Valdueza Felip, Sirona
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III-nitride-based waveguides for ultrafast all-optical signal processing at 1.55 μm
- Monteagudo-Lerma, L.
- Naranjo, F.B.
- Valdueza-Felip, S.
- Jiménez-Rodríguez, M.
- Monroy, E.
- Postigo, P.A.
- Corredera, P.
- González-Herráez, M.
Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science (p. 1269-1275) - 2016
Editor: Wiley-VCH Verlag
10.1002/pssa.201532810 Ver en origen
- ISSN/ISBN 1862-6319
Influence of the AlInN Thickness on the Photovoltaic Characteristics of AlInN on Si Solar Cells Deposited by RF Sputtering
- Blasco, R.
- Núñez-Cascajero, A.
- Jiménez-Rodríguez, M.
- Montero, D.
- Grenet, L.
- Olea, J.
- Naranjo, F.B.
- Valdueza-Felip, S.
Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science - 2019
Editor: Wiley-VCH Verlag
10.1002/pssa.201800494 Ver en origen
- ISSN/ISBN 1862-6319
Waveguide saturable absorbers at 1.55 μm based on intraband transitions in GaN/AlN QDs
- Monteagudo-Lerma, L.
- Valdueza-Felip, S.
- Naranjo, F.B.
- Corredera, P.
- Rapenne, L.
- Sarigiannidou, E.
- Strasser, G.
- Monroy, E.
- González-Herráez, M.
Optics Express (p. 27578-27586) - 2013
Editor: Optical Society of American (OSA)
10.1364/oe.21.027578 Ver en origen
- ISSN/ISBN 1094-4087
Non-linear properties of nitride-based nanostructures for optically controlling the speed of light at 1.5 mu m
- Naranjo, F.B.
- González-Herráez, M.
- Valdueza-Felip, S.
- Fernández, H.
- Solis, J.
- Fernández, S.
- Monroy, E.
- Grandal, J.
- Sánchez-García, M.A.
Microelectronics Journal (p. 349-352) - 1/1/2009
Editor: Elsevier Ltd
10.1016/j.mejo.2008.07.029 Ver en origen
- ISSN 00262692
- ISSN/ISBN 0026-2692
High quality Al0.37In0.63N layers grown at low temperature (<300 °C) by radio-frequency sputtering
- Núñez-Cascajero, A.
- Blasco, R.
- Valdueza-Felip, S.
- Montero, D.
- Olea, J.
- Naranjo, F.B.
Materials Science in Semiconductor Processing (p. 8-14) - 2019
Editor: Elsevier Ltd
10.1016/j.mssp.2019.04.029 Ver en origen
- ISSN/ISBN 1369-8001
Comparison of the Material Quality of AlxIn1−xN (x—0–0.50) Films Deposited on Si(100) and Si(111) at Low Temperature by Reactive RF Sputtering
- Sun, M.
- Blasco, R.
- Nwodo, J.
- de la Mata, M.
- Molina, S.I.
- Ajay, A.
- Monroy, E.
- Valdueza-Felip, S.
- Naranjo, F.B.
Materials - 2022
Editor: MDPI
10.3390/ma15207373 Ver en origen
- ISSN/ISBN 1996-1944
AlxIn1-xN on Si (100) Solar Cells (x = 0-0.56) deposited by RF sputtering
- Valdueza-Felip, S.
- Blasco, R.
- Olea, J.
- Díaz-Lobo, A.
- Braña, A.F.
- Naranjo, F.B.
Materials - 1/5/2020
Editor: MDPI AG
10.3390/ma13102336 Ver en origen
- ISSN 19961944
- ISSN/ISBN 1996-1944
In-rich AlxIn1-xN grown by RF-sputtering on sapphire: From closely-packed columnar to high-surface quality compact layers
- Núñez-Cascajero, A.
- Valdueza-Felip, S.
- Monteagudo-Lerma, L.
- Monroy, E.
- Taylor-Shaw, E.
- Martin, R.W.
- González-Herráez, M.
- Naranjo, F.B.
Journal of Physics D: Applied Physics - 2017
Editor: Institute of Physics Publishing
10.1088/1361-6463/aa53d5 Ver en origen
- ISSN/ISBN 1361-6463
Influence of deposition conditions on nanocrystalline InN layers synthesized on Si(1 1 1) and GaN templates by RF sputtering
- Valdueza-Felip, S.
- Naranjo, F.B.
- González-Herráez, M.
- Lahourcade, L.
- Monroy, E.
- Fernández, S.
Journal of Crystal Growth (p. 2689-2694) - 2010
Editor: Elsevier B.V.
10.1016/j.jcrysgro.2010.05.036 Ver en origen
- ISSN/ISBN 0022-0248
Morphology and arrangement of InN nanocolumns deposited by radio-frequency sputtering: Effect of the buffer layer
- Monteagudo-Lerma, L.
- Valdueza-Felip, S.
- Núñez-Cascajero, A.
- Ruiz, A.
- González-Herráez, M.
- Monroy, E.
- Naranjo, F.B.
Journal of Crystal Growth (p. 13-18) - 2016
Editor: Elsevier
10.1016/j.jcrysgro.2015.10.016 Ver en origen
- ISSN/ISBN 0022-0248
Este/a investigador/a no tiene libros.
Este/a investigador/a no tiene capítulos de libro.
Desarrollo de nitruros basados en InN para aplicaciones fotovoltaicas
- Arántzazu Núñez Cascajero
- Laura Monteagudo Lerma
- Marco Jiménez Rodríguez
- Sirona Valdueza Felip
- Eva Monroy
- Ana Isabel Ruiz Matute
- Miguel González Herráez
- Fernando Bernabé Naranjo Vega
Quintas Jornadas de Jóvenes Investigadores de la Universidad de Alcalá: Ciencias e Ingenierías (p. 65-74) - 2016
Editor: Editorial Universidad de Alcalá
- ISSN/ISBN 978-84-16133-98-7
Performance improvement of AlN/GaN-based intersubband detectors thanks to quantum dot active regions
- Hofstetter, D.
- Di Francesco, J.
- Baumann, E.
- Giorgetta, F.R.
- Kandaswamy, P.K.
- Das, A.
- Valdueza-Felip, S.
- Monroy, E.
Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering - 2010
10.1117/12.861569 Ver en origen
- ISSN/ISBN 0277-786X
Improved performance of SPR optical fiber sensors with InN as dielectric cover
- Esteban, Ó.
- Naranjo, F.B.
- Díaz-Herrera, N.
- Valdueza-Felip, S.
- Navarrete, M.C.
- González Cano, A.
Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering - 2011
10.1117/12.885081 Ver en origen
- ISSN/ISBN 0277-786X
Novel InN/InGaN multiple quantum well structures for slow-light generation at telecommunication wavelengths
- Naranjo, F.B.
- Kandaswamy, P.K.
- Valdueza-Felip, S.
- Lahourcade, L.
- Calvo, V.
- González-Herráez, M.
- Martín-López, S.
- Corredera, P.
- Monroy, E.
Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics (p. 100-103) - 2010
Editor: Wiley-VCH Verlag
10.1002/pssc.200982628 Ver en origen
- ISSN/ISBN 1610-1642
P-type doping of semipolar GaN(1122) by plasma-assisted molecular-beam epitaxy
- Das, A.
- Lahourcade, L.
- Pernot, J.
- Valdueza-Felip, S.
- Ruterana, P.
- Laufer, A.
- Eickhoff, M.
- Monroy, E.
Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics (p. 1913-1915) - 2010
10.1002/pssc.200983618 Ver en origen
- ISSN/ISBN 1862-6351
Development of ZnO:Al-based transparent contacts deposited at low-temperature by RF-sputtering on InN layers
- Fernández, S.
- Naranjo, F.B.
- de Abril, O.
- Valdueza-Felip, S.
Physica Status Solidi (C) Current Topics In Solid State Physics (p. 1065-1069) - 1/3/2012
10.1002/pssc.201100146 Ver en origen
- ISSN 18626351
- ISSN/ISBN 1862-6351
Characterization of the resonant third-order nonlinear susceptibility of Si-doped GaN/AlN quantum wells and quantum dots at 1.5 μm
- Valdueza-Felip, S.
- Naranjo, F.B.
- González-Herráez, M.
- Fernández, H.
- Solis, J.
- Guillot, F.
- Monroy, E.
- Tchernycheva, M.
- Nevou, L.
- Julián, F.H.
Optics InfoBase Conference Papers - 2008
Editor: Optical Society of America
- ISSN/ISBN 2162-2701
Study of high In-content AlInN deposition on p-Si(111) by RF-sputtering
- Núñez-Cascajero, A.
- Monteagudo-Lerma, L.
- Valdueza-Felip, S.
- Navío, C.
- Monroy, E.
- González-Herráez, M.
- Naranjo, F.B.
Japanese Journal of Applied Physics - 2016
Editor: Japan Society of Applied Physics
10.7567/jjap.55.05fb07 Ver en origen
- ISSN/ISBN 1347-4065
Novel nitride - Based materials for nonlinear optical signal processing applications at 1.5 μm
- Valdueza-Felip, S.
- Naranjo, F.B.
- González-Herráez, M.
- Fernández, H.
- Solis, J.
- Fernández, S.
- Guillot, F.
- Monroy, E.
- Grandal, J.
- Sánchez-García, M.A.
2007 Ieee International Symposium On Intelligent Signal Processing, Wisp (p. 1-6) - 1/12/2007
10.1109/wisp.2007.4447511 Ver en origen
- ISSN/ISBN 9781424408306
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Grupos de investigación
Perfiles de investigador/a
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