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Valdueza Felip, Sirona

Electrónica / Universidad de Alcalá

Actividades

Characterization of the resonant third-order nonlinear susceptibility of Si-doped GaN-AlN quantum wells and quantum dots at 1.5 μm

  • Valdueza-Felip, S.
  • Naranjo, F.B.
  • Gonzalez-Herraez, M.
  • Fernandez, H.
  • Solis, J.
  • Guillot, F.
  • Monroy, E.
  • Nevou, L.
  • Tchernycheva, M.
  • Julien, F.H.
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IEEE Photonics Technology Letters (p. 1366-1368) - 2008

10.1109/lpt.2008.926842 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 1041-1135

Non-linear properties of nitride-based nanostructures for optically controlling the speed of light at 1.5 mu m

  • Naranjo, F.B.
  • González-Herráez, M.
  • Valdueza-Felip, S.
  • Fernández, H.
  • Solis, J.
  • Fernández, S.
  • Monroy, E.
  • Grandal, J.
  • Sánchez-García, M.A.
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Microelectronics Journal (p. 349-352) - 1/1/2009

Editor: Elsevier Ltd

10.1016/j.mejo.2008.07.029 Ver en origen

  • ISSN 00262692
  • ISSN/ISBN 0026-2692

Stranski-Krastanow growth of (112̄2) -oriented GaN/AlN quantum dots

  • Lahourcade, L.
  • Valdueza-Felip, S.
  • Kehagias, T.
  • Dimitrakopulos, G.P.
  • Komninou, P.
  • Monroy, E.

Applied Physics Letters - 2009

10.1063/1.3095499 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 0003-6951

Applications of ZnO:Al deposited by RF sputtering to InN low-cost technology

  • Fernández, S.
  • Naranjo, F.B.
  • Valdueza-Felip, S.
  • De Abril, O.

Physica Status Solidi A-Applications And Materials Science (p. 1717-1721) - 1/7/2010

10.1002/pssa.200983725 Ver en origen

  • ISSN 00318965
  • ISSN/ISBN 1862-6300

Influence of deposition conditions on nanocrystalline InN layers synthesized on Si(1 1 1) and GaN templates by RF sputtering

  • Valdueza-Felip, S.
  • Naranjo, F.B.
  • González-Herráez, M.
  • Lahourcade, L.
  • Monroy, E.
  • Fernández, S.

Journal of Crystal Growth (p. 2689-2694) - 2010

Editor: Elsevier B.V.

10.1016/j.jcrysgro.2010.05.036 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 0022-0248

Performance improvement of AlNGaN-based intersubband detectors by using quantum dots

  • Hofstetter, D.
  • Di Francesco, J.
  • Kandaswamy, P.K.
  • Das, A.
  • Valdueza-Felip, S.
  • Monroy, E.

IEEE Photonics Technology Letters (p. 1087-1089) - 2010

10.1109/lpt.2010.2050057 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 1041-1135

High-sensitive SPR sensing with Indium Nitride as a dielectric overlay of optical fibers

  • Esteban, O.
  • Naranjo, F.B.
  • Díaz-Herrera, N.
  • Valdueza-Felip, S.
  • Navarrete, M.-C.
  • González-Cano, A.

Sensors and Actuators, B: Chemical (p. 372-376) - 2011

10.1016/j.snb.2011.06.038 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 0925-4005

High-surface-quality nanocrystalline InN layers deposited on GaN templates by RF sputtering

  • Valdueza-Felip, S.
  • Naranjo, F.B.
  • González-Herráez, M.
  • Lahourcade, L.
  • Monroy, E.
  • Fernández, S.

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science (p. 65-69) - 2011

10.1002/pssa.200925636 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 1862-6300

Nonlinear absorption of InN/InGaN multiple-quantum-well structures at optical telecommunication wavelengths

  • Naranjo, F.B.
  • Kandaswamy, P.K.
  • Valdueza-Felip, S.
  • Calvo, V.
  • González-Herráez, M.
  • Martín-López, S.
  • Corredera, P.
  • Ḿndez, J.A.
  • Mutta, G.R.
  • Lacroix, B.
  • Ruterana, P.
  • Monroy, E.
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Applied Physics Letters - 2011

10.1063/1.3535609 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 0003-6951

Infrared photoluminescence of high In-content InN/InGaN multiple-quantum-wells

  • Valdueza-Felip, S.
  • Rigutti, L.
  • Naranjo, F.B.
  • Lacroix, B.
  • Fernández, S.
  • Ruterana, P.
  • Julien, F.H.
  • González-Herráez, M.
  • Monroy, E.
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Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science (p. 17-20) - 2012

10.1002/pssa.201100188 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 1862-6300

Este/a investigador/a no tiene libros.

Este/a investigador/a no tiene capítulos de libro.

Novel nitride - Based materials for nonlinear optical signal processing applications at 1.5 μm

  • Valdueza-Felip, S.
  • Naranjo, F.B.
  • González-Herráez, M.
  • Fernández, H.
  • Solis, J.
  • Fernández, S.
  • Guillot, F.
  • Monroy, E.
  • Grandal, J.
  • Sánchez-García, M.A.
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2007 Ieee International Symposium On Intelligent Signal Processing, Wisp (p. 1-6) - 1/12/2007

10.1109/wisp.2007.4447511 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 9781424408306

Characterization of the resonant third-order nonlinear susceptibility of Si-doped GaN/AlN quantum wells and quantum dots at 1.5 μm

  • Valdueza-Felip, S.
  • Naranjo, F.B.
  • González-Herráez, M.
  • Fernández, H.
  • Solis, J.
  • Guillot, F.
  • Monroy, E.
  • Tchernycheva, M.
  • Nevou, L.
  • Julián, F.H.
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Optics InfoBase Conference Papers - 2008

Editor: Optical Society of America

  • ISSN/ISBN 2162-2701

P-type doping of semipolar GaN(1122) by plasma-assisted molecular-beam epitaxy

  • Das, A.
  • Lahourcade, L.
  • Pernot, J.
  • Valdueza-Felip, S.
  • Ruterana, P.
  • Laufer, A.
  • Eickhoff, M.
  • Monroy, E.
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Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics (p. 1913-1915) - 2010

10.1002/pssc.200983618 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 1862-6351

Novel InN/InGaN multiple quantum well structures for slow-light generation at telecommunication wavelengths

  • Naranjo, F.B.
  • Kandaswamy, P.K.
  • Valdueza-Felip, S.
  • Lahourcade, L.
  • Calvo, V.
  • González-Herráez, M.
  • Martín-López, S.
  • Corredera, P.
  • Monroy, E.
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Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics (p. 100-103) - 2010

Editor: Wiley-VCH Verlag

10.1002/pssc.200982628 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 1610-1642

Performance improvement of AlN/GaN-based intersubband detectors thanks to quantum dot active regions

  • Hofstetter, D.
  • Di Francesco, J.
  • Baumann, E.
  • Giorgetta, F.R.
  • Kandaswamy, P.K.
  • Das, A.
  • Valdueza-Felip, S.
  • Monroy, E.
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Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering - 2010

10.1117/12.861569 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 0277-786X

Improved performance of SPR optical fiber sensors with InN as dielectric cover

  • Esteban, Ó.
  • Naranjo, F.B.
  • Díaz-Herrera, N.
  • Valdueza-Felip, S.
  • Navarrete, M.C.
  • González Cano, A.

Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering - 2011

10.1117/12.885081 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 0277-786X

Development of ZnO:Al-based transparent contacts deposited at low-temperature by RF-sputtering on InN layers

  • Fernández, S.
  • Naranjo, F.B.
  • de Abril, O.
  • Valdueza-Felip, S.

Physica Status Solidi (C) Current Topics In Solid State Physics (p. 1065-1069) - 1/3/2012

10.1002/pssc.201100146 Ver en origen

  • ISSN 18626351
  • ISSN/ISBN 1862-6351

Desarrollo de nitruros basados en InN para aplicaciones fotovoltaicas

  • Arántzazu Núñez Cascajero
  • Laura Monteagudo Lerma
  • Marco Jiménez Rodríguez
  • Sirona Valdueza Felip
  • Eva Monroy
  • Ana Isabel Ruiz Matute
  • Miguel González Herráez
  • Fernando Bernabé Naranjo Vega
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Quintas Jornadas de Jóvenes Investigadores de la Universidad de Alcalá: Ciencias e Ingenierías (p. 65-74) - 2016

Editor: Editorial Universidad de Alcalá

  • ISSN/ISBN 978-84-16133-98-7

Study of high In-content AlInN deposition on p-Si(111) by RF-sputtering

  • Núñez-Cascajero, A.
  • Monteagudo-Lerma, L.
  • Valdueza-Felip, S.
  • Navío, C.
  • Monroy, E.
  • González-Herráez, M.
  • Naranjo, F.B.
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Japanese Journal of Applied Physics - 2016

Editor: Japan Society of Applied Physics

10.7567/jjap.55.05fb07 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 1347-4065

Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.

Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.

Este/a investigador/a no tiene proyectos de investigación.

Este/a investigador/a no tiene tesis dirigidas.

Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.

Última actualización de los datos: 24/04/24 13:02