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Calleja Pardo, Enrique enrique.calleja@upm.es

INGENIERÍA ELECTRÓNICA / Universidad Politécnica de Madrid

Publications

(Al,Ga)N ultraviolet photodetectors and applications

  • Muñoz E
  • Monroy E
  • Pau J
  • Calle F
  • Calleja E
  • Omnes F
  • Gibart P
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Physica Status Solidi A-Applications And Materials Science (p. 293-300) - 1/7/2000

10.1002/1521-396x(200007)180:1<293::aid-pssa293>3.0.co;2-j View at source

  • ISSN 00318965

(S)TEM methods contributions to improve the fabrication of InGaN thin films on Si, and InN nanostructures on flat Si and rough InGaN

  • Jimenez, J. J.
  • Manuel, J. M.
  • Aseev, P.
  • Soto Rodriguez, P. E. D.
  • Notzel, R.
  • Gacevic, Z.
  • Calleja, E.
  • Garcia, R.
  • Morales, F. M.;
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Journal Of Alloys And Compounds (p. 697-708) - 30/4/2019

10.1016/j.jallcom.2018.12.319 View at source

  • ISSN 09258388

A CRITICAL ANALYSIS OF CAPACITANCE TRANSIENT SIGNALS DUE TO DX CENTERS IN N-TYPE ALGAAS

  • IZPURA, I
  • MUNOZ, E
  • CALLEJA, E;

Semiconductor Science And Technology (p. 1258-1266) - 1/12/1993

10.1088/0268-1242/8/7/013 View at source

  • ISSN 13616641

A RAMAN-SPECTROSCOPIC STUDY OF THE SI, BE, AND C INCORPORATION IN INXGA1-XAS RELAXED LAYERS

  • ALVAREZ, AL
  • CALLE, F
  • SACEDON, A
  • CALLEJA, E
  • MUNOZ, E
  • WAGNER, J
  • MAIER, M
  • MAZUELAS, A
  • PLOOG, KH;
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Journal Of Applied Physics (p. 4690-4695) - 1/1/1995

10.1063/1.359816 View at source

  • ISSN 00218979

A comprehensive diagram to grow (0001)InGaN alloys by molecular beam epitaxy

  • S. Fernández-Garrido
  • SOTO RODRIGUEZ, PAUL
  • Notzel, Richard
  • Gacevic, Zarko
  • Calleja Pardo, Enrique

Journal Of Crystal Growth (p. 123-127) - 1/1/2013

10.1016/j.jcrysgro.2012.11.031 View at source

  • ISSN 00220248

A comprehensive diagram to grow InAlN alloys by plasma-assisted molecular beam epitaxy

  • Fernandez-Garrido, S.
  • Gacevic, Z.
  • Calleja, E.;

Applied Physics Letters - 21/11/2008

10.1063/1.3026541 View at source

  • ISSN 00036951

A growth diagram for plasma-assisted molecular beam epitaxy of GaN nanocolumns on Si(111)

  • Fernández-Garrido, S
  • Grandal, J
  • Calleja, E
  • Sánchez-García, MA
  • López-Romero, D

Journal Of Applied Physics - 1/12/2009

10.1063/1.3267151 View at source

  • ISSN 00218979

A top-gate GaN nanowire metal-semiconductor field effect transistor with improved channel electrostatic control

  • Ž Ga?evi?
  • D López-Romero
  • T Juan Mangas
  • E Calleja

Applied Physics Letters (p. 033101-033101) - 18/1/2016

10.1063/1.4940197 View at source

  • ISSN 00036951

A word from the editors

  • Calleja E
  • Cristoloveanu S
  • Kuk Y
  • Zaslavsky A

Solid-State Electronics (p. 1-1) - 1/1/2013

10.1016/j.sse.2012.09.003 View at source

  • ISSN 00381101

Accommodation mechanism of InN nanocolumns grown on Si(111) substrates by molecular beam epitaxy

  • Grandal, J
  • Sánchez-García, MA
  • Calleja, E
  • Luna, E
  • Trampert, A

Applied Physics Letters - 1/1/2007

10.1063/1.2756293 View at source

  • ISSN 00036951

This researcher has no books.

Ga(in)N nanowires grown by molecular beam epitaxy: From quantum light emitters to nanotransistors

  • Gačević Ž
  • Calleja E

Novel Compound Semiconductor Nanowires: Materials, Devices, And Applications (p. 319-364) - 1/1/2017

10.1201/9781315364407 View at source

TEM study of (Ga, AI)N nanocolumns and embedded GaN nanodiscs

  • Trampert A
  • Ristic J
  • Jahn U
  • Calleja E
  • Ploog K

Microscopy Of Semiconducting Materials 2003 (p. 167-170) - 1/1/2018

10.1201/9781351074636 View at source

J. IBAÑEZ, S. HERNÁNDEZ, E. ALARCÓN LLADÓ, R. CUSCO, L. ARTUS, E. CALLEJA, S.V. NOVIKOW, C.T. FOXON "Far infrared Transmission in AlGaN Thin Films: Normal and Oblique incidence" 8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-8) Jeju (Kore

  • Calleja Pardo, Enrique

"Far Infrared Transmission In Algan Thin Films: Normal And Oblique Incidence" (p. 0-0) - 18/10/2009

  • iMarina

J. M. Ulloa, C. Çelebi, P. Offermans, P.M. Koenraad, A. Simon, E. Gapihan, A. Letoublon, N. Bertru, I. Drouzas, D.J. Mowbray, M.J. Steer, M. Hopkinson "Capping of InAs quantum dots studied at the atomic scale by cross-sectional scanning tunneling micros

  • P.M. Koenraad
  • P. Offermans
  • N. Bertru
  • M.J. Steer
  • M. Hopkinson
  • I. Drouzas
  • E. Gapihan
  • D.J. Mowbray
  • C. Çelebi
  • A. Letoublon
  • A. Simon
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
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2/4/2007

  • iMarina

J. M. Ulloa, P. M. Koenraad, E. Gapihan, A. Letoublon, N. Bertru "Double capping of InAs/InP (311)B quantum dots studied by cross-sectional scanning tunneling microscopy" One day Quantum Dot Meeting 2007 Nottingham (UK) 2 al 5 de abril de 2007 2007

  • P. M. Koenraad
  • N. Bertru
  • E. Gapihan
  • A. Letoublon
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA

2/4/2007

  • iMarina

J. Ristic, C. Rivera, S. Fernández-Garrido, E. Calleja, A. Trampert, K. H. Ploog, M- Povoloskyi, A. Di Carlo ¿Improved growth mode diagram for plasma-assisted MBE growth of (0001) GaN¿ 7th International Conference on Nitride Semiconductors Bremen (

  • M. POVOLOSKYI
  • K.H. PLOOG
  • J. Ristic
  • A. Trampert
  • A. di Carlo
  • Calleja Pardo, Enrique

16/9/2007

  • iMarina

J.H. Blokland, J.M. Ulloa, U. Zeitler, P.C.M. Christianen, P.M. Koenraad, D. Reuter, A.D. Wieck, J.C. Maan "Shell-filling and correlation effects of holes in InAs quantum dots" International Conference on Electronic Properties of Two-dimensional Syste

  • U. Zeitler
  • P.M. Koenraad
  • P.C.M. Christianen
  • J.H. Blokland
  • A.D. Wieck
  • J.C. Maan
  • D. Reuter
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
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15/7/2007

  • iMarina

J.M. Ulloa, A. Wierts, C. Çelebi, P.M. Koenraad, H. Boukari, L. Maingault, H. Mariette "Cross-Sectional Scanning Tunneling Microscopy on II-VI Semiconductor Multilayer Structures"13th International Conference on II-VI Compounds Jeju (Corea) 10 al 14 d

  • P.M. Koenraad
  • L. MAINGAULT
  • H. MARIETTE
  • H. BOUKARI
  • C. CELEBI
  • A. WIERTS
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
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10/9/2007

  • iMarina

J.M. Ulloa, P.M. Koenraad, E. Gapihan, A. Letoublon, N. Bertru, D. Fuster, Y. Gonzalez, L. Gonzalez "Atomic scale structural characterization of long wavelength InAs/InP quantum dots and wires" International Workshop on Long Wavelenght Quantum Dots: Gro

  • Y. González
  • P.M. Koenraad
  • N. BERTRU
  • L. GONZALEZ
  • E. GAPIHAN
  • D. Fuster
  • A. LETOUBLON
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
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5/7/2007

  • iMarina

K. Bejtka, R.W. Martin, S. Fernández-Garrido, A. Redondo-Cubero, F. González-Posada, E. Calleja "Composition and luminescence of AlInGaN layers grown by MBE" 14th European Molecular Beam Epitaxy Workshop 2007 Sierra Nevada, Granada (ESPAÑA) 5 al 7

  • R.W. Martin
  • K. Bejtka
  • A. Redondo-Cubero
  • Calleja Pardo, Enrique

5/3/2007

  • iMarina

K. Bejtka, R.W. Martin, S. Fernández-Garrido, E. Calleja, A. Redondo-Cubero, F. González-Posada "Composition and luminescence of AlInGaN layers grown by PA-MBE" United Kingdom Nitride Consortium 2007 Cambridge (U.K) 4 al 5 de enero de 2007

  • R.W. Martin
  • K. Bejtka
  • E. Redondo-Cubero
  • Calleja Pardo, Enrique

4/1/2007

  • iMarina

Localized emission from the apex of GaN/(In,Ga)N/GaN

  • Gacevic, Zarko
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel
  • Calleja Pardo, Enrique

Proceedings (p. 0-3) - 25/8/2013

  • iMarina

This researcher has no working papers.

This researcher has no technical reports.

3D GaN for High Efficiency Solid State Lighting

  • Bengoechea Encabo, Ana Mª (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
  • Martínez Rodrigo, Javier (Participante)
  • Gacevic, Zarko (Participante)

Period: 01-04-2012 - 31-03-2015

Type of funding: International

Amount of funding: 552079,00 Euros.

  • iMarina

A. Develop process to make full visible spectrum display emitter layer using nanocolumns. B. Develop process to make UVA emitting arrays using nanocolumns

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Investigador principal (IP))

Period: 06-10-2020 - 03-11-2021

  • iMarina

ADECUACIÓN DE UN REACTOR DE EPITAXIA DE HACES MOLECULARES (MBE) PARA EL CRECIMIENTO EPITAXIAL DE NANOESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)

Period: 01-01-2013 - 31-12-2015

Type of funding: National

Amount of funding: 22105,00 Euros.

  • iMarina

Crecimiento por Epitaxia de Haces Moleculares de capas finas y nanoestructuras ordenadas de InGaN para dispositivos fotovoltaicos, sensores y generadores de hidrógeno

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
  • Gacevic, Zarko (Participante)
  • COBOS ARRIBAS, PEDRO (Participante)

Period: 01-01-2016 - 31-12-2018

Type of funding: National

Amount of funding: 204490,00 Euros.

  • iMarina

Células Solares de Ingan mejoradas con plasmones superficiales y fabricadas por MBE sobre sustratos de Silicio y Capas de Gan

  • Bengoechea Encabo, Ana Mª (Participante)
  • YASUSHI NA, NANISHI (Participante)
  • MCCONVILLE NA, CHRIS (Participante)
  • Notzel, Richard (Participante)
  • Gacevic, Zarko (Participante)
  • SABIDO SILLER, M CARMEN (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Participante)
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Investigador principal (IP))
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Period: 01-01-2012 - 31-12-2014

Type of funding: National

Amount of funding: 269999,00 Euros.

  • iMarina

Células Solares de heterounión InGaN y alta eficiencia crecidas por MBE

  • FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Participante)
  • NANISHI ., YASUSHI (Participante)
  • ARTUS SURROCA, LLUIS (Participante)
  • Calleja Pardo, Jose Manuel (Participante)
  • GRANDAL QUINTANA, JAVIER (Participante)
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
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Period: 01-11-2009 - 01-11-2012

Type of funding: National

Amount of funding: 40000,00 Euros.

  • iMarina

Desarrollo de Micro y Nanocavidades incluyendo regiones activas de puntos cuánticos de Nitruros-III: Aplicaciones a emisiones de luz en azul y UV.

  • FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Participante)
  • JAN ., UWE (Participante)
  • TRAMPET ., ACHIM (Participante)
  • LEFREBVE ., PIERRE (Participante)
  • RISTIC ., JELENA (Participante)
  • GRANJEAN ., NICOLAS (Participante)
  • DAUDIN ., BRUNO (Participante)
  • RODRIGUEZ CANTO, PEDRO (Participante)
  • GODIGNON ., PHILIP (Participante)
  • Gacevic, Zarko (Participante)
  • UTRERA LÓPEZ, MARÍA (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
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Period: 01-01-2009 - 31-12-2011

Type of funding: National

  • iMarina

Extensión de medida de catodoluminiscencia(CL) al rango infrarrojo en microcospio de barrido electrónico FESEM

  • Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)

Period: 01-01-2013 - 31-12-2015

Type of funding: National

  • iMarina

GaN-based nanowires as building blocks for quantum information systems and digital electronic circuits (RTI2018-097338-B-I00)

  • FOTEINOPOULOU, AIKATERINI (Investigador/a)
  • Miguel Angel Sanchez Garcia
  • Manuel Laso Carbajo
  • Enrique Calleja Pardo
  • Nikos Karayiannis
  • Zarko Gacevic
  • Aikaterini Foteinopoulou (Investigador principal (IP))
  • KARAGIANNIS, NIKOLAOS (Investigador/a)
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Period: 01-01-2019 - 31-12-2021

Type of funding: National

Amount of funding: 160300,00 Euros.

  • iMarina

High quality and intrinsic Properties of InN and indium rich Nitride Alloys

  • Sanchez Garcia, Miguel Angel (Investigador principal (IP))
  • Calle Gómez, Fernando (Participante)
  • Calleja Pardo, Enrique (Participante)

Period: 01-10-2008 - 30-09-2012

Type of funding: International

Amount of funding: 388526,00 Euros.

  • iMarina

Aportación al estudio de estructuras pseudomórficas y metamórficas de InGaAs

  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: SACEDON AYUSO, Ana

1/1/1996

  • iMarina

Constituent blocks of planar III - nitride microcavities grown by molecular beam epitaxy

  • Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Zarko Gacevic

1/1/2012

  • iMarina

Contribución al estudio de defectos en capas epitaxiales de Gan. Aplicaciones a dispositivos optoelectronicos

  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: SANCHEZ SANZ, Fernando José

1/1/1999

  • iMarina

Crecimiento de nitruros del grupo III por epitaxia de haces moleculares para la fabricación de diodos electroluminiscentes en el rango visible-ultravioleta

  • Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Sergio Fernández Garrido

1/1/2009

  • iMarina

Crecimiento y caracterización de estructuras nanocolumnares de nitruros DLE grupo III.

  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: RISTIC, Jelena

1/1/2006

  • iMarina

Crecimiento y caracterización de nitruros del grupo III sobre Si (111) por epitaxia de haces moleculares.

  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: SANCHEZ GARCIA, Miguel Angel

1/1/2000

  • iMarina

Crecimiento y fabricación de transistores HEMT de AlGaN/GaN por epitaxia de haces moleculares

  • Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Ana Jimenez Martín

1/1/2003

  • iMarina

Crecimiento, fabricación y caracterización de diodos electroluminiscentes basados en pozos cuánticos de InGaN

  • Enrique Calleja Pardo (Director) Doctorando: Fernando Bernabé Naranjo Vega

1/6/2003

  • iMarina

Espejos de Braga de AlGaN/GaN crecidos por Epitaxia de Haces Moleculares para Dispositivos Optoelectrónicos de Cavidad Resonante

  • Enrique Calleja Pardo (Director)
  • Fernando Calle Gómez (Director) Doctorando: Fernández Ruano, Susana María

1/1/2004

  • iMarina

Fabricación, caracterización y aplicaciones de detectores de UV basados en AlGaN.

  • Muñoz Merino, Elías (Director)
  • Calleja Pardo, Enrique (Director) Doctorando: PAU VIZCAINO, José Luis

1/1/2003

  • iMarina

This researcher has no patents or software licenses.

Last data update: 4/24/24 1:12 PM