Calleja Pardo, Enrique enrique.calleja@upm.es
Actividades
- Artículos 276
- Libros 0
- Capítulos de libro 2
- Congresos 172
- Documentos de trabajo 0
- Informes técnicos 0
- Proyectos de investigación 19
- Tesis dirigidas 14
- Patentes o licencias de software 0
pn Junction applications and transport properties in polysilicon rods
- Criado A
- Calleja E
- Martinez J
- Piqueras J
- Muñoz E
Solid-State Electronics (p. 693-700) - 1/1/1979
10.1016/0038-1101(79)90077-7 Ver en origen
- ISSN 00381101
Argon-ion bombardment effects on the electrical characteristics of platinum-silicon schottky diodes
- Garrido J
- Calleja E
- Piqueras J
Electronics Letters (p. 815-816) - 6/12/1979
10.1049/el:19790579 Ver en origen
- ISSN 00135194
Resonant tunnelling in thermally degenerated molybdenum and platinum silicon Schottky diodes
- Martinez J
- Calleja E
- Piqueras J
Physica Status Solidi A-Applications And Materials Science (p. 277-286) - 1/1/1980
10.1002/pssa.2210600133 Ver en origen
- ISSN 00318965
Thermal degeneration of Mo and Pt silicon Schottky diodes
- Calleja E
- Garrido J
- Piqueras J
- Martinez A
Solid-State Electronics (p. 591-598) - 1/1/1980
10.1016/0038-1101(80)90041-6 Ver en origen
- ISSN 00381101
Resonant tunneling spectroscopy in Schottky diodes
- Calleja E
- Piqueras J
Journal Of Applied Physics (p. 3980-3983) - 1/12/1980
10.1063/1.328182 Ver en origen
- ISSN 00218979
Current/voltage characteristics of degenerated molybdenum and platinum schottky diodes
- Martinez J
- Calleja E
- Piqueras J
Electronics Letters (p. 183-185) - 28/2/1980
10.1049/el:19800132 Ver en origen
- ISSN 00135194
DEEP CENTERS INTRODUCED BY ARGON ION-BOMBARDMENT IN N-TYPE SILICON
- GARRIDO, J
- CALLEJA, E
- PIQUERAS, J;
Solid-State Electronics (p. 1121-1126) - 1/1/1981
10.1016/0038-1101(81)90180-5 Ver en origen
- ISSN 00381101
Effect of vacuum annealing cleaning on electrical characteristics of GaAs1−x Px-Mo schottky diodes
- Calleja E
- Piqueras J
Electronics Letters (p. 37-39) - 8/1/1981
10.1049/el:19810028 Ver en origen
- ISSN 00135194
ELECTRON TRAPS IN GAAS1-XPX ALLOYS
- CALLEJA, E
- MUNOZ, E
- GARCIA, F;
Applied Physics Letters (p. 528-530) - 1/1/1983
- ISSN 00036951
Este/a investigador/a no tiene libros.
Ga(in)N nanowires grown by molecular beam epitaxy: From quantum light emitters to nanotransistors
- Gačević Ž
- Calleja E
Novel Compound Semiconductor Nanowires: Materials, Devices, And Applications (p. 319-364) - 1/1/2017
AlGaN-based photodetectors for solar UV applications
- Calle Gómez, Fernando
Proceedings Of Spie - The International Society For Optical Engineering (p. 200-210) - 1/1/1999
10.1117/12.344557 Ver en origen
- ISSN 0277786X
- iMarina
- iMarina
AlGaN-based UV detectors and applications
- Calle Gómez, Fernando
Conference Proceedings - Lasers And Electro-Optics Society Annual Meeting-Leos (p. 96-97) - 1/12/1999
- ISSN 10928081
- iMarina
AlGaN photodetectors grown on Si(111) by molecular beam epitaxy
- Pau, J.L.
- Monroy, E.
- Muñoz, E.
- Naranjo, F.B.
- Calle, F.
- Sánchez-García, M.A.
- Calleja, E.
Journal Of Crystal Growth (p. 544-548) - 1/1/2001
Editor: Elsevier
10.1016/s0022-0248(01)01291-x Ver en origen
- ISSN 00220248
- ISSN/ISBN 0022-0248
Visible and solar-blind AlGaN metal-semiconductor-metal photodetectors grown on Si(111) substrates
- Pau, JL
- Muñoz, E
- Sánchez-García, MA
- Calleja, E
Physica Status Solidi A-Applications And Materials Science (p. 314-319) - 1/1/2002
10.1002/1521-396x(200208)192:2<314::aid-pssa314>3.0.co;2-y Ver en origen
- ISSN 00318965
Solar-blind AlGaN-based UV photodetectors grown on Si (111) substrates
- Pau J
- Muñoz E
- Sánchez M
- Calleja E
Proceedings Of Spie - The International Society For Optical Engineering (p. 104-110) - 1/1/2002
10.1117/12.467653 Ver en origen
- ISSN 0277786X
Structural and optical characterization of intrinsic GaN nanocolumns
- Sánchez-Páramo, J
- Calleja, JM
- Sánchez-García, MA
- Calleja, E
- Jahn, U
Physica E-Low-Dimensional Systems & Nanostructures (p. 1070-1073) - 1/3/2002
10.1016/s1386-9477(02)00305-3 Ver en origen
- ISSN 13869477
AlGaN ultraviolet photodetectors grown by molecular beam epitaxy on Si(111) substrates
- Pau, JL
- Monroy, E
- Sánchez-García, MA
- Calleja, E
- Muñoz, E
Materials Science And Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials (p. 159-162) - 30/5/2002
10.1016/s0921-5107(02)00051-x Ver en origen
- ISSN 09215107
Plasma-assisted MBE growth of group-III nitrides: from basics to device applications
- Sánchez-García, M.A.
- Pau, J.L.
- Naranjo, F.
- Jiménez, A.
- Fernández, S.
- Ristic, J.
- Calle, F.
- Calleja, E.
- Muñoz, E.
Materials Science And Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials (p. 189-196) - 30/5/2002
10.1016/s0921-5107(02)00049-1 Ver en origen
- ISSN 09215107
- ISSN/ISBN 0921-5107
Physica Status Solidi (A) Applied Research: Preface
- Calleja E
- Muñoz E
- Ploog K
Physica Status Solidi A-Applications And Materials Science - 1/7/2002
10.1002/1521-396x(200207)192:1<3::aid-pssa3>3.0.co;2-j Ver en origen
- ISSN 00318965
Correlation between the AlN buffer layer thickness and the GaN polarity in GaN/AlN/Si(111) grown by MBE
- Sanchez, AM
- Ruterana, P
- Vennegues, P
- Semond, F
- Pacheco, FJ
- Molina, SI
- Garcia, R
- Sanchez-Garcia, MA
- Calleja, E
Materials Research Society Symposium - Proceedings (p. 157-162) - 1/1/2003
- ISSN 02729172
- iMarina
Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.
Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.
Nanoestructura de Semiconductores como Componentes para La Información Cuántica
- FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Participante)
- GRACIA VERANO, VICTOR (Investigador principal (IP))
- CERUTTI CERUTTI, LAURENT (Investigador principal (IP))
- RISTIC RISTIC, JELENA (Investigador principal (IP))
- SANZ MONASTERIO, MIKEL (Investigador principal (IP))
- HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
- MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-12-2005 - 01-01-2010
Tipo: Regional
- iMarina
Nanoestructuras de semiconductores como componentes par ala información cuántica
- Enrique Calleja Pardo (Investigador principal (IP))
- MONTES BAJO, MIGUEL (Investigador/a)
Ejecución: 01-01-2006 - 01-01-2009
- iMarina
High quality and intrinsic Properties of InN and indium rich Nitride Alloys
- Sanchez Garcia, Miguel Angel (Investigador principal (IP))
- Calle Gómez, Fernando (Participante)
- Calleja Pardo, Enrique (Participante)
Ejecución: 01-10-2008 - 30-09-2012
Tipo: Internacional
Importe financiado: 388526,00 Euros.
- iMarina
Instalación/Actuación: Central de Tecnología del ISOM
- Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
Ejecución: 13-11-2008 - 15-10-2009
Tipo: Nacional
- iMarina
Desarrollo de Micro y Nanocavidades incluyendo regiones activas de puntos cuánticos de Nitruros-III: Aplicaciones a emisiones de luz en azul y UV.
- FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Participante)
- JAN ., UWE (Participante)
- TRAMPET ., ACHIM (Participante)
- LEFREBVE ., PIERRE (Participante)
- RISTIC ., JELENA (Participante)
- GRANJEAN ., NICOLAS (Participante)
- DAUDIN ., BRUNO (Participante)
- RODRIGUEZ CANTO, PEDRO (Participante)
- GODIGNON ., PHILIP (Participante)
- Gacevic, Zarko (Participante)
- UTRERA LÓPEZ, MARÍA (Participante)
- Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-01-2009 - 31-12-2011
Tipo: Nacional
- iMarina
Células Solares de heterounión InGaN y alta eficiencia crecidas por MBE
- FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Participante)
- NANISHI ., YASUSHI (Participante)
- ARTUS SURROCA, LLUIS (Participante)
- Calleja Pardo, Jose Manuel (Participante)
- GRANDAL QUINTANA, JAVIER (Participante)
- Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
- Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-11-2009 - 01-11-2012
Tipo: Nacional
Importe financiado: 40000,00 Euros.
- iMarina
Smart nanostructured semiconductors for energy saving light solutions
- FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Participante)
- Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
- GRANDAL QUINTANA, JAVIER (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
- HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
- PRIETO MARTIN, JOSE LUIS (Participante)
- PADILLA GONZALEZ, ISIDORO (Participante)
- Gacevic, Zarko (Participante)
- Martínez Rodrigo, Javier (Participante)
- Notzel, Richard (Participante)
- Calle Gómez, Fernando (Participante)
Ejecución: 01-09-2009 - 31-08-2012
Tipo: Internacional
Importe financiado: 800650,00 Euros.
- iMarina
Substrate nanopatterning by e-beam lithography to growth ordered arrays of III-Nitride nanodetectors: application to IR detectors, emitters, and new Solar Cells
- Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
- Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
Ejecución: 01-01-2011 - 31-12-2012
Tipo: Internacional
Importe financiado: 153917,00 Euros.
- iMarina
Células Solares de Ingan mejoradas con plasmones superficiales y fabricadas por MBE sobre sustratos de Silicio y Capas de Gan
- Bengoechea Encabo, Ana Mª (Participante)
- YASUSHI NA, NANISHI (Participante)
- MCCONVILLE NA, CHRIS (Participante)
- Notzel, Richard (Participante)
- Gacevic, Zarko (Participante)
- SABIDO SILLER, M CARMEN (Participante)
- Calleja Pardo, Enrique (Participante)
- Sanchez Garcia, Miguel Angel (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-01-2012 - 31-12-2014
Tipo: Nacional
Importe financiado: 269999,00 Euros.
- iMarina
3D GaN for High Efficiency Solid State Lighting
- Bengoechea Encabo, Ana Mª (Participante)
- Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
- Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
- Martínez Rodrigo, Javier (Participante)
- Gacevic, Zarko (Participante)
Ejecución: 01-04-2012 - 31-03-2015
Tipo: Internacional
Importe financiado: 552079,00 Euros.
- iMarina
Aportación al estudio de estructuras pseudomórficas y metamórficas de InGaAs
- Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: SACEDON AYUSO, Ana
1/1/1996
- iMarina
Contribución al estudio de defectos en capas epitaxiales de Gan. Aplicaciones a dispositivos optoelectronicos
- Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: SANCHEZ SANZ, Fernando José
1/1/1999
- iMarina
Crecimiento y caracterización de nitruros del grupo III sobre Si (111) por epitaxia de haces moleculares.
- Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: SANCHEZ GARCIA, Miguel Angel
1/1/2000
- iMarina
Fabricación, caracterización y aplicaciones de detectores de UV basados en AlGaN.
- Muñoz Merino, Elías (Director)
- Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: PAU VIZCAINO, José Luis
1/1/2003
- iMarina
Crecimiento y fabricación de transistores HEMT de AlGaN/GaN por epitaxia de haces moleculares
- Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Ana Jimenez Martín
1/1/2003
- iMarina
Crecimiento, fabricación y caracterización de diodos electroluminiscentes basados en pozos cuánticos de InGaN
- Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Fernando Bernabé Naranjo Vega
1/6/2003
- iMarina
Espejos de Braga de AlGaN/GaN crecidos por Epitaxia de Haces Moleculares para Dispositivos Optoelectrónicos de Cavidad Resonante
- Enrique Calleja Pardo (Director)
- Fernando Calle Gómez (Director) Doctorando: Fernández Ruano, Susana María
1/1/2004
- iMarina
Crecimiento y caracterización de estructuras nanocolumnares de nitruros DLE grupo III.
- Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: RISTIC, Jelena
1/1/2006
- iMarina
Growth and characterization of group-iii nitride nanocolumnar structures - crecimiento y caracterización de estructuras nanocolumnares de nitruros dle grupo iii
- Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Jelena Ristic
1/1/2006
- iMarina
Crecimiento de nitruros del grupo III por epitaxia de haces moleculares para la fabricación de diodos electroluminiscentes en el rango visible-ultravioleta
- Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Sergio Fernández Garrido
1/1/2009
- iMarina
Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.
Perfiles de investigador/a
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