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Naranjo Vega, Fernando Bernabé

Electrónica / Universidad de Alcalá

Actividades

Influence of the AlN interlayer thickness on the photovoltaic properties of in-rich AlInN on Si heterojunctions deposited by RF sputtering

  • Valdueza-Felip, S.
  • Núñez-Cascajero, A.
  • Blasco, R.
  • Montero, D.
  • Grenet, L.
  • De La Mata, M.
  • Fernández, S.
  • Rodríguez-De Marcos, L.
  • Molina, S.I.
  • Olea, J.
  • Naranjo, F.B.
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AIP Advances - 2018

Editor: American Institute of Physics Inc.

10.1063/1.5041924 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 2158-3226

Effect of different buffer layers on the quality of InGaN layers grown on Si

  • Gómez, V.J.
  • Grandal, J.
  • Núñez-Cascajero, A.
  • Naranjo, F.B.
  • Varela, M.
  • Sánchez-García, M.A.
  • Calleja, E.
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Aip Advances - 1/10/2018

Editor: American Institute of Physics Inc.

10.1063/1.5046756 Ver en origen

  • ISSN 21583226
  • ISSN/ISBN 2158-3226

Local vibrational modes of H complexes in Mg-doped GaN grown by molecular beam epitaxy

  • Cuscó, R.
  • Artús, L.
  • Pastor, D.
  • Naranjo, F.B.
  • Calleja, E.

Applied Physics Letters (p. 897-899) - 9/2/2004

10.1063/1.1645668 Ver en origen

  • ISSN 00036951
  • ISSN/ISBN 0003-6951

Carrier localization in InN/InGaN multiple-quantum wells with high In-content

  • Valdueza-Felip, S.
  • Rigutti, L.
  • Naranjo, F.B.
  • Ruterana, P.
  • Mangeney, J.
  • Julien, F.H.
  • González-Herráez, M.
  • Monroy, E.
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Applied Physics Letters - 2012

10.1063/1.4742157 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 0003-6951

Third order nonlinear susceptibility of InN at near band-gap wavelengths

  • Naranjo, F.B.
  • González-Herráez, M.
  • Fernández, H.
  • Solis, J.
  • Monroy, E.

Applied Physics Letters - 2007

10.1063/1.2709891 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 0003-6951

Resonant Raman scattering in strained and relaxed InGaN/GaN multi-quantum wells

  • Lazić, S.
  • Moreno, M.
  • Calleja, J.M.
  • Trampert, A.
  • Ploog, K.H.
  • Naranjo, F.B.
  • Fernandez, S.
  • Calleja, E.
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Applied Physics Letters (p. 1-3) - 7/2/2005

10.1063/1.1861496 Ver en origen

  • ISSN 00036951
  • ISSN/ISBN 0003-6951

Resonant-cavity InGaN multiple-quantum-well green light-emitting diode grown by molecular-beam epitaxy

  • Naranjo, F.B.
  • Fernández, S.
  • Sánchez-García, M.A.
  • Calle, F.
  • Calleja, E.

Applied Physics Letters (p. 2198-2200) - 25/3/2002

10.1063/1.1463701 Ver en origen

  • ISSN 00036951
  • ISSN/ISBN 0003-6951

Nonlinear absorption of InN/InGaN multiple-quantum-well structures at optical telecommunication wavelengths

  • Naranjo, F.B.
  • Kandaswamy, P.K.
  • Valdueza-Felip, S.
  • Calvo, V.
  • González-Herráez, M.
  • Martín-López, S.
  • Corredera, P.
  • Ḿndez, J.A.
  • Mutta, G.R.
  • Lacroix, B.
  • Ruterana, P.
  • Monroy, E.
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Applied Physics Letters - 2011

10.1063/1.3535609 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 0003-6951

Strong localization in InGaN layers with high In content grown by molecular-beam epitaxy

  • Naranjo, F.B.
  • Sánchez-García, M.A.
  • Calle, F.
  • Calleja, E.
  • Jenichen, B.
  • Ploog, K.H.

Applied Physics Letters (p. 231-233) - 14/1/2002

Editor: American Institute of Physics Inc.

10.1063/1.1432751 Ver en origen

  • ISSN 00036951
  • ISSN/ISBN 0003-6951

High-quality distributed Bragg reflectors based on AlxGa1-xN/GaN multilayers grown by molecular-beam epitaxy

  • Fernández, S.
  • Naranjo, F.B.
  • Calle, F.
  • Sánchez-García, M.A.
  • Calleja, E.
  • Vennegues, P.
  • Trampert, A.
  • Ploog, K.H.
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Applied Physics Letters (p. 2136-2138) - 1/10/2001

Editor: American Institute of Physics Inc.

10.1063/1.1401090 Ver en origen

  • ISSN 00036951
  • ISSN/ISBN 0003-6951

Este/a investigador/a no tiene libros.

Este/a investigador/a no tiene capítulos de libro.

Desarrollo de nitruros basados en InN para aplicaciones fotovoltaicas

  • Arántzazu Núñez Cascajero
  • Laura Monteagudo Lerma
  • Marco Jiménez Rodríguez
  • Sirona Valdueza Felip
  • Eva Monroy
  • Ana Isabel Ruiz Matute
  • Miguel González Herráez
  • Fernando Bernabé Naranjo Vega
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Quintas Jornadas de Jóvenes Investigadores de la Universidad de Alcalá: Ciencias e Ingenierías (p. 65-74) - 2016

Editor: Editorial Universidad de Alcalá

  • ISSN/ISBN 978-84-16133-98-7

Development of two-step etching approach for aluminium doped zinc oxide using a combination of standard HCl and NH4Cl etch steps

  • Fernández, S.
  • Pust, S.E.
  • Hüpkes, J.
  • Naranjo, F.B.

Thin Solid Films (p. 4678-4684) - 2012

10.1016/j.tsf.2011.10.190 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 0040-6090

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Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.

Este/a investigador/a no tiene proyectos de investigación.

Este/a investigador/a no tiene tesis dirigidas.

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Última actualización de los datos: 24/04/24 13:12