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Perfil en el portal institucional

Brańa De Cal, Alejandro Francisco alejandro.brana@uam.es

Física aplicada / Universidad Autónoma de Madrid

Actividades

Oscillatory effective mass in the two-dimensional electron gas from Shubnikov-de Haas measurements

  • Diaz-Paniagua, C.
  • Hidalgo, M.A.
  • Braña, A.F.
  • Urbina, A.
  • Batallan, F.
  • Fernandez De Avila, S.
  • Gonzalez-Sanz, F.
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Solid State Communications (p. 785-790) - 9/3/1999

Editor: Elsevier Science Ltd

10.1016/s0038-1098(99)00036-8 Ver en origen

  • ISSN 00381098
  • ISSN/ISBN 0038-1098

Scattering times in AlGaN/GaN two-dimensional electron gas from magnetoresistance measurements

  • Braña A., Diaz-Paniagua C., Batallan F., Garrido J., Muñoz E., Omnes F.

Journal Of Applied Physics (p. 932-937) - 15/7/2000

10.1063/1.373758 Ver en origen

  • ISSN 00218979

Hopping conductivity and activated transport in InxGa1-xAs quantum wells

  • Urbina A., Díaz-Paniagua C., Braña A., Batallán F.

European Physical Journal b (p. 463-468) - 2/12/2001

10.1007/s10051-001-8699-9 Ver en origen

  • ISSN 14346028

Molecular dynamics and thermal hysteresis loops of the 60/40 vinylidene fluoride-trifluoroethylene ferroelectric copolymer

  • Cabarcos E., Braña A., Frick B., Batallan F.

Physical Review b (p. 1-4) - 1/1/2002

10.1103/physrevb.65.104110 Ver en origen

  • ISSN 01631829

Improved AlGaN/GaN high electron mobility transistor using AlN interlayers

  • Jiménez, A.
  • Bougrioua, Z.
  • Tirado, J.M.
  • Braña, A.F.
  • Calleja, E.
  • Muñoz, E.
  • Moerman, I.
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Applied Physics Letters (p. 4827-4829) - 30/6/2003

Editor: American Institute of Physics Inc.

10.1063/1.1588379 Ver en origen

  • ISSN 00036951
  • ISSN/ISBN 0003-6951

Thermal hysteresis loop in the elastic incoherent scattering function of vinylidene fluoride and trifluoroethylene ferroelectric copolymers

  • Lopez Cabarcos E., Braña A.F., Frick B., Batallan F.

Physical Review b - 1/1/2005

10.1103/physrevb.71.184304 Ver en origen

  • ISSN 01631829

Surface cleaning and preparation in AlGaN/GaN-based HEMT processing as assessed by X-ray photoelectron spectroscopy

  • Gonzalez-Posada, F
  • Bardwell, JA
  • Moisa, S
  • Haffouz, S
  • Tang, HP
  • Brana, AF
  • Munoz, E
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Applied Surface Science (p. 6185-6190) - 15/5/2007

10.1016/j.apsusc.2007.01.016 Ver en origen

  • ISSN 01694332

Characteristic lengths measured by incoherent elastic and quasielastic neutron scattering within the thermal hysteresis loop in a ferroelectric copolymer

  • Cabarcos, EL
  • Brana, AF
  • Frick, B
  • Batallan, F

Physical Review b - 31/8/2007

10.1103/physrevb.76.064308 Ver en origen

  • ISSN 01631829

Aluminium incorporation in AlxGa1-xN/GaN heterostructures: A comparative study by ion beam analysis and X-ray diffraction

  • Redondo-Cubero, A
  • Gago, R
  • Gonzalez-Posada, F
  • Kreissig, U
  • Poisson, MAF
  • Brana, AF
  • Munoz, E
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Thin Solid Films (p. 8447-8452) - 1/10/2008

10.1016/j.tsf.2008.04.069 Ver en origen

  • ISSN 00406090

Effects of N-2 plasma pretreatment on the SiN passivation of AlGaN/GaN HEMT

  • Romero, M.F.
  • Jiménez, A.
  • Miguel-Sánchez, J.
  • Braña, A.F.
  • González-Posada, F.
  • Cuerdo, R.
  • Calle, F.
  • Muñoz, E.
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Ieee Electron Device Letters (p. 209-211) - 1/3/2008

10.1109/led.2008.915568 Ver en origen

  • ISSN 07413106
  • ISSN/ISBN 0741-3106

Este/a investigador/a no tiene libros.

Este/a investigador/a no tiene capítulos de libro.

Some materials problems in GaN HEMTS

  • Millan Martinez, Jaime
  • Braña de Cal, Alejandro Francisco
  • Romero Collazos, Juan Francisco

1/10/2005

  • iMarina

Fe doping for making resistive GaN layers with low dislocation density; consequence on HEMTs

  • Bougrioua, Z.
  • Azize, M.
  • Jimenez, A.
  • Braña, A.-F.
  • Lorenzini, P.
  • Beaumont, B.
  • Muñoz, E.
  • Gibart, P.
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Physica Status Solidi (C) Current Topics In Solid State Physics (p. 2424-2428) - 7/11/2005

10.1002/pssc.200461588 Ver en origen

  • ISSN 18626351
  • ISSN/ISBN 1610-1634

Improved AlGaN/GaN HEMTs using Fe doping

  • Braña, A.F.
  • Jimenez, A.
  • Bougrioua, Z.
  • Azize, M.
  • Cubilla, P.P.
  • De Bobadilla, Y.J.F.
  • Romero, F.
  • Montojo, M.T.
  • Verdu, M.
  • Grajal, J.
  • Munõz, E.
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2005 Spanish Conference On Electron Devices, Proceedings (p. 119-121) - 1/12/2005

10.1109/sced.2005.1504325 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 9780780388109

Bias selection for conversion and linearity optimization in a GaN HEMT resistive mixer

  • Peña, R.
  • García, J.A.
  • Braña, A.
  • Jiménez, A.
  • Muñoz, E.

2006 International Workshop on Integrated Nonlinear Microwave and Millimeter-Wave Circuits, INMMIC 2006 - Proceedings (p. 84-87) - 1/1/2006

Editor: Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

10.1109/inmmic.2006.283515 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 9780780397231

High temperature measurements of GaN-based devices: HEMTs and p-i(MQW)-n photodiodes

  • Braña de Cal, Alejandro Francisco
  • Pau Vizcaino, Jose Luis

1/10/2006

  • iMarina

2-DEG characteristics improvement by N-2-plasma exposure in GaNHEMT heterostructures

  • González-Posada, F.
  • Braña, A.F.
  • Romero, D.L.
  • Romero, M.F.
  • Jimenez, A.
  • Arranz, A.
  • Palacio, C.
  • Muñoz, E.
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2007 Spanish Conference On Electron Devices, Proceedings (p. 154-+) - 1/1/2007

Editor: IEEE Computer Society

10.1109/sced.2007.384015 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 9781424408689

2-DEG characteristics improvement by N2-plasma exposure in HEMT heterostructures.

  • Gonzalez-Posada, F
  • Braña de Cal, Alejandro Francisco
  • Romero, DL
  • Romero, MF
  • Jimenez, A
  • Arranz de Gustin, Antonio
  • Palacio Orcajo, Carlos
  • Munoz, E
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6ª Conferencia de Dispositivos Electrónicos. CDE 2007. - 1/2/2007

  • iMarina

High temperature behaviour of GaNHEMT devices on Si(111) and sapphire substrates

  • Calle Gómez, Fernando

Physica Status Solidi (C) Current Topics In Solid State Physics (p. 1971-+) - 1/1/2008

10.1002/pssc.200778555 Ver en origen

  • ISSN 18626351

Study of SiNx : H-y passivant layers for AlGaN/GaN high electron mobility transistors

  • Redondo-Cubero, A.
  • Gago, R.
  • Romero, M.F.
  • Jiménez, A.
  • González-Posada, F.
  • Braña, A.F.
  • Muñoz, E.
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Physica Status Solidi (C) Current Topics In Solid State Physics (p. 518-+) - 1/12/2008

10.1002/pssc.200777473 Ver en origen

  • ISSN 18626351
  • ISSN/ISBN 1862-6351

High temperature assessment of nitride-based devices

  • Calle Gómez, Fernando

Journal Of Materials Science-Materials In Electronics (p. 189-193) - 1/2/2008

10.1007/s10854-007-9298-1 Ver en origen

  • ISSN 09574522

Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.

Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.

Histéresis, relajación y magnetotransporte en materiales nanoestructurados

  • Braña de Cal, Alejandro Francisco (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-01-1999 - 01-01-2001

  • iMarina

Gallium nitride substrates and components

  • Braña de Cal, Alejandro Francisco (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-01-1999 - 01-01-2001

  • iMarina

Estudio del Efecto Hall anómalo en multicapas magnéticas. Aplicación a la detección de la inversión de la imanación

  • Braña de Cal, Alejandro Francisco (Investigador principal (IP))

Ejecución: Desde 01-01-2000

  • iMarina

Development of gan processing building blocks

  • Braña de Cal, Alejandro Francisco (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-01-2001 - 01-01-2003

  • iMarina

Asistencia técnica para la optimización de técnicas de proceso del GaN

  • Braña de Cal, Alejandro Francisco (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-01-2001 - 01-01-2002

  • iMarina

Tecnología de fabricación de dispositivos de alta frecuencia/alta temperatura basados en nitruros

  • Braña de Cal, Alejandro Francisco (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-01-2001 - 01-01-2004

  • iMarina

Fabricación y evaluación de nuevos dispositivos de nitruro de galio para transistores de potencia de GaN para microondas

  • Braña de Cal, Alejandro Francisco (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-01-2002 - 01-01-2003

  • iMarina

Asistencia técnica para el desarrollo de transistores de potencia HEMT de GaN para microondas

  • Braña de Cal, Alejandro Francisco (Investigador principal (IP))

Ejecución: Desde 01-01-2002

  • iMarina

Detectores de radiación infrarroja (4.2-4.7 µm) y ultravioleta-c (260-290 nm) para la rápida detección de incendios forestales

  • Braña de Cal, Alejandro Francisco (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-01-2002 - 01-01-2004

  • iMarina

Asistencia técnica para el desarrollo de transistores GaN de potencia para amplificadores de radiofrecuencia

  • Braña de Cal, Alejandro Francisco (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-01-2003 - 01-01-2004

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene tesis dirigidas.

Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.

Última actualización de los datos: 24/04/24 13:11