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Naranjo Vega, Fernando Bernabé

Electrónica / Universidad de Alcalá

Actividades

Influence of the AlN interlayer thickness on the photovoltaic properties of in-rich AlInN on Si heterojunctions deposited by RF sputtering

  • Valdueza-Felip, S.
  • Núñez-Cascajero, A.
  • Blasco, R.
  • Montero, D.
  • Grenet, L.
  • De La Mata, M.
  • Fernández, S.
  • Rodríguez-De Marcos, L.
  • Molina, S.I.
  • Olea, J.
  • Naranjo, F.B.
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AIP Advances - 2018

Editor: American Institute of Physics Inc.

10.1063/1.5041924 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 2158-3226

Effect of different buffer layers on the quality of InGaN layers grown on Si

  • Gómez, V.J.
  • Grandal, J.
  • Núñez-Cascajero, A.
  • Naranjo, F.B.
  • Varela, M.
  • Sánchez-García, M.A.
  • Calleja, E.
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Aip Advances - 1/10/2018

Editor: American Institute of Physics Inc.

10.1063/1.5046756 Ver en origen

  • ISSN 21583226
  • ISSN/ISBN 2158-3226

Local vibrational modes of H complexes in Mg-doped GaN grown by molecular beam epitaxy

  • Cuscó, R.
  • Artús, L.
  • Pastor, D.
  • Naranjo, F.B.
  • Calleja, E.

Applied Physics Letters (p. 897-899) - 9/2/2004

10.1063/1.1645668 Ver en origen

  • ISSN 00036951
  • ISSN/ISBN 0003-6951

Carrier localization in InN/InGaN multiple-quantum wells with high In-content

  • Valdueza-Felip, S.
  • Rigutti, L.
  • Naranjo, F.B.
  • Ruterana, P.
  • Mangeney, J.
  • Julien, F.H.
  • González-Herráez, M.
  • Monroy, E.
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Applied Physics Letters - 2012

10.1063/1.4742157 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 0003-6951

Third order nonlinear susceptibility of InN at near band-gap wavelengths

  • Naranjo, F.B.
  • González-Herráez, M.
  • Fernández, H.
  • Solis, J.
  • Monroy, E.

Applied Physics Letters - 2007

10.1063/1.2709891 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 0003-6951

Resonant Raman scattering in strained and relaxed InGaN/GaN multi-quantum wells

  • Lazić, S.
  • Moreno, M.
  • Calleja, J.M.
  • Trampert, A.
  • Ploog, K.H.
  • Naranjo, F.B.
  • Fernandez, S.
  • Calleja, E.
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Applied Physics Letters (p. 1-3) - 7/2/2005

10.1063/1.1861496 Ver en origen

  • ISSN 00036951
  • ISSN/ISBN 0003-6951

Resonant-cavity InGaN multiple-quantum-well green light-emitting diode grown by molecular-beam epitaxy

  • Naranjo, F.B.
  • Fernández, S.
  • Sánchez-García, M.A.
  • Calle, F.
  • Calleja, E.

Applied Physics Letters (p. 2198-2200) - 25/3/2002

10.1063/1.1463701 Ver en origen

  • ISSN 00036951
  • ISSN/ISBN 0003-6951

Nonlinear absorption of InN/InGaN multiple-quantum-well structures at optical telecommunication wavelengths

  • Naranjo, F.B.
  • Kandaswamy, P.K.
  • Valdueza-Felip, S.
  • Calvo, V.
  • González-Herráez, M.
  • Martín-López, S.
  • Corredera, P.
  • Ḿndez, J.A.
  • Mutta, G.R.
  • Lacroix, B.
  • Ruterana, P.
  • Monroy, E.
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Applied Physics Letters - 2011

10.1063/1.3535609 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 0003-6951

Strong localization in InGaN layers with high In content grown by molecular-beam epitaxy

  • Naranjo, F.B.
  • Sánchez-García, M.A.
  • Calle, F.
  • Calleja, E.
  • Jenichen, B.
  • Ploog, K.H.

Applied Physics Letters (p. 231-233) - 14/1/2002

Editor: American Institute of Physics Inc.

10.1063/1.1432751 Ver en origen

  • ISSN 00036951
  • ISSN/ISBN 0003-6951

High-quality distributed Bragg reflectors based on AlxGa1-xN/GaN multilayers grown by molecular-beam epitaxy

  • Fernández, S.
  • Naranjo, F.B.
  • Calle, F.
  • Sánchez-García, M.A.
  • Calleja, E.
  • Vennegues, P.
  • Trampert, A.
  • Ploog, K.H.
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Applied Physics Letters (p. 2136-2138) - 1/10/2001

Editor: American Institute of Physics Inc.

10.1063/1.1401090 Ver en origen

  • ISSN 00036951
  • ISSN/ISBN 0003-6951

Este/a investigador/a no tiene libros.

Este/a investigador/a no tiene capítulos de libro.

Novel nitride - Based materials for nonlinear optical signal processing applications at 1.5 μm

  • Valdueza-Felip, S.
  • Naranjo, F.B.
  • González-Herráez, M.
  • Fernández, H.
  • Solis, J.
  • Fernández, S.
  • Guillot, F.
  • Monroy, E.
  • Grandal, J.
  • Sánchez-García, M.A.
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2007 Ieee International Symposium On Intelligent Signal Processing, Wisp (p. 1-6) - 1/12/2007

10.1109/wisp.2007.4447511 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 9781424408306

A new ultrafast and high peak power fiber laser operating at 1.5 μm using In N as Saturable Absorber

  • Jimenez-Roriguez, M.
  • Monteagudo-Lerma, L.
  • Monroy, E.
  • Naranjo, F.
  • González-Herráez, M.

2017 Optical Fiber Communications Conference and Exhibition, OFC 2017 - Proceedings - 2017

Editor: Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

  • ISSN/ISBN 9781943580231

Novel InN-based SESAMs with ultra-short time response

  • Monroy, L.
  • Monroy, E.
  • González-Herráez, M.
  • Naranjo, F.B.

2019 Conference on Lasers and Electro-Optics Europe and European Quantum Electronics Conference, CLEO/Europe-EQEC 2019 - 2019

Editor: Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

10.1109/cleoe-eqec.2019.8872892 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 9781728104690

Megawatt peak-power femtosecond ultralong ring fibre laser with InN SESAM

  • Gallazzi, F.
  • Jimenez-Rodriguez, M.
  • Monroy, E.
  • Corredera, P.
  • González-Herráez, M.
  • Naranjo, F.B.
  • Castañón, J.D.A.
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2019 Conference on Lasers and Electro-Optics Europe and European Quantum Electronics Conference, CLEO/Europe-EQEC 2019 - 2019

Editor: Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

10.1109/cleoe-eqec.2019.8871795 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 9781728104690

Resonant Raman study of strain and composition in InGaN multiquantum wells

  • Lazić, S.
  • Calleja, J.M.
  • Naranjo, F.B.
  • Fernández, S.
  • Calleja, E.

Aip Conference Proceedings (p. 221-222) - 30/6/2005

10.1063/1.1994073 Ver en origen

  • ISSN 15517616
  • ISSN/ISBN 0094-243X

Interdisciplinariedad e integración del conocimiento de las competencias básicas en los grados de Ingeniería de Telecomunicación

  • Germán Ros Magán
  • Hilario Gómez Moreno
  • Sergio Lafuente Arroyo
  • Philip Siegmann
  • Pedro Gil Jiménez
  • Miguel Ángel Raposo Sánchez
  • José Javier Martínez Fernández de las Heras
  • Elena Sáiz Villanueva
  • Roberto Santiago Costas Santos
  • Ernesto Martin Gorostiza
  • Concepción Batanero
  • Sonia Pérez Díaz
  • Ángel Blasco Lorenzo
  • Rafael Bravo de la Parra
  • Pedro Amo López
  • Javier Macías Guarasa
  • M. Soledad Escudero Hernanz
  • Fernando Bernabé Naranjo Vega
  • Ana De Andrés Rubio
  • José Carlos Nieto Borge
  • C. J. Martín Arguedas
  • José Luis Lázaro Galilea
  • Carlos Andres Luna Vazquez
  • Bernardo Alarcos Alcázar
  • José Manuel Arco Rodríguez
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Aprendizaje-servicio, desarrollo y comunidades profesionales de aprendizaje en educación superior (p. 412-417) - 2016

Editor: Servicio de Publicaciones

  • ISSN/ISBN 978-84-608-8632-7

Sub-250 fs, 650 kW Peak Power Harmonic Mode-Locked Fiber Laser with InN-based SESAM

  • Gallazzi, F.
  • Jimenez-Rodriguez, M.
  • Monroy, E.
  • Corredera, P.
  • González-Herráez, M.
  • Naranjo, F.B.
  • Ania-Castañón, J.D.
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European Conference on Optical Communication, ECOC (p. 1-3) - 2017

Editor: Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

10.1109/ecoc.2017.8345895 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 9781538656242

Study of high In-content AlInN deposition on p-Si(111) by RF-sputtering

  • Núñez-Cascajero, A.
  • Monteagudo-Lerma, L.
  • Valdueza-Felip, S.
  • Navío, C.
  • Monroy, E.
  • González-Herráez, M.
  • Naranjo, F.B.
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Japanese Journal of Applied Physics - 2016

Editor: Japan Society of Applied Physics

10.7567/jjap.55.05fb07 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 1347-4065

AlGaN photodetectors grown on Si(111) by molecular beam epitaxy

  • Pau, J.L.
  • Monroy, E.
  • Muñoz, E.
  • Naranjo, F.B.
  • Calle, F.
  • Sánchez-García, M.A.
  • Calleja, E.
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Journal Of Crystal Growth (p. 544-548) - 1/1/2001

Editor: Elsevier

10.1016/s0022-0248(01)01291-x Ver en origen

  • ISSN 00220248
  • ISSN/ISBN 0022-0248

Hydrogen-related local vibrational modes in GaN:Mg grown by molecular beam epitaxy

  • Pastor, D.
  • Cuscó, R.
  • Artús, L.
  • Naranjo, F.
  • Calleja, E.

Materials Research Society Symposium - Proceedings (p. 485-490) - 1/1/2003

Editor: Materials Research Society

10.1557/proc-798-y5.15 Ver en origen

  • ISSN 02729172
  • ISSN/ISBN 0272-9172

Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.

Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.

Este/a investigador/a no tiene proyectos de investigación.

Este/a investigador/a no tiene tesis dirigidas.

Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.

Última actualización de los datos: 24/04/24 13:12