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Naranjo Vega, Fernando Bernabé

Electrónica / Universidad de Alcalá

Actividades

Crystal morphology and optical emissions of GaN layers grown on Si(111) substrates by molecular beam epitaxy

  • Sánchez-García, M.A.
  • Sánchez, F.J.
  • Naranjo, F.B.
  • Calle, F.
  • Calleja, E.
  • Muñoz, E.
  • Jahn, U.
  • Ploog, K.H.
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M R S Internet Journal Of Nitride Semiconductor Research: (Materials Research Society) (p. art. no.-32) - 1/1/1998

Editor: Materials Research Society

10.1557/s1092578300001046 Ver en origen

  • ISSN 10925783
  • ISSN/ISBN 1092-5783

Growth of III-nitrides on Si(111) by molecular beam epitaxy Doping, optical, and electrical properties

  • Calleja, E.
  • Sánchez-García, M.A.
  • Sánchez, F.J.
  • Calle, F.
  • Naranjo, F.B.
  • Muñoz, E.
  • Molina, S.I.
  • Sánchez, A.M.
  • Pacheco, F.J.
  • García, R.
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Journal Of Crystal Growth (p. 296-317) - 1/1/1999

Editor: Elsevier Science B.V.

10.1016/s0022-0248(98)01346-3 Ver en origen

  • ISSN 00220248
  • ISSN/ISBN 0022-0248

MBE growth of GaN and AlGaN layers on Si(111) substrates: doping effects

  • Sánchez-García, M.A.
  • Calleja, E.
  • Naranjo, F.B.
  • Sánchez, F.J.
  • Calle, F.
  • Muñoz, E.
  • Sánchez, A.M.
  • Pacheco, F.J.
  • Molina, S.I.
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Journal Of Crystal Growth (p. 415-418) - 1/1/1999

Editor: Elsevier Science B.V.

10.1016/s0022-0248(98)01365-7 Ver en origen

  • ISSN 00220248
  • ISSN/ISBN 0022-0248

Properties of homoepitaxial and heteroepitaxial GaN layers grown by plasma-assisted MBE

  • Sánchez-García, M.A.
  • Naranjo, F.B.
  • Pau, J.L.
  • Jiménez, A.
  • Calleja, E.
  • Muñoz, E.
  • Molina, S.I.
  • Sánchez, A.M.
  • Pacheco, F.J.
  • García, R.
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Physica Status Solidi (A) Applied Research (p. 447-452) - 1999

Editor: Wiley-VCH Verlag Berlin GmbH

10.1002/(sici)1521-396x(199911)176:1<447::aid-pssa447>3.0.co;2-a Ver en origen

  • ISSN/ISBN 0031-8965

Wet etching of GaN grown by molecular beam epitaxy on Si(111)

  • Palacios, T.
  • Calle, F.
  • Varela, M.
  • Ballesteros, C.
  • Monroy, E.
  • Naranjo, F.B.
  • Sánchez-García, M.A.
  • Calleja, E.
  • Muñoz, E.
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Semiconductor Science And Technology (p. 996-1000) - 1/10/2000

Editor: IOP

10.1088/0268-1242/15/10/312 Ver en origen

  • ISSN 13616641
  • ISSN/ISBN 0268-1242

Luminescence properties and defects in GaN nanocolumns grown by molecular beam epitaxy

  • Calleja, E.
  • Sánchez-García, M.A.
  • Sánchez, F.J.
  • Calle, F.
  • Naranjo, F.B.
  • Muñoz, E.
  • Jahn, U.
  • Ploog, K.
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Physical Review b (p. 16826-16834) - 15/12/2000

10.1103/physrevb.62.16826 Ver en origen

  • ISSN 01631829
  • ISSN/ISBN 0163-1829

Ultraviolet electroluminescence in GaN/AlGaN single-heterojunction light-emitting diodes grown on Si(111)

  • Sánchez-García, M.A.
  • Naranjo, F.B.
  • Pau, J.L.
  • Jiménez, A.
  • Calleja, E.
  • Muñoz, E.

Journal Of Applied Physics (p. 1569-1571) - 1/2/2000

Editor: American Institute of Physics Inc.

10.1063/1.372052 Ver en origen

  • ISSN 00218979
  • ISSN/ISBN 0021-8979

High visible rejection AlGaN photodetectors on Si(111) substrates

  • Pau, J.L.
  • Monroy, E.
  • Naranjo, F.B.
  • Muñoz, E.
  • Calle, F.
  • Sánchez-García, M.A.
  • Calleja, E.
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Applied Physics Letters (p. 2785-2787) - 8/5/2000

Editor: American Institute of Physics Inc.

10.1063/1.126475 Ver en origen

  • ISSN 00036951
  • ISSN/ISBN 0003-6951

Study of the effects of Mg and Be co-doping in GaN layers

  • Naranjo, F.B.
  • Sánchez-García, M.A.
  • Pau, J.L.
  • Jiménez, A.
  • Calleja, E.
  • Muñoz, E.
  • Oila, J.
  • Saarinen, K.
  • Hautojárvi, P.
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Physica Status Solidi (A) Applied Research (p. 97-102) - 2000

10.1002/1521-396x(200007)180:1<97::aid-pssa97>3.0.co;2-k Ver en origen

  • ISSN/ISBN 0031-8965

High-quality distributed Bragg reflectors based on AlxGa1-xN/GaN multilayers grown by molecular-beam epitaxy

  • Fernández, S.
  • Naranjo, F.B.
  • Calle, F.
  • Sánchez-García, M.A.
  • Calleja, E.
  • Vennegues, P.
  • Trampert, A.
  • Ploog, K.H.
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Applied Physics Letters (p. 2136-2138) - 1/10/2001

Editor: American Institute of Physics Inc.

10.1063/1.1401090 Ver en origen

  • ISSN 00036951
  • ISSN/ISBN 0003-6951

Este/a investigador/a no tiene libros.

Este/a investigador/a no tiene capítulos de libro.

AlGaN photodetectors grown on Si(111) by molecular beam epitaxy

  • Pau, J.L.
  • Monroy, E.
  • Muñoz, E.
  • Naranjo, F.B.
  • Calle, F.
  • Sánchez-García, M.A.
  • Calleja, E.
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Journal Of Crystal Growth (p. 544-548) - 1/1/2001

Editor: Elsevier

10.1016/s0022-0248(01)01291-x Ver en origen

  • ISSN 00220248
  • ISSN/ISBN 0022-0248

Plasma-assisted MBE growth of group-III nitrides: from basics to device applications

  • Sánchez-García, M.A.
  • Pau, J.L.
  • Naranjo, F.
  • Jiménez, A.
  • Fernández, S.
  • Ristic, J.
  • Calle, F.
  • Calleja, E.
  • Muñoz, E.
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Materials Science And Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials (p. 189-196) - 30/5/2002

10.1016/s0921-5107(02)00049-1 Ver en origen

  • ISSN 09215107
  • ISSN/ISBN 0921-5107

Anomalous composition dependence of optical energies of MBE-grown InGaN

  • Fernandez-Torrente, I.
  • Amabile, D.
  • Martin, R.W.
  • O'Donnell, K.P.
  • Mosselmans, J.F.W.
  • Calleja, E.
  • Naranjo, F.B.
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Materials Research Society Symposium - Proceedings (p. 673-676) - 1/1/2003

Editor: Materials Research Society

10.1557/proc-798-y5.47 Ver en origen

  • ISSN 02729172
  • ISSN/ISBN 0272-9172

Hydrogen-related local vibrational modes in GaN:Mg grown by molecular beam epitaxy

  • Pastor, D.
  • Cuscó, R.
  • Artús, L.
  • Naranjo, F.
  • Calleja, E.

Materials Research Society Symposium - Proceedings (p. 485-490) - 1/1/2003

Editor: Materials Research Society

10.1557/proc-798-y5.15 Ver en origen

  • ISSN 02729172
  • ISSN/ISBN 0272-9172

Novel photodetectors based on InGaN/GaN multiple quantum wells

  • Rivera, C.
  • Pau, J.L.
  • Naranjo, F.B.
  • Muñoz, E.

Physica Status Solidi A-Applications And Materials Science (p. 2658-2662) - 1/1/2004

Editor: Wiley-VCH Verlag

10.1002/pssa.200405019 Ver en origen

  • ISSN 00318965
  • ISSN/ISBN 0031-8965

Resonant Raman scattering in strained and relaxed inxGa 1-xN/GaN multiple quantum wells

  • Lazić, S.
  • Calleja, J.M.
  • Naranjo, F.B.
  • Fernández, S.
  • Calleja, E.

Materials Science Forum (p. 19-24) - 1/1/2005

Editor: Trans Tech Publications Ltd

10.4028/0-87849-971-7.19 Ver en origen

  • ISSN 02555476
  • ISSN/ISBN 1662-9752

Resonant Raman study of strain and composition in InGaN multiquantum wells

  • Lazić, S.
  • Calleja, J.M.
  • Naranjo, F.B.
  • Fernández, S.
  • Calleja, E.

Aip Conference Proceedings (p. 221-222) - 30/6/2005

10.1063/1.1994073 Ver en origen

  • ISSN 15517616
  • ISSN/ISBN 0094-243X

Novel nitride - Based materials for nonlinear optical signal processing applications at 1.5 μm

  • Valdueza-Felip, S.
  • Naranjo, F.B.
  • González-Herráez, M.
  • Fernández, H.
  • Solis, J.
  • Fernández, S.
  • Guillot, F.
  • Monroy, E.
  • Grandal, J.
  • Sánchez-García, M.A.
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2007 Ieee International Symposium On Intelligent Signal Processing, Wisp (p. 1-6) - 1/12/2007

10.1109/wisp.2007.4447511 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 9781424408306

How to play with the spectral sensitivity of interferometers using slow light concepts - and how to do it practically

  • Gonzalez-Herraez, M.
  • Esteban, O.
  • Naranjo, F.B.
  • Thevenaz, L.

Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering - 2007

10.1117/12.738653 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 0277-786X

Physical properties of InN for optically controlling the speed of light

  • Naranjo, F.B.
  • González-Herráez, M.
  • Fernández, H.
  • Solis, J.
  • Monroy, E.

Optics InfoBase Conference Papers - 2007

Editor: Optical Society of America (OSA)

10.1364/ipnra.2007.jtua7 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 2162-2701

Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.

Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.

Este/a investigador/a no tiene proyectos de investigación.

Este/a investigador/a no tiene tesis dirigidas.

Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.

Última actualización de los datos: 24/04/24 13:12