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Valdueza Felip, Sirona

Electrónica / Universidad de Alcalá

Actividades

Waveguide saturable absorbers at 1.55 μm based on intraband transitions in GaN/AlN QDs

  • Monteagudo-Lerma, L.
  • Valdueza-Felip, S.
  • Naranjo, F.B.
  • Corredera, P.
  • Rapenne, L.
  • Sarigiannidou, E.
  • Strasser, G.
  • Monroy, E.
  • González-Herráez, M.
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Optics Express (p. 27578-27586) - 2013

Editor: Optical Society of American (OSA)

10.1364/oe.21.027578 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 1094-4087

Two-step method for the deposition of AlN by radio frequency sputtering

  • Monteagudo-Lerma, L.
  • Valdueza-Felip, S.
  • Núñez-Cascajero, A.
  • González-Herráez, M.
  • Monroy, E.
  • Naranjo, F.B.

Thin Solid Films (p. 149-153) - 2013

10.1016/j.tsf.2013.07.062 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 0040-6090

Stranski-Krastanow growth of (112̄2) -oriented GaN/AlN quantum dots

  • Lahourcade, L.
  • Valdueza-Felip, S.
  • Kehagias, T.
  • Dimitrakopulos, G.P.
  • Komninou, P.
  • Monroy, E.

Applied Physics Letters - 2009

10.1063/1.3095499 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 0003-6951

Quality improvement of AlInN/p-Si heterojunctions with AlN buffer layer deposited by RF-sputtering

  • Núñez-Cascajero, A.
  • Valdueza-Felip, S.
  • Blasco, R.
  • de la Mata, M.
  • Molina, S.I.
  • González-Herráez, M.
  • Monroy, E.
  • Naranjo, F.B.
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Journal of Alloys and Compounds (p. 824-830) - 2018

Editor: Elsevier Ltd

10.1016/j.jallcom.2018.08.059 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 0925-8388

Photovoltaic response of InGaN/GaN multiple-quantum well solar cells

  • Valdueza-Felip, S.
  • Mukhtarova, A.
  • Pan, Q.
  • Altamura, G.
  • Grenet, L.
  • Durand, C.
  • Bougerol, C.
  • Peyrade, D.
  • González-Posada, F.
  • Eymery, J.
  • Monroy, E.
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Japanese Journal of Applied Physics - 2013

10.7567/jjap.52.08jh05 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 0021-4922

Performance improvement of AlNGaN-based intersubband detectors by using quantum dots

  • Hofstetter, D.
  • Di Francesco, J.
  • Kandaswamy, P.K.
  • Das, A.
  • Valdueza-Felip, S.
  • Monroy, E.

IEEE Photonics Technology Letters (p. 1087-1089) - 2010

10.1109/lpt.2010.2050057 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 1041-1135

P-i-n InGaN homojunctions (10–40% In) synthesized by plasma-assisted molecular beam epitaxy with extended photoresponse to 600 nm

  • Valdueza-Felip, S.
  • Ajay, A.
  • Redaelli, L.
  • Chauvat, M.P.
  • Ruterana, P.
  • Cremel, T.
  • Jiménez-Rodríguez, M.
  • Kheng, K.
  • Monroy, E.
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Solar Energy Materials and Solar Cells (p. 355-360) - 2017

Editor: Elsevier B.V.

10.1016/j.solmat.2016.10.007 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 0927-0248

Nonlinear absorption of InN/InGaN multiple-quantum-well structures at optical telecommunication wavelengths

  • Naranjo, F.B.
  • Kandaswamy, P.K.
  • Valdueza-Felip, S.
  • Calvo, V.
  • González-Herráez, M.
  • Martín-López, S.
  • Corredera, P.
  • Ḿndez, J.A.
  • Mutta, G.R.
  • Lacroix, B.
  • Ruterana, P.
  • Monroy, E.
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Applied Physics Letters - 2011

10.1063/1.3535609 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 0003-6951

Nonlinear absorption at optical telecommunication wavelengths of InN films deposited by RF sputtering

  • Valdueza-Felip, S.
  • Monteagudo-Lerma, L.
  • Mangeney, J.
  • Gonzalez-Herraez, M.
  • Julien, F.H.
  • Naranjo, F.B.

IEEE Photonics Technology Letters (p. 1998-2000) - 2012

10.1109/lpt.2012.2217484 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 1041-1135

Non-linear properties of nitride-based nanostructures for optically controlling the speed of light at 1.5 mu m

  • Naranjo, F.B.
  • González-Herráez, M.
  • Valdueza-Felip, S.
  • Fernández, H.
  • Solis, J.
  • Fernández, S.
  • Monroy, E.
  • Grandal, J.
  • Sánchez-García, M.A.
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Microelectronics Journal (p. 349-352) - 1/1/2009

Editor: Elsevier Ltd

10.1016/j.mejo.2008.07.029 Ver en origen

  • ISSN 00262692
  • ISSN/ISBN 0026-2692

Este/a investigador/a no tiene libros.

Este/a investigador/a no tiene capítulos de libro.

Study of high In-content AlInN deposition on p-Si(111) by RF-sputtering

  • Núñez-Cascajero, A.
  • Monteagudo-Lerma, L.
  • Valdueza-Felip, S.
  • Navío, C.
  • Monroy, E.
  • González-Herráez, M.
  • Naranjo, F.B.
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Japanese Journal of Applied Physics - 2016

Editor: Japan Society of Applied Physics

10.7567/jjap.55.05fb07 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 1347-4065

Performance improvement of AlN/GaN-based intersubband detectors thanks to quantum dot active regions

  • Hofstetter, D.
  • Di Francesco, J.
  • Baumann, E.
  • Giorgetta, F.R.
  • Kandaswamy, P.K.
  • Das, A.
  • Valdueza-Felip, S.
  • Monroy, E.
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Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering - 2010

10.1117/12.861569 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 0277-786X

P-type doping of semipolar GaN(1122) by plasma-assisted molecular-beam epitaxy

  • Das, A.
  • Lahourcade, L.
  • Pernot, J.
  • Valdueza-Felip, S.
  • Ruterana, P.
  • Laufer, A.
  • Eickhoff, M.
  • Monroy, E.
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Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics (p. 1913-1915) - 2010

10.1002/pssc.200983618 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 1862-6351

Novel nitride - Based materials for nonlinear optical signal processing applications at 1.5 μm

  • Valdueza-Felip, S.
  • Naranjo, F.B.
  • González-Herráez, M.
  • Fernández, H.
  • Solis, J.
  • Fernández, S.
  • Guillot, F.
  • Monroy, E.
  • Grandal, J.
  • Sánchez-García, M.A.
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2007 Ieee International Symposium On Intelligent Signal Processing, Wisp (p. 1-6) - 1/12/2007

10.1109/wisp.2007.4447511 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 9781424408306

Novel InN/InGaN multiple quantum well structures for slow-light generation at telecommunication wavelengths

  • Naranjo, F.B.
  • Kandaswamy, P.K.
  • Valdueza-Felip, S.
  • Lahourcade, L.
  • Calvo, V.
  • González-Herráez, M.
  • Martín-López, S.
  • Corredera, P.
  • Monroy, E.
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Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics (p. 100-103) - 2010

Editor: Wiley-VCH Verlag

10.1002/pssc.200982628 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 1610-1642

Improved performance of SPR optical fiber sensors with InN as dielectric cover

  • Esteban, Ó.
  • Naranjo, F.B.
  • Díaz-Herrera, N.
  • Valdueza-Felip, S.
  • Navarrete, M.C.
  • González Cano, A.

Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering - 2011

10.1117/12.885081 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 0277-786X

Development of ZnO:Al-based transparent contacts deposited at low-temperature by RF-sputtering on InN layers

  • Fernández, S.
  • Naranjo, F.B.
  • de Abril, O.
  • Valdueza-Felip, S.

Physica Status Solidi (C) Current Topics In Solid State Physics (p. 1065-1069) - 1/3/2012

10.1002/pssc.201100146 Ver en origen

  • ISSN 18626351
  • ISSN/ISBN 1862-6351

Desarrollo de nitruros basados en InN para aplicaciones fotovoltaicas

  • Arántzazu Núñez Cascajero
  • Laura Monteagudo Lerma
  • Marco Jiménez Rodríguez
  • Sirona Valdueza Felip
  • Eva Monroy
  • Ana Isabel Ruiz Matute
  • Miguel González Herráez
  • Fernando Bernabé Naranjo Vega
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Quintas Jornadas de Jóvenes Investigadores de la Universidad de Alcalá: Ciencias e Ingenierías (p. 65-74) - 2016

Editor: Editorial Universidad de Alcalá

  • ISSN/ISBN 978-84-16133-98-7

Characterization of the resonant third-order nonlinear susceptibility of Si-doped GaN/AlN quantum wells and quantum dots at 1.5 μm

  • Valdueza-Felip, S.
  • Naranjo, F.B.
  • González-Herráez, M.
  • Fernández, H.
  • Solis, J.
  • Guillot, F.
  • Monroy, E.
  • Tchernycheva, M.
  • Nevou, L.
  • Julián, F.H.
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Optics InfoBase Conference Papers - 2008

Editor: Optical Society of America

  • ISSN/ISBN 2162-2701

Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.

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Última actualización de los datos: 24/04/24 13:02