilos de ZnO y GaAsN

1/7/2015

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