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Valdueza Felip, Sirona

Electrónica / Universidad de Alcalá

Actividades

Influence of the AlN interlayer thickness on the photovoltaic properties of in-rich AlInN on Si heterojunctions deposited by RF sputtering

  • Valdueza-Felip, S.
  • Núñez-Cascajero, A.
  • Blasco, R.
  • Montero, D.
  • Grenet, L.
  • De La Mata, M.
  • Fernández, S.
  • Rodríguez-De Marcos, L.
  • Molina, S.I.
  • Olea, J.
  • Naranjo, F.B.
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AIP Advances - 2018

Editor: American Institute of Physics Inc.

10.1063/1.5041924 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 2158-3226

Improved conversion efficiency of as-grown InGaN/GaN quantum-well solar cells for hybrid integration

  • Valdueza-Felip, S.
  • Mukhtarova, A.
  • Grenet, L.
  • Bougerol, C.
  • Durand, C.
  • Eymery, J.
  • Monroy, E.
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Applied Physics Express - 2014

Editor: Japan Society of Applied Physics

10.7567/apex.7.032301 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 1882-0786

Nonlinear absorption of InN/InGaN multiple-quantum-well structures at optical telecommunication wavelengths

  • Naranjo, F.B.
  • Kandaswamy, P.K.
  • Valdueza-Felip, S.
  • Calvo, V.
  • González-Herráez, M.
  • Martín-López, S.
  • Corredera, P.
  • Ḿndez, J.A.
  • Mutta, G.R.
  • Lacroix, B.
  • Ruterana, P.
  • Monroy, E.
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Applied Physics Letters - 2011

10.1063/1.3535609 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 0003-6951

Dependence of the photovoltaic performance of pseudomorphic InGaN/GaN multiple-quantum-well solar cells on the active region thickness

  • Mukhtarova, A.
  • Valdueza-Felip, S.
  • Redaelli, L.
  • Durand, C.
  • Bougerol, C.
  • Monroy, E.
  • Eymery, J.
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Applied Physics Letters - 2016

Editor: American Institute of Physics Inc.

10.1063/1.4947445 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 0003-6951

Effect of the quantum well thickness on the performance of InGaN photovoltaic cells

  • Redaelli, L.
  • Mukhtarova, A.
  • Valdueza-Felip, S.
  • Ajay, A.
  • Bougerol, C.
  • Himwas, C.
  • Faure-Vincent, J.
  • Durand, C.
  • Eymery, J.
  • Monroy, E.
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Applied Physics Letters - 2014

Editor: American Institute of Physics Inc.

10.1063/1.4896679 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 0003-6951

Carrier localization in InN/InGaN multiple-quantum wells with high In-content

  • Valdueza-Felip, S.
  • Rigutti, L.
  • Naranjo, F.B.
  • Ruterana, P.
  • Mangeney, J.
  • Julien, F.H.
  • González-Herráez, M.
  • Monroy, E.
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Applied Physics Letters - 2012

10.1063/1.4742157 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 0003-6951

Stranski-Krastanow growth of (112̄2) -oriented GaN/AlN quantum dots

  • Lahourcade, L.
  • Valdueza-Felip, S.
  • Kehagias, T.
  • Dimitrakopulos, G.P.
  • Komninou, P.
  • Monroy, E.

Applied Physics Letters - 2009

10.1063/1.3095499 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 0003-6951

Design of AlInN on silicon heterojunctions grown by sputtering for solar devices

  • Blasco, R.
  • Naranjo, F.B.
  • Valdueza-Felip, S.

Current Applied Physics (p. 1244-1252) - 2020

Editor: Elsevier B.V.

10.1016/j.cap.2020.07.018 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 1567-1739

Nonlinear absorption at optical telecommunication wavelengths of InN films deposited by RF sputtering

  • Valdueza-Felip, S.
  • Monteagudo-Lerma, L.
  • Mangeney, J.
  • Gonzalez-Herraez, M.
  • Julien, F.H.
  • Naranjo, F.B.

IEEE Photonics Technology Letters (p. 1998-2000) - 2012

10.1109/lpt.2012.2217484 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 1041-1135

Characterization of the resonant third-order nonlinear susceptibility of Si-doped GaN-AlN quantum wells and quantum dots at 1.5 μm

  • Valdueza-Felip, S.
  • Naranjo, F.B.
  • Gonzalez-Herraez, M.
  • Fernandez, H.
  • Solis, J.
  • Guillot, F.
  • Monroy, E.
  • Nevou, L.
  • Tchernycheva, M.
  • Julien, F.H.
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IEEE Photonics Technology Letters (p. 1366-1368) - 2008

10.1109/lpt.2008.926842 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 1041-1135

Este/a investigador/a no tiene libros.

Este/a investigador/a no tiene capítulos de libro.

Novel nitride - Based materials for nonlinear optical signal processing applications at 1.5 μm

  • Valdueza-Felip, S.
  • Naranjo, F.B.
  • González-Herráez, M.
  • Fernández, H.
  • Solis, J.
  • Fernández, S.
  • Guillot, F.
  • Monroy, E.
  • Grandal, J.
  • Sánchez-García, M.A.
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2007 Ieee International Symposium On Intelligent Signal Processing, Wisp (p. 1-6) - 1/12/2007

10.1109/wisp.2007.4447511 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 9781424408306

Study of high In-content AlInN deposition on p-Si(111) by RF-sputtering

  • Núñez-Cascajero, A.
  • Monteagudo-Lerma, L.
  • Valdueza-Felip, S.
  • Navío, C.
  • Monroy, E.
  • González-Herráez, M.
  • Naranjo, F.B.
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Japanese Journal of Applied Physics - 2016

Editor: Japan Society of Applied Physics

10.7567/jjap.55.05fb07 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 1347-4065

Characterization of the resonant third-order nonlinear susceptibility of Si-doped GaN/AlN quantum wells and quantum dots at 1.5 μm

  • Valdueza-Felip, S.
  • Naranjo, F.B.
  • González-Herráez, M.
  • Fernández, H.
  • Solis, J.
  • Guillot, F.
  • Monroy, E.
  • Tchernycheva, M.
  • Nevou, L.
  • Julián, F.H.
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Optics InfoBase Conference Papers - 2008

Editor: Optical Society of America

  • ISSN/ISBN 2162-2701

Development of ZnO:Al-based transparent contacts deposited at low-temperature by RF-sputtering on InN layers

  • Fernández, S.
  • Naranjo, F.B.
  • de Abril, O.
  • Valdueza-Felip, S.

Physica Status Solidi (C) Current Topics In Solid State Physics (p. 1065-1069) - 1/3/2012

10.1002/pssc.201100146 Ver en origen

  • ISSN 18626351
  • ISSN/ISBN 1862-6351

Novel InN/InGaN multiple quantum well structures for slow-light generation at telecommunication wavelengths

  • Naranjo, F.B.
  • Kandaswamy, P.K.
  • Valdueza-Felip, S.
  • Lahourcade, L.
  • Calvo, V.
  • González-Herráez, M.
  • Martín-López, S.
  • Corredera, P.
  • Monroy, E.
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Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics (p. 100-103) - 2010

Editor: Wiley-VCH Verlag

10.1002/pssc.200982628 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 1610-1642

P-type doping of semipolar GaN(1122) by plasma-assisted molecular-beam epitaxy

  • Das, A.
  • Lahourcade, L.
  • Pernot, J.
  • Valdueza-Felip, S.
  • Ruterana, P.
  • Laufer, A.
  • Eickhoff, M.
  • Monroy, E.
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Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics (p. 1913-1915) - 2010

10.1002/pssc.200983618 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 1862-6351

Performance improvement of AlN/GaN-based intersubband detectors thanks to quantum dot active regions

  • Hofstetter, D.
  • Di Francesco, J.
  • Baumann, E.
  • Giorgetta, F.R.
  • Kandaswamy, P.K.
  • Das, A.
  • Valdueza-Felip, S.
  • Monroy, E.
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Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering - 2010

10.1117/12.861569 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 0277-786X

Improved performance of SPR optical fiber sensors with InN as dielectric cover

  • Esteban, Ó.
  • Naranjo, F.B.
  • Díaz-Herrera, N.
  • Valdueza-Felip, S.
  • Navarrete, M.C.
  • González Cano, A.

Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering - 2011

10.1117/12.885081 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 0277-786X

Desarrollo de nitruros basados en InN para aplicaciones fotovoltaicas

  • Arántzazu Núñez Cascajero
  • Laura Monteagudo Lerma
  • Marco Jiménez Rodríguez
  • Sirona Valdueza Felip
  • Eva Monroy
  • Ana Isabel Ruiz Matute
  • Miguel González Herráez
  • Fernando Bernabé Naranjo Vega
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Quintas Jornadas de Jóvenes Investigadores de la Universidad de Alcalá: Ciencias e Ingenierías (p. 65-74) - 2016

Editor: Editorial Universidad de Alcalá

  • ISSN/ISBN 978-84-16133-98-7

Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.

Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.

Este/a investigador/a no tiene proyectos de investigación.

Este/a investigador/a no tiene tesis dirigidas.

Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.

Última actualización de los datos: 24/04/24 13:02