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Naranjo Vega, Fernando Bernabé

Electrónica / Universidad de Alcalá

Actividades

Comparison of the Material Quality of AlxIn1−xN (x—0–0.50) Films Deposited on Si(100) and Si(111) at Low Temperature by Reactive RF Sputtering

  • Sun, M.
  • Blasco, R.
  • Nwodo, J.
  • de la Mata, M.
  • Molina, S.I.
  • Ajay, A.
  • Monroy, E.
  • Valdueza-Felip, S.
  • Naranjo, F.B.
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Materials - 2022

Editor: MDPI

10.3390/ma15207373 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 1996-1944

Characterization of the resonant third-order nonlinear susceptibility of Si-doped GaN-AlN quantum wells and quantum dots at 1.5 μm

  • Valdueza-Felip, S.
  • Naranjo, F.B.
  • Gonzalez-Herraez, M.
  • Fernandez, H.
  • Solis, J.
  • Guillot, F.
  • Monroy, E.
  • Nevou, L.
  • Tchernycheva, M.
  • Julien, F.H.
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IEEE Photonics Technology Letters (p. 1366-1368) - 2008

10.1109/lpt.2008.926842 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 1041-1135

Carrier localization in InN/InGaN multiple-quantum wells with high In-content

  • Valdueza-Felip, S.
  • Rigutti, L.
  • Naranjo, F.B.
  • Ruterana, P.
  • Mangeney, J.
  • Julien, F.H.
  • González-Herráez, M.
  • Monroy, E.
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Applied Physics Letters - 2012

10.1063/1.4742157 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 0003-6951

Applications of ZnO:Al deposited by RF sputtering to InN low-cost technology

  • Fernández, S.
  • Naranjo, F.B.
  • Valdueza-Felip, S.
  • De Abril, O.

Physica Status Solidi A-Applications And Materials Science (p. 1717-1721) - 1/7/2010

10.1002/pssa.200983725 Ver en origen

  • ISSN 00318965
  • ISSN/ISBN 1862-6300

Amorphous Silicon Films and Nanocolumns Deposited on Sapphire and GaN by DC Sputtering

  • Sun, M.
  • Valdueza-Felip, S.
  • Naranjo, F.B.

Physica Status Solidi (B) Basic Research - 2023

Editor: John Wiley and Sons Inc

10.1002/pssb.202200578 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 1521-3951

AlxIn1-xN on Si (100) Solar Cells (x = 0-0.56) deposited by RF sputtering

  • Valdueza-Felip, S.
  • Blasco, R.
  • Olea, J.
  • Díaz-Lobo, A.
  • Braña, A.F.
  • Naranjo, F.B.

Materials - 1/5/2020

Editor: MDPI AG

10.3390/ma13102336 Ver en origen

  • ISSN 19961944
  • ISSN/ISBN 1996-1944

Este/a investigador/a no tiene libros.

Este/a investigador/a no tiene capítulos de libro.

Sub-250 fs, 650 kW Peak Power Harmonic Mode-Locked Fiber Laser with InN-based SESAM

  • Gallazzi, F.
  • Jimenez-Rodriguez, M.
  • Monroy, E.
  • Corredera, P.
  • González-Herráez, M.
  • Naranjo, F.B.
  • Ania-Castañón, J.D.
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European Conference on Optical Communication, ECOC (p. 1-3) - 2017

Editor: Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

10.1109/ecoc.2017.8345895 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 9781538656242

Sub-200 fs mode-locked fiber laser with InN-based SESAM

  • Jime´nez-Rodri´guez, M.
  • Gallazzi, F.
  • Ania-Castaño´n, J.D.
  • Monroy, E.
  • González-Herráez, M.
  • Naranjo, F.B.

Optics InfoBase Conference Papers - 2017

Editor: OSA - The Optical Society

  • ISSN/ISBN 9781557528209

Study of high In-content AlInN deposition on p-Si(111) by RF-sputtering

  • Núñez-Cascajero, A.
  • Monteagudo-Lerma, L.
  • Valdueza-Felip, S.
  • Navío, C.
  • Monroy, E.
  • González-Herráez, M.
  • Naranjo, F.B.
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Japanese Journal of Applied Physics - 2016

Editor: Japan Society of Applied Physics

10.7567/jjap.55.05fb07 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 1347-4065

Study of absorption saturation in InN thin films through the Z-Scan technique at 1.55 μm

  • Jimenez-Rodriguez, M.
  • Monroy, L.
  • Nu´ñez-Cascajero, A.
  • Monroy, E.
  • González-Herráez, M.
  • Naranjo, F.B.

Optics InfoBase Conference Papers - 2018

Editor: OSA - The Optical Society

10.1364/noma.2018.nom3j.2 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 9781557528209

Resonant Raman study of strain and composition in InGaN multiquantum wells

  • Lazić, S.
  • Calleja, J.M.
  • Naranjo, F.B.
  • Fernández, S.
  • Calleja, E.

Aip Conference Proceedings (p. 221-222) - 30/6/2005

10.1063/1.1994073 Ver en origen

  • ISSN 15517616
  • ISSN/ISBN 0094-243X

Resonant Raman scattering in strained and relaxed inxGa 1-xN/GaN multiple quantum wells

  • Lazić, S.
  • Calleja, J.M.
  • Naranjo, F.B.
  • Fernández, S.
  • Calleja, E.

Materials Science Forum (p. 19-24) - 1/1/2005

Editor: Trans Tech Publications Ltd

10.4028/0-87849-971-7.19 Ver en origen

  • ISSN 02555476
  • ISSN/ISBN 1662-9752

Plasma-assisted MBE growth of group-III nitrides: from basics to device applications

  • Sánchez-García, M.A.
  • Pau, J.L.
  • Naranjo, F.
  • Jiménez, A.
  • Fernández, S.
  • Ristic, J.
  • Calle, F.
  • Calleja, E.
  • Muñoz, E.
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Materials Science And Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials (p. 189-196) - 30/5/2002

10.1016/s0921-5107(02)00049-1 Ver en origen

  • ISSN 09215107
  • ISSN/ISBN 0921-5107

Physical properties of InN for optically controlling the speed of light

  • Naranjo, F.B.
  • González-Herráez, M.
  • Fernández, H.
  • Solis, J.
  • Monroy, E.

Optics InfoBase Conference Papers - 2007

Editor: Optical Society of America (OSA)

10.1364/ipnra.2007.jtua7 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 2162-2701

Novel photodetectors based on InGaN/GaN multiple quantum wells

  • Rivera, C.
  • Pau, J.L.
  • Naranjo, F.B.
  • Muñoz, E.

Physica Status Solidi A-Applications And Materials Science (p. 2658-2662) - 1/1/2004

Editor: Wiley-VCH Verlag

10.1002/pssa.200405019 Ver en origen

  • ISSN 00318965
  • ISSN/ISBN 0031-8965

Novel nitride - Based materials for nonlinear optical signal processing applications at 1.5 μm

  • Valdueza-Felip, S.
  • Naranjo, F.B.
  • González-Herráez, M.
  • Fernández, H.
  • Solis, J.
  • Fernández, S.
  • Guillot, F.
  • Monroy, E.
  • Grandal, J.
  • Sánchez-García, M.A.
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2007 Ieee International Symposium On Intelligent Signal Processing, Wisp (p. 1-6) - 1/12/2007

10.1109/wisp.2007.4447511 Ver en origen

  • ISSN/ISBN 9781424408306

Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.

Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.

Este/a investigador/a no tiene proyectos de investigación.

Este/a investigador/a no tiene tesis dirigidas.

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Última actualización de los datos: 24/04/24 13:12