Feijoo Guerro, Pedro Carlos pc.feijoo@upm.es
Actividades
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- Congresos 44
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- Proyectos de investigación 12
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Short channel effects in graphene-based field effect transistors targeting radio-frequency applications
- Feijoo PC
- Jiménez D
- Cartoixà X
2d Materials - 1/1/2016
10.1088/2053-1583/3/2/025036 Ver en origen
- ISSN 20531583
Compact Modeling Technology for the Simulation of Integrated Circuits Based on Graphene Field-Effect Transistors
- Pasadas F
- Feijoo PC
- Mavredakis N
- Pacheco-Sanchez A
- Chaves FA
- Jiménez D
Advanced Materials - 1/12/2022
10.1002/adma.202201691 Ver en origen
- ISSN 09359648
Time-dependent dielectric breakdown on subnanometer EOT nMOS FinFETs
- Feijoo P
- Kauerauf T
- Toledano-Luque M
- Togo M
- San Andrés E
- Groeseneken G
Ieee Transactions On Device And Materials Reliability (p. 166-170) - 1/3/2012
10.1109/tdmr.2011.2180387 Ver en origen
- ISSN 15304388
An Extraction Method for Mobility Degradation and Contact Resistance of Graphene Transistors
- Pacheco-Sanchez A
- Mavredakis N
- Feijoo PC
- Jimenez D
Ieee Transactions On Electron Devices (p. 4037-4041) - 1/7/2022
10.1109/ted.2022.3176830 Ver en origen
- ISSN 00189383
Experimental Observation and Modeling of the Impact of Traps on Static and Analog/HF Performance of Graphene Transistors
Ieee Transactions On Electron Devices (p. 5790-5796) - 1/12/2020
10.1109/ted.2020.3029542 Ver en origen
- ISSN 00189383
Radio frequency performance projection and stability tradeoff of h-BN encapsulated graphene field-effect transistors
- Feijoo PC
- Pasadas F
- Iglesias JM
- Hamham EM
- Rengel R
- Jiménez D
Ieee Transactions On Electron Devices (p. 1567-1573) - 1/3/2019
10.1109/ted.2018.2890192 Ver en origen
- ISSN 00189383
Scandium oxide deposited by high-pressure sputtering for memory devices: Physical and interfacial properties
- Feijoo P
- Del Prado A
- Toledano-Luque M
- San Andŕs E
- Lucía M
Journal Of Applied Physics - 15/4/2010
10.1063/1.3354096 Ver en origen
- ISSN 00218979
Nitridation of Si by N2 electron cyclotron resonance plasma and integration with ScOx deposition
- Feijoo P
- Del Prado A
- Toledano-Luque M
- San Andŕs E
- Lucía M
Journal Of The Electrochemical Society - 26/3/2010
10.1149/1.3301726 Ver en origen
- ISSN 00134651
Optimization of in situ plasma oxidation of metallic gadolinium thin films deposited by high pressure sputtering on silicon
- Angela Pampillon, Maria
- Carlos Feijoo, Pedro
- San Andres, Enrique
- Luisa Lucia, Maria;
Journal Of Vacuum Science And Technology B: Nanotechnology And Microelectronics - 1/1/2013
10.1116/1.4769893 Ver en origen
- ISSN 21662746
Optimization of gadolinium oxide growth deposited on Si by high pressure sputtering
- Carlos Feijoo, Pedro
- Angela Pampillon, Maria
- San Andres, Enrique;
Journal Of Vacuum Science And Technology B: Nanotechnology And Microelectronics - 1/1/2013
10.1116/1.4766184 Ver en origen
- ISSN 21662746
Este/a investigador/a no tiene libros.
Este/a investigador/a no tiene capítulos de libro.
Towards high-k integration with III-V channels: Interface optimization of high pressure sputtered gadolinium oxide on indium phospide
- CARMINA CAÑADILLA SOTO
- PEDRO CARLOS FEIJOO GUERRO
- MARIA ANGELA PAMPILLON ARCE
- ALVARO DEL PRADO MILLAN
- ENRIQUE SAN ANDRES SERRANO
9th Spanish Conference On Electron Devices, Cde 2013 (p. 25-28) - 8/4/2013
10.1109/cde.2013.6481333 Ver en origen
- ISSN 9781467346689
- iMarina
- iMarina
Plasma oxidation of metallic gadolinium deposited on silicon by high pressure sputtering as high permittivity dielectric
- PEDRO CARLOS FEIJOO GUERRO
- JOSE LUIS GARCIA FIERRO
- MARIA ANGELA PAMPILLON ARCE
- ENRIQUE SAN ANDRES SERRANO
9th Spanish Conference On Electron Devices, Cde 2013 (p. 5-8) - 8/4/2013
10.1109/cde.2013.6481328 Ver en origen
- ISSN 9781467346689
- iMarina
- iMarina
Electrical study of ScO-based MIS structures using Al and Ti as gate electrodes
- LUIS A BAILON VEGA
- HELENA CASTAN LANASPA
- SALVADOR DUEÑAS CARAZO
- PEDRO CARLOS FEIJOO GUERRO
- HECTOR GARCIA GARCIA
- MARIA ANGELA PAMPILLON ARCE
- ENRIQUE SAN ANDRES SERRANO
9th Spanish Conference On Electron Devices, Cde 2013 (p. 285-288) - 8/4/2013
10.1109/cde.2013.6481398 Ver en origen
- ISSN 9781467346689
- iMarina
- iMarina
Gadolinium scandate by high pressure sputtering as a high-k dielectric
- PEDRO CARLOS FEIJOO GUERRO
- MARIA ANGELA PAMPILLON ARCE
- ENRIQUE SAN ANDRES SERRANO
9th Spanish Conference On Electron Devices, Cde 2013 (p. 17-20) - 8/4/2013
10.1109/cde.2013.6481331 Ver en origen
- ISSN 9781467346689
- iMarina
- iMarina
Electrical characterization of high-pressure reactive sputtered Sc 2O3 films on silicon
- Castán H
- Dueñas S
- Gómez A
- García H
- Bailón L
- Feijoo PC
- Toledano-Luque M
- Del Prado A
- San Andrés E
- Lucía ML
Ecs Transactions (p. 287-297) - 1/1/2010
10.1149/1.3375614 Ver en origen
- ISSN 19386737
High pressure sputtering for high-k dielectric deposition. Is it worth trying?
- San Andres, E.
- Feijoo, P. C.
- Pampillon, M. A.
- Lucia, M. L.
- del Prado, A.;
Ecs Transactions (p. 27-39) - 11/5/2014
10.1149/06102.0027ecst Ver en origen
- ISSN 19386737
- iMarina
- iMarina
Towards metal electrode interface scavenging of rare-earth scandates: A Sc2O3 and Gd2O3 study
- ANTONIO JOSE BLAZQUEZ FERNANDEZ
- PEDRO CARLOS FEIJOO GUERRO
- MARIA LUISA LUCIA MULAS
- MARIA ANGELA PAMPILLON ARCE
- ALVARO DEL PRADO MILLAN
- ENRIQUE SAN ANDRES SERRANO
- MARIA TOLEDANO LUQUE
Microelectronic Engineering (p. 1357-1360) - 1/7/2011
10.1016/j.mee.2011.03.025 Ver en origen
- ISSN 01679317
- iMarina
- iMarina
Electrical characterization of gadolinium oxide deposited by high pressure sputtering with in situ plasma oxidation
- Angela Pampillon, Maria
- Carlos Feijoo, Pedro
- San Andres, Enrique;
Microelectronic Engineering (p. 236-239) - 25/6/2013
10.1016/j.mee.2013.03.094 Ver en origen
- ISSN 01679317
- iMarina
- iMarina
High permittivity gadolinium oxide deposited on indium phosphide by high-pressure sputtering without interface treatments
- San Andres, Enrique
- Angela Pampillon, Maria
- Carlos Feijoo, Pedro
- Perez, Raul
- Canadilla, Carmina;
Microelectronic Engineering (p. 223-226) - 25/6/2013
10.1016/j.mee.2013.03.133 Ver en origen
- ISSN 01679317
- iMarina
- iMarina
Positive bias temperature instabilities on sub-nanometere EOT FinFETs
- Feijoo PC
- Cho M
- Togo M
- San Andrés E
- Groeseneken G
Microelectronics Reliability (p. 1521-1524) - 3/10/2011
10.1016/j.microrel.2011.06.014 Ver en origen
- ISSN 00262714
- iMarina
- iMarina
Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.
Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.
Graphene-Based Disruptive Technologies (Graphene Core 3)
- David Jiménez Jiménez (Investigador principal (IP))
- FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)
Ejecución: 01-04-2020 - 31-03-2023
Importe financiado: 490000,00 Euros.
- iMarina
Nuevas dinámicas de electrones y fonones para nanotecnologías emergentes: Aplicación a heteroestructuras 2D van der Waals y dispositivos de THz
- Xavier Cartoixà
- Xavier Oriols (Investigador principal (IP))
- FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)
Ejecución: 01-01-2019 - 31-12-2021
Tipo: Nacional
Importe financiado: 97647,00 Euros.
- iMarina
RIS3CAT – Comunitats Emergents
- David Jiménez Jiménez (Investigador principal (IP))
- FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)
Ejecución: 01-06-2018 - 30-06-2021
Importe financiado: 175000,00 Euros.
- iMarina
Transporte de electrones y fonones en nanodispositivos para aplicaciones de bajo y cero consumo (ELEPHONT)
- Xavier Cartoixà Soler
- Xavier Oriols Pladevall (Investigador principal (IP))
- FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)
Ejecución: 01-01-2016 - 31-12-2018
Tipo: Nacional
Importe financiado: 116900,00 Euros.
- iMarina
Grup de Recerca Consolidat
- Xavier Aymerich (Investigador principal (IP))
- FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)
Ejecución: 01-01-2014 - 31-12-2018
Importe financiado: 30000,00 Euros.
- iMarina
Graphene-Based Revolutions in ICT And Beyond
- David Jiménez Jiménez (Investigador principal (IP))
- FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)
Ejecución: 01-10-2013 - 31-12-2015
Importe financiado: 475618,00 Euros.
- iMarina
Dispositivos electrónicos de baja dimensionalidad para aplicaciones de radiofrecuencia y digitales: simulación y desarrollo de software
- Xavier Oriols (Investigador principal (IP))
- FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)
Ejecución: 01-01-2013 - 31-12-2015
Tipo: Nacional
Importe financiado: 123201,00 Euros.
- iMarina
Fabricación de dispositivos de efecto campo con dieléctrico de alta permitividad sobre Si y semiconductores III-V para el nodo de 22 nm
- ENRIQUE SAN ANDRES SERRANO (Investigador principal (IP))
- FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)
Ejecución: 01-01-2011 - 31-12-2013
Tipo: Nacional
Importe financiado: 213444,00 Euros.
- iMarina
Medida a temperatura variable de estructuras de puerta de transistores con dieléctricos de alta permitividad
- Germán González Díaz (Investigador principal (IP))
- FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)
Ejecución: 01-01-2008 - 31-12-2008
- iMarina
Nueva generación de dieléctricos de alta permitividad para su aplicación en la puerta de transistores de utilidad en radiofrecuencia
- Ignacio Mártil de la Plaza (Investigador principal (IP))
- FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)
Ejecución: 01-01-2007 - 31-12-2010
- iMarina
Este/a investigador/a no tiene tesis dirigidas.
Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.
Grupos de investigación
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Teoría de Aproximación Constructiva y Aplicaciones
Rol: Miembro
Perfiles de investigador/a
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