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Valdueza Felip, Sirona

Electrónica / Universidad de Alcalá

Actividades

Nonlinear absorption at optical telecommunication wavelengths of InN films deposited by RF sputtering

  • Valdueza-Felip, S.
  • Monteagudo-Lerma, L.
  • Mangeney, J.
  • Gonzalez-Herraez, M.
  • Julien, F.H.
  • Naranjo, F.B.

IEEE Photonics Technology Letters (p. 1998-2000) - 2012

10.1109/lpt.2012.2217484 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 1041-1135

Carrier localization in InN/InGaN multiple-quantum wells with high In-content

  • Valdueza-Felip, S.
  • Rigutti, L.
  • Naranjo, F.B.
  • Ruterana, P.
  • Mangeney, J.
  • Julien, F.H.
  • González-Herráez, M.
  • Monroy, E.
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Applied Physics Letters - 2012

10.1063/1.4742157 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 0003-6951

Improvement of InN layers deposited on Si(111) by RF sputtering using a low-growth-rate InN buffer layer

  • Valdueza-Felip, S.
  • Ibáñez, J.
  • Monroy, E.
  • González-Herráez, M.
  • Artús, L.
  • Naranjo, F.B.

Thin Solid Films (p. 2805-2809) - 2012

10.1016/j.tsf.2011.12.034 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 0040-6090

Waveguide saturable absorbers at 1.55 μm based on intraband transitions in GaN/AlN QDs

  • Monteagudo-Lerma, L.
  • Valdueza-Felip, S.
  • Naranjo, F.B.
  • Corredera, P.
  • Rapenne, L.
  • Sarigiannidou, E.
  • Strasser, G.
  • Monroy, E.
  • González-Herráez, M.
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Optics Express (p. 27578-27586) - 2013

Editor: Optical Society of American (OSA)

10.1364/oe.21.027578 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 1094-4087

Two-step method for the deposition of AlN by radio frequency sputtering

  • Monteagudo-Lerma, L.
  • Valdueza-Felip, S.
  • Núñez-Cascajero, A.
  • González-Herráez, M.
  • Monroy, E.
  • Naranjo, F.B.

Thin Solid Films (p. 149-153) - 2013

10.1016/j.tsf.2013.07.062 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 0040-6090

Photovoltaic response of InGaN/GaN multiple-quantum well solar cells

  • Valdueza-Felip, S.
  • Mukhtarova, A.
  • Pan, Q.
  • Altamura, G.
  • Grenet, L.
  • Durand, C.
  • Bougerol, C.
  • Peyrade, D.
  • González-Posada, F.
  • Eymery, J.
  • Monroy, E.
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Japanese Journal of Applied Physics - 2013

10.7567/jjap.52.08jh05 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 0021-4922

InGaN/GaN multiple-quantum well heterostructures for solar cells grown by MOVPE: Case studies

  • Mukhtarova, A.
  • Valdueza-Felip, S.
  • Durand, C.
  • Pan, Q.
  • Grenet, L.
  • Peyrade, D.
  • Bougerol, C.
  • Chikhaoui, W.
  • Monroy, E.
  • Eymery, J.
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Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics (p. 350-354) - 2013

10.1002/pssc.201200682 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 1862-6351

Effect of the quantum well thickness on the performance of InGaN photovoltaic cells

  • Redaelli, L.
  • Mukhtarova, A.
  • Valdueza-Felip, S.
  • Ajay, A.
  • Bougerol, C.
  • Himwas, C.
  • Faure-Vincent, J.
  • Durand, C.
  • Eymery, J.
  • Monroy, E.
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Applied Physics Letters - 2014

Editor: American Institute of Physics Inc.

10.1063/1.4896679 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 0003-6951

Improved conversion efficiency of as-grown InGaN/GaN quantum-well solar cells for hybrid integration

  • Valdueza-Felip, S.
  • Mukhtarova, A.
  • Grenet, L.
  • Bougerol, C.
  • Durand, C.
  • Eymery, J.
  • Monroy, E.
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Applied Physics Express - 2014

Editor: Japan Society of Applied Physics

10.7567/apex.7.032301 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 1882-0786

Effect of the barrier thickness on the performance of multiple-quantum-well InGaN photovoltaic cells

  • Redaelli, L.
  • Mukhtarova, A.
  • Ajay, A.
  • Núñez-Cascajero, A.
  • Valdueza-Felip, S.
  • Bleuse, J.
  • Durand, C.
  • Eymery, J.
  • Monroy, E.
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Japanese Journal of Applied Physics - 2015

Editor: Japan Society of Applied Physics

10.7567/jjap.54.072302 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 1347-4065

Este/a investigador/a no tiene libros.

Este/a investigador/a no tiene capítulos de libro.

Novel nitride - Based materials for nonlinear optical signal processing applications at 1.5 μm

  • Valdueza-Felip, S.
  • Naranjo, F.B.
  • González-Herráez, M.
  • Fernández, H.
  • Solis, J.
  • Fernández, S.
  • Guillot, F.
  • Monroy, E.
  • Grandal, J.
  • Sánchez-García, M.A.
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2007 Ieee International Symposium On Intelligent Signal Processing, Wisp (p. 1-6) - 1/12/2007

10.1109/wisp.2007.4447511 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 9781424408306

Characterization of the resonant third-order nonlinear susceptibility of Si-doped GaN/AlN quantum wells and quantum dots at 1.5 μm

  • Valdueza-Felip, S.
  • Naranjo, F.B.
  • González-Herráez, M.
  • Fernández, H.
  • Solis, J.
  • Guillot, F.
  • Monroy, E.
  • Tchernycheva, M.
  • Nevou, L.
  • Julián, F.H.
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Optics InfoBase Conference Papers - 2008

Editor: Optical Society of America

  • ISSN/ISBN 2162-2701

P-type doping of semipolar GaN(1122) by plasma-assisted molecular-beam epitaxy

  • Das, A.
  • Lahourcade, L.
  • Pernot, J.
  • Valdueza-Felip, S.
  • Ruterana, P.
  • Laufer, A.
  • Eickhoff, M.
  • Monroy, E.
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Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics (p. 1913-1915) - 2010

10.1002/pssc.200983618 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 1862-6351

Novel InN/InGaN multiple quantum well structures for slow-light generation at telecommunication wavelengths

  • Naranjo, F.B.
  • Kandaswamy, P.K.
  • Valdueza-Felip, S.
  • Lahourcade, L.
  • Calvo, V.
  • González-Herráez, M.
  • Martín-López, S.
  • Corredera, P.
  • Monroy, E.
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Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics (p. 100-103) - 2010

Editor: Wiley-VCH Verlag

10.1002/pssc.200982628 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 1610-1642

Performance improvement of AlN/GaN-based intersubband detectors thanks to quantum dot active regions

  • Hofstetter, D.
  • Di Francesco, J.
  • Baumann, E.
  • Giorgetta, F.R.
  • Kandaswamy, P.K.
  • Das, A.
  • Valdueza-Felip, S.
  • Monroy, E.
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Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering - 2010

10.1117/12.861569 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 0277-786X

Improved performance of SPR optical fiber sensors with InN as dielectric cover

  • Esteban, Ó.
  • Naranjo, F.B.
  • Díaz-Herrera, N.
  • Valdueza-Felip, S.
  • Navarrete, M.C.
  • González Cano, A.

Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering - 2011

10.1117/12.885081 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 0277-786X

Development of ZnO:Al-based transparent contacts deposited at low-temperature by RF-sputtering on InN layers

  • Fernández, S.
  • Naranjo, F.B.
  • de Abril, O.
  • Valdueza-Felip, S.

Physica Status Solidi (C) Current Topics In Solid State Physics (p. 1065-1069) - 1/3/2012

10.1002/pssc.201100146 Ver en origen

  • ISSN 18626351
  • ISSN/ISBN 1862-6351

Desarrollo de nitruros basados en InN para aplicaciones fotovoltaicas

  • Arántzazu Núñez Cascajero
  • Laura Monteagudo Lerma
  • Marco Jiménez Rodríguez
  • Sirona Valdueza Felip
  • Eva Monroy
  • Ana Isabel Ruiz Matute
  • Miguel González Herráez
  • Fernando Bernabé Naranjo Vega
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Quintas Jornadas de Jóvenes Investigadores de la Universidad de Alcalá: Ciencias e Ingenierías (p. 65-74) - 2016

Editor: Editorial Universidad de Alcalá

  • ISSN/ISBN 978-84-16133-98-7

Study of high In-content AlInN deposition on p-Si(111) by RF-sputtering

  • Núñez-Cascajero, A.
  • Monteagudo-Lerma, L.
  • Valdueza-Felip, S.
  • Navío, C.
  • Monroy, E.
  • González-Herráez, M.
  • Naranjo, F.B.
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Japanese Journal of Applied Physics - 2016

Editor: Japan Society of Applied Physics

10.7567/jjap.55.05fb07 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 1347-4065

Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.

Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.

Este/a investigador/a no tiene proyectos de investigación.

Este/a investigador/a no tiene tesis dirigidas.

Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.

Última actualización de los datos: 24/04/24 13:02