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Fernandez Garrido, Sergio sergio.fernandezg@uam.es

Física aplicada / Universidad Autónoma de Madrid

Actividades

Optomechanical Cavities Based on Epitaxial GaP on Nominally (001)-Oriented Si

  • Mouriño, P
  • Mercadé, L
  • Lozano, MS
  • Resta, R
  • Griol, A
  • Ben Saddik, K
  • Barrigón, E
  • Fernández-Garrido, S
  • García, BJ
  • Martínez, A
  • Gómez, VJ
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Advanced Materials Technologies - 1/12/2024

10.1002/admt.202400525 Ver en origen

  • ISSN 2365709X

Sequential directional deposition of one-sided (In,Ga)N shells on GaN nanowires by molecular beam epitaxy

  • van Treeck, D
  • Lähnemann, J
  • Gao, GH
  • Garrido, SF
  • Brandt, O
  • Geelhaar, L

Apl Materials - 1/9/2023

10.1063/5.0168786 Ver en origen

  • ISSN 2166532X

X-ray scattering study of GaN nanowires grown on Ti/Al2O3 by molecular beam epitaxy

  • Kaganer, VM
  • Konovalov, O
  • Calabrese, G
  • van Treeck, D
  • Kwasniewski, A
  • Richter, C
  • Fernández-Garrido, S
  • Brandt, O
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Journal Of Applied Crystallography (p. 439-448) - 9/3/2023

10.1107/s1600576723001486 Ver en origen

  • ISSN 00218898

Growth modes and chemical-phase separation in GaP1−xNx layers grown by chemical beam epitaxy on GaP/Si(001)

  • Ben Saddik, K
  • Fernández-Garrido, S
  • Volkov, R
  • Grandal, J
  • Borgardt, N
  • García, BJ

Journal Of Applied Physics - 7/11/2023

10.1063/5.0173748 Ver en origen

  • ISSN 00218979

Interface Recombination in Ga- and N-Polar GaN/(Al,Ga)N Quantum Wells Grown by Molecular Beam Epitaxy

  • Auzelle, T
  • Sinito, C
  • Laehnemann, J
  • Gao, G
  • Flissikowski, T
  • Trampert, A
  • Fernandez-Garrido, S
  • Brandt, O
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Physical Review Applied - 1/1/2022

10.1103/physrevapplied.17.044030 Ver en origen

  • ISSN 23317019

Cross-sectional shape evolution of GaN nanowires during molecular beam epitaxy growth on Si(111)

  • Volkov, Roman
  • Borgardt, Nikolai, I
  • Konovalov, Oleg, V
  • Fernandez-Garrido, Sergio
  • Brandt, Oliver
  • Kaganer, Vladimir M

Nanoscale Advances (p. 562-572) - 3/12/2021

10.1039/d1na00773d Ver en origen

  • ISSN 25160230

A growth diagram for chemical beam epitaxy of GaP1- xNxalloys on nominally (001)-oriented GaP-on-Si substrates

  • Ben Saddik, Karim
  • Garcia, Basilio J
  • Fernandez-Garrido, Sergio

Apl Materials - 1/12/2021

10.1063/5.0067209 Ver en origen

  • ISSN 2166532X

Growth of silicon- and carbon-doped GaAs by chemical beam epitaxy using H2-diluted DTBSi and CBr4 precursors

  • Ben Saddik, K
  • Brana, A F
  • Lopez, N
  • Garcia, B J
  • Fernandez-Garrido, S

Journal Of Crystal Growth - 1/10/2021

10.1016/j.jcrysgro.2021.126242 Ver en origen

  • ISSN 00220248

External control of GaN band bending using phosphonate self-assembled monolayers

  • Auzelle, Thomas
  • Ullrich, Florian
  • Hietzschold, Sebastian
  • Sinito, Chiara
  • Brackmann, Stefan
  • Kowalsky, Wolfgang
  • Mankel, Eric
  • Brandt, Oliver
  • Lovrincic, Robert
  • Fernandez-Garrido, Sergio
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Acs Applied Materials & Interfaces (p. 4626-4635) - 1/1/2021

10.1021/acsami.0c17519 Ver en origen

  • ISSN 19448244

Small-angle X-ray scattering from GaN nanowires on Si(111): facet truncation rods, facet roughness and Porod's law

  • Kaganer, Vladimir M
  • Konovalov, Oleg, V
  • Fernandez-Garrido, Sergio

Acta Crystallographica A-Foundation And Advances (p. 42-53) - 1/1/2021

10.1107/s205327332001548x Ver en origen

  • ISSN 20532733

Este/a investigador/a no tiene libros.

Este/a investigador/a no tiene capítulos de libro.

Luminescence properties of GaP1-xNxalloys grown on nominally (001)-oriented GaP-on-Si substrates by chemical beam epitaxy

  • K Ben Saddik
  • P Álamo
  • J Lähnemann
  • R Vokov
  • N I Borgardt
  • T Flissikowski
  • O Brandt
  • B J García
  • S Fernández-Garrido
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2022 Compound Semiconductor Week, Csw 2022 (p. 1-2) - 1/1/2022

10.1109/csw55288.2022.9930454 Ver en origen

Plasma-assisted molecular beam epitaxy of GaN nanowires on epitaxial single-layer graphene

  • Fernandez-Garrido, Sergio
  • Ramsteiner, Manfred
  • Galves, Lauren A
  • Sinito, Chiara
  • Corfdir, Pierre
  • Schiaber, Ziani de Souza
  • Lopes, Joao Marcelo J
  • Geelhaar, Lutz
  • Brandt, Oliver
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Proceedings Of Spie - The International Society For Optical Engineering - 1/1/2018

10.1117/12.2288233 Ver en origen

  • ISSN 0277786X

Electrical characterization of all-epitaxial Fe/GaN(0001) Schottky tunnel contacts

  • S Fernández-Garrido
  • K U Ubben
  • J Herfort
  • C Gao
  • O Brandt

Applied Physics Letters - 1/1/2012

10.1063/1.4737905 Ver en origen

  • ISSN 00036951

(V)EELS Characterization of InAlN/GaN Distributed Bragg Reflectors

  • A Eljarrat
  • Ž Gacevic
  • S Fernández-Garrido
  • E Calleja
  • C Magén
  • S Estradé
  • F Peiró
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Journal Of Physics: Conference Series (p. 012014-012014) - 1/1/2011

10.1088/1742-6596/326/1/012014 Ver en origen

  • ISSN 17426588

Growth and characterization of lattice-matched InAlN/GaN Bragg reflectors grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy

  • Ž Gacevic
  • S Fernández-Garrido
  • E Calleja
  • E Luna
  • A Trampert

Physica Status Solidi (C) Current Topics In Solid State Physics (p. S643-S645) - 1/7/2009

10.1002/pssc.200880833 Ver en origen

  • ISSN 18626351

Correlating composition and luminescence variations in III-nitride semiconductor alloys

  • P R Edwards
  • R W Martin
  • K Bejtka
  • K P O´Donnell
  • S Fernández-Garrido
  • E Calleja

Microscopy And Microanalysis (p. 762-763) - 1/8/2008

10.1017/s1431927608087576 Ver en origen

  • ISSN 14319276

Design of InGaN based photodiodes by internal field engineering

  • Pereiro J
  • Rivera C
  • Pau JL
  • Navarro A
  • Fernandez-Garrido S
  • Muñoz E
  • Czernecki R
  • Grzanka S
  • Leszczynski M
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2007 Spanish Conference On Electron Devices, Proceedings (p. 296-+) - 15/10/2007

10.1109/sced.2007.384051 Ver en origen

Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.

Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.

Ingeniería cuántica para la integración de células solares iii-v sobre silicio

  • Cervera Goy, Manuel (Investigador/a)
  • Garcia Carretero, Basilio Javier (Investigador principal (IP))
  • FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Investigador principal (IP))
  • Ruiz Martín, Eduardo (Miembro del equipo de trabajo)
  • Hernandez Muñoz, Maria Jesus (Investigador/a)
  • PAMPILLON ARCE, MARIA ANGELA (Investigador/a)
  • Kaganer, Vladimir (Investigador/a)
  • Volkov, Roman (Investigador/a)
  • Borgardt, Nikolai (Investigador/a)
  • VALLÉS VILA, TOMÁS (Investigador/a)
  • RODRÍGUEZ MARTÍ, PEDRO (Investigador/a)
  • Brandt, Oliver (Investigador/a)
  • Lähnemann, Jonas (Investigador/a)
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Ejecución: 01-09-2021 - 31-08-2025

Tipo: Nacional

Importe financiado: 166980,00 Euros.

  • iMarina

Integración de Semiconductores III-V sobre SI para aplicaciones electrónicas y fotovoltaicas

  • FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Investigador/a)

Ejecución: 30-12-2016 - 29-12-2019

Tipo: Nacional

Importe financiado: 205700,00 Euros.

  • iMarina

Vidrio de superespines de nanocristales de Co en multicapas Co/Ag crecidas por MBE

  • Palomares Simón, Francisco Javier (Director)
  • Alonso Prieto, María (Director)
  • Gutierrez Delgado, Felix Alejandro (Tutor)
  • FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Autor o Coautor) Doctorando: Navarro Ramírez, Enrique

29/11/2019

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.

Última actualización de los datos: 16/02/26 3:52