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Perfil en el portal institucional

Brańa De Cal, Alejandro Francisco alejandro.brana@uam.es

Física aplicada / Universidad Autónoma de Madrid

Actividades

Improved AlGaN/GaN high electron mobility transistor using AlN interlayers

  • Jiménez, A.
  • Bougrioua, Z.
  • Tirado, J.M.
  • Braña, A.F.
  • Calleja, E.
  • Muñoz, E.
  • Moerman, I.
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Applied Physics Letters (p. 4827-4829) - 30/6/2003

Editor: American Institute of Physics Inc.

10.1063/1.1588379 Ver en origen

  • ISSN 00036951
  • ISSN/ISBN 0003-6951

Surface cleaning and preparation in AlGaN/GaN-based HEMT processing as assessed by X-ray photoelectron spectroscopy

  • Gonzalez-Posada, F
  • Bardwell, JA
  • Moisa, S
  • Haffouz, S
  • Tang, HP
  • Brana, AF
  • Munoz, E
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Applied Surface Science (p. 6185-6190) - 15/5/2007

10.1016/j.apsusc.2007.01.016 Ver en origen

  • ISSN 01694332

Study of various technological parameters on the C-V-g and the G-V-g characteristics of MOS structures

  • Rejaiba, O
  • Brana, AF
  • Matoussi, A

European Physical Journal Plus - 1/8/2016

10.1140/epjp/i2016-16281-5 Ver en origen

  • ISSN 21905444

Erratum to: Study of various technological parameters on the C-Vg and the G-Vg characteristics of MOS structures (Eur. Phys. J. Plus, (2016), 131, (281), 10.1140/epjp/i2016-16281-5)

  • Rejaiba O., Braña A.F., Matoussi A.

European Physical Journal Plus - 1/3/2017

10.1140/epjp/i2017-11433-9 Ver en origen

  • ISSN 21905444

Hopping conductivity and activated transport in InxGa1-xAs quantum wells

  • Urbina A., Díaz-Paniagua C., Braña A., Batallán F.

European Physical Journal b (p. 463-468) - 2/12/2001

10.1007/s10051-001-8699-9 Ver en origen

  • ISSN 14346028

Effects of N-2 plasma pretreatment on the SiN passivation of AlGaN/GaN HEMT

  • Romero, M.F.
  • Jiménez, A.
  • Miguel-Sánchez, J.
  • Braña, A.F.
  • González-Posada, F.
  • Cuerdo, R.
  • Calle, F.
  • Muñoz, E.
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Ieee Electron Device Letters (p. 209-211) - 1/3/2008

10.1109/led.2008.915568 Ver en origen

  • ISSN 07413106
  • ISSN/ISBN 0741-3106

Scattering times in AlGaN/GaN two-dimensional electron gas from magnetoresistance measurements

  • Braña A., Diaz-Paniagua C., Batallan F., Garrido J., Muñoz E., Omnes F.

Journal Of Applied Physics (p. 932-937) - 15/7/2000

10.1063/1.373758 Ver en origen

  • ISSN 00218979

Surface optical phonons in GaAs nanowires grown by Ga-assisted chemical beam epitaxy

  • Garcia Nunez, C.
  • Brana, A. F.
  • Pau, J. L.
  • Ghita, D.
  • Garcia, B. J.
  • Shen, G.
  • Wilbert, D. S.
  • Kim, S. M.
  • Kung, P.;
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Journal Of Applied Physics - 21/1/2014

10.1063/1.4862742 Ver en origen

  • ISSN 00218979

Growth of GaP1-x-yAsyNx on Si substrates by chemical beam epitaxy

  • Ben Saddik K., Braña A.F., López N., Walukiewicz W., García B.J.

Journal Of Applied Physics - 14/9/2019

10.1063/1.5111090 Ver en origen

  • ISSN 00218979

Series and parallel resistance effects on the C-V and G-V characteristics of Al/SiO2/Si structure (vol 15, pg 831, 2016)

  • Rejaiba, Omar
  • Brana, Alejandro F.
  • Matoussi, Adel;

Journal Of Computational Electronics (p. 486-486) - 1/6/2017

10.1007/s10825-017-0970-2 Ver en origen

  • ISSN 15698025

Este/a investigador/a no tiene libros.

Este/a investigador/a no tiene capítulos de libro.

Improved AlGaN/GaN HEMTs using Fe doping

  • Braña, A.F.
  • Jimenez, A.
  • Bougrioua, Z.
  • Azize, M.
  • Cubilla, P.P.
  • De Bobadilla, Y.J.F.
  • Romero, F.
  • Montojo, M.T.
  • Verdu, M.
  • Grajal, J.
  • Munõz, E.
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2005 Spanish Conference On Electron Devices, Proceedings (p. 119-121) - 1/12/2005

10.1109/sced.2005.1504325 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 9780780388109

Bias selection for conversion and linearity optimization in a GaN HEMT resistive mixer

  • Peña, R.
  • García, J.A.
  • Braña, A.
  • Jiménez, A.
  • Muñoz, E.

2006 International Workshop on Integrated Nonlinear Microwave and Millimeter-Wave Circuits, INMMIC 2006 - Proceedings (p. 84-87) - 1/1/2006

Editor: Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

10.1109/inmmic.2006.283515 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 9780780397231

2-DEG characteristics improvement by N-2-plasma exposure in GaNHEMT heterostructures

  • González-Posada, F.
  • Braña, A.F.
  • Romero, D.L.
  • Romero, M.F.
  • Jimenez, A.
  • Arranz, A.
  • Palacio, C.
  • Muñoz, E.
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2007 Spanish Conference On Electron Devices, Proceedings (p. 154-+) - 1/1/2007

Editor: IEEE Computer Society

10.1109/sced.2007.384015 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 9781424408689

2-DEG characteristics improvement by N2-plasma exposure in HEMT heterostructures.

  • Gonzalez-Posada, F
  • Braña de Cal, Alejandro Francisco
  • Romero, DL
  • Romero, MF
  • Jimenez, A
  • Arranz de Gustin, Antonio
  • Palacio Orcajo, Carlos
  • Munoz, E
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6ª Conferencia de Dispositivos Electrónicos. CDE 2007. - 1/2/2007

  • iMarina

Pure zincblende Ga(As,P) nanowires grown by Ga-assisted chemical beam epitaxy

  • Garcia Nuñez, Carlos
  • Garcia Carretero, Basilio Javier
  • Braña de Cal, Alejandro Francisco
  • Pau Vizcaino, Jose Luis

Journal Of Crystal Growth (p. 205-212) - 10/6/2013

10.1016/j.jcrysgro.2013.03.025 Ver en origen

  • ISSN 00220248

High temperature assessment of nitride-based devices

  • Calle Gómez, Fernando

Journal Of Materials Science-Materials In Electronics (p. 189-193) - 1/2/2008

10.1007/s10854-007-9298-1 Ver en origen

  • ISSN 09574522

Fabrication and characterization of multiband solar cells based on highly mismatched alloys

  • Lopez, N.
  • Brana, A. F.
  • Garcia Nunez, C.
  • Hernandez, M. J.
  • Cervera, M.
  • Martinez, M.
  • Yu, K. M.
  • Walukiewicz, W.
  • Garcia, B. J.;
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Journal Of Physics: Conference Series - 13/10/2015

10.1088/1742-6596/647/1/012067 Ver en origen

  • ISSN 17426588

High Efficiency Si Solar Cells Characterization Using Impedance Spectroscopy Analysis

  • Brana, A. F.
  • Fornies, E.
  • Lopez, N.
  • Garcia, B. J.;

Journal Of Physics: Conference Series - 13/10/2015

10.1088/1742-6596/647/1/012069 Ver en origen

  • ISSN 17426588

Amorphous ITAZO films as advanced coatings for cost-effective silicon based photovoltaic device technology

  • FernÃinde, S.
  • GarcÃ-A-Parez, F.
  • Borlaf, F.
  • GÃmez-Mancebo, B.
  • BraǍa, A.F.
  • Naranjo, F.B.
  • GarcÃ-A-HernÃindez, M.
  • Munuera, C.
... Ver más Contraer

Materials Today: Proceedings (p. 13694-13702) - 1/1/2018

Editor: Elsevier Ltd

10.1016/j.matpr.2018.02.007 Ver en origen

  • ISSN 22147853
  • ISSN/ISBN 2214-7853

Real Time Distributed Solar Irradiance sensing: A step closer to smart photovoltaic grids

  • Magalhães, R.
  • Costa, L.
  • Martin-Lopez, S.
  • Gonzalez-Herraez, M.
  • Braña, A.F.
  • Martins, H.F.

Optics Infobase Conference Papers - 1/1/2020

Editor: Optica Publishing Group (formerly OSA)

  • ISSN/ISBN 9781557523075

Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.

Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.

Asistencia técnica para la optimización de técnicas de proceso del GaN

  • Braña de Cal, Alejandro Francisco (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-01-2001 - 01-01-2002

  • iMarina

Tecnología de fabricación de dispositivos de alta frecuencia/alta temperatura basados en nitruros

  • Braña de Cal, Alejandro Francisco (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-01-2001 - 01-01-2004

  • iMarina

Estudio del Efecto Hall anómalo en multicapas magnéticas. Aplicación a la detección de la inversión de la imanación

  • Braña de Cal, Alejandro Francisco (Investigador principal (IP))

Ejecución: Desde 01-01-2000

  • iMarina

Histéresis, relajación y magnetotransporte en materiales nanoestructurados

  • Braña de Cal, Alejandro Francisco (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-01-1999 - 01-01-2001

  • iMarina

Gallium nitride substrates and components

  • Braña de Cal, Alejandro Francisco (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-01-1999 - 01-01-2001

  • iMarina

DESARROLLO DE AMPLIFICADORES DE POTENCIA (HPAS) EN BANDA ANCHA UTILIZANDO TRANSISTORES HEMT DE NITRURO DE GALIO

  • Jesus Grajal De la Fuente
  • Juan Antonio Nieto (Investigador principal (IP))
  • Gismero Menoyo, Javier (Investigador/a)

Ejecución: Desde 01-01-2004

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene tesis dirigidas.

Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.

Última actualización de los datos: 24/04/24 13:11