Feijoo Guerro, Pedro Carlos pc.feijoo@upm.es

Actividades

Short channel effects in graphene-based field effect transistors targeting radio-frequency applications

  • Feijoo PC
  • Jiménez D
  • Cartoixà X

2d Materials - 1/1/2016

10.1088/2053-1583/3/2/025036 Ver en origen

  • ISSN 20531583

Compact Modeling Technology for the Simulation of Integrated Circuits Based on Graphene Field-Effect Transistors

  • Pasadas F
  • Feijoo PC
  • Mavredakis N
  • Pacheco-Sanchez A
  • Chaves FA
  • Jiménez D

Advanced Materials - 1/12/2022

10.1002/adma.202201691 Ver en origen

  • ISSN 09359648

Time-dependent dielectric breakdown on subnanometer EOT nMOS FinFETs

  • Feijoo P
  • Kauerauf T
  • Toledano-Luque M
  • Togo M
  • San Andrés E
  • Groeseneken G

Ieee Transactions On Device And Materials Reliability (p. 166-170) - 1/3/2012

10.1109/tdmr.2011.2180387 Ver en origen

  • ISSN 15304388

An Extraction Method for Mobility Degradation and Contact Resistance of Graphene Transistors

  • Pacheco-Sanchez A
  • Mavredakis N
  • Feijoo PC
  • Jimenez D

Ieee Transactions On Electron Devices (p. 4037-4041) - 1/7/2022

10.1109/ted.2022.3176830 Ver en origen

  • ISSN 00189383

Experimental Observation and Modeling of the Impact of Traps on Static and Analog/HF Performance of Graphene Transistors

  • Pacheco-Sanchez A
  • Mavredakis N
  • Feijoo PC
  • Wei W
  • Pallecchi E
  • Happy H
  • Jimenez D
... Ver más Contraer

Ieee Transactions On Electron Devices (p. 5790-5796) - 1/12/2020

10.1109/ted.2020.3029542 Ver en origen

  • ISSN 00189383

Radio frequency performance projection and stability tradeoff of h-BN encapsulated graphene field-effect transistors

  • Feijoo PC
  • Pasadas F
  • Iglesias JM
  • Hamham EM
  • Rengel R
  • Jiménez D

Ieee Transactions On Electron Devices (p. 1567-1573) - 1/3/2019

10.1109/ted.2018.2890192 Ver en origen

  • ISSN 00189383

Scandium oxide deposited by high-pressure sputtering for memory devices: Physical and interfacial properties

  • Feijoo P
  • Del Prado A
  • Toledano-Luque M
  • San Andŕs E
  • Lucía M

Journal Of Applied Physics - 15/4/2010

10.1063/1.3354096 Ver en origen

  • ISSN 00218979

Nitridation of Si by N2 electron cyclotron resonance plasma and integration with ScOx deposition

  • Feijoo P
  • Del Prado A
  • Toledano-Luque M
  • San Andŕs E
  • Lucía M

Journal Of The Electrochemical Society - 26/3/2010

10.1149/1.3301726 Ver en origen

  • ISSN 00134651

Optimization of in situ plasma oxidation of metallic gadolinium thin films deposited by high pressure sputtering on silicon

  • Angela Pampillon, Maria
  • Carlos Feijoo, Pedro
  • San Andres, Enrique
  • Luisa Lucia, Maria;

Journal Of Vacuum Science And Technology B: Nanotechnology And Microelectronics - 1/1/2013

10.1116/1.4769893 Ver en origen

  • ISSN 21662746

Optimization of gadolinium oxide growth deposited on Si by high pressure sputtering

  • Carlos Feijoo, Pedro
  • Angela Pampillon, Maria
  • San Andres, Enrique;

Journal Of Vacuum Science And Technology B: Nanotechnology And Microelectronics - 1/1/2013

10.1116/1.4766184 Ver en origen

  • ISSN 21662746

Este/a investigador/a no tiene libros.

Este/a investigador/a no tiene capítulos de libro.

Graphene encapsulated on h-BN: an analysis of mobility and saturation velocity for GFET operation

  • JM Iglesias
  • EM Hamham
  • MJ Martín
  • E Pascual
  • PC Feijoo
  • F Pasadas
  • D Jiménez
  • R Rengel
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16/7/2017

  • iMarina

Radio frequency performance and stability of transistors based on hBN encapsulated graphene

  • David Jiménez Jiménez
  • Raúl Rengel
  • María José Martín
  • José Manuel Iglesias
  • Francisco Pasadas Cantos
  • Pedro Carlos Feijoo Guerro

18/10/2017

  • iMarina

Investigation of high frequency performance of hBN encapsulated Graphene Field-Effect Transistors

  • Pedro Carlos Feijoo Guerro
  • Francisco Pasadas Cantos
  • José Manuel Iglesias
  • María José Martín
  • Raúl Rengel
  • David Jiménez Jiménez

13/3/2018

  • iMarina

Drain current saturation in graphene field-effect transistors at high fields

  • Marlene Bonmann
  • Andrei Vorobiev
  • Xinxin Yang
  • Muhammad Asad
  • Jan Stake
  • Luca Banszerus
  • Christoph Stampfer
  • Martin Otto
  • Daniel Neumaier
  • Pedro Carlos Feijoo Guerro
  • Francisco Pasadas Cantos
  • David Jiménez Jiménez
... Ver más Contraer

10/9/2018

  • iMarina

Optimization of Gadolinium Oxide Growth Deposited by High Pressure Sputtering through Scavenging Techniques

  • PEDRO CARLOS FEIJOO GUERRO
  • MARIA ANGELA PAMPILLON ARCE
  • ENRIQUE SAN ANDRES SERRANO

25/6/2012

  • iMarina

High pressure sputtering as a viable technique for future high k on III-V integration: Gd2O3 on InP demonstration.

  • CARMINA CAÑADILLA SOTO
  • PEDRO CARLOS FEIJOO GUERRO
  • MARIA ANGELA PAMPILLON ARCE
  • ALVARO DEL PRADO MILLAN
  • ENRIQUE SAN ANDRES SERRANO

25/6/2012

  • iMarina

Interface quality of Sc2O3 and Gd2O3 films based MIS structures using Al, Pt and Ti gate: effect of buffer layer and scavenging electrodes

  • LUIS A BAILON VEGA
  • HELENA CASTAN LANASPA
  • SALVADOR DUEÑAS CARAZO
  • PEDRO CARLOS FEIJOO GUERRO
  • HECTOR GARCIA GARCIA
  • ALFONSO GOMEZ BRAVO
  • MARIA ANGELA PAMPILLON ARCE
  • ENRIQUE SAN ANDRES SERRANO
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25/6/2012

  • iMarina

Optimization of in situ plasma oxidation of Gd metallic thin films deposited by high pressure sputtering on Si

  • PEDRO CARLOS FEIJOO GUERRO
  • MARIA LUISA LUCIA MULAS
  • MARIA ANGELA PAMPILLON ARCE
  • ENRIQUE SAN ANDRES SERRANO

25/6/2012

  • iMarina

Impact of Impurities, Defects and Residual Carrier Concentration on High Frequency Performance of hBN-Encapsulated Graphene Field-Effect Transistors

  • PC Feijoo
  • JM Iglesias
  • EM Hamham
  • R Rengel
  • D Jiménez

14/11/2018

  • iMarina

The theoretical limits of radio frequency performance of graphene field-effect transistors

  • P C Feijoo

26/11/2020

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.

Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.

Graphene-Based Disruptive Technologies (Graphene Core 3)

  • David Jiménez Jiménez (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-04-2020 - 31-03-2023

Importe financiado: 490000,00 Euros.

  • iMarina

Nuevas dinámicas de electrones y fonones para nanotecnologías emergentes: Aplicación a heteroestructuras 2D van der Waals y dispositivos de THz

  • Xavier Cartoixà
  • Xavier Oriols (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2019 - 31-12-2021

Tipo: Nacional

Importe financiado: 97647,00 Euros.

  • iMarina

RIS3CAT – Comunitats Emergents

  • David Jiménez Jiménez (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-06-2018 - 30-06-2021

Importe financiado: 175000,00 Euros.

  • iMarina

Transporte de electrones y fonones en nanodispositivos para aplicaciones de bajo y cero consumo (ELEPHONT)

  • Xavier Cartoixà Soler
  • Xavier Oriols Pladevall (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2016 - 31-12-2018

Tipo: Nacional

Importe financiado: 116900,00 Euros.

  • iMarina

Grup de Recerca Consolidat

  • Xavier Aymerich (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2014 - 31-12-2018

Importe financiado: 30000,00 Euros.

  • iMarina

Graphene-Based Revolutions in ICT And Beyond

  • David Jiménez Jiménez (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-10-2013 - 31-12-2015

Importe financiado: 475618,00 Euros.

  • iMarina

Dispositivos electrónicos de baja dimensionalidad para aplicaciones de radiofrecuencia y digitales: simulación y desarrollo de software

  • Xavier Oriols (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2013 - 31-12-2015

Tipo: Nacional

Importe financiado: 123201,00 Euros.

  • iMarina

Fabricación de dispositivos de efecto campo con dieléctrico de alta permitividad sobre Si y semiconductores III-V para el nodo de 22 nm

  • ENRIQUE SAN ANDRES SERRANO (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2011 - 31-12-2013

Tipo: Nacional

Importe financiado: 213444,00 Euros.

  • iMarina

Medida a temperatura variable de estructuras de puerta de transistores con dieléctricos de alta permitividad

  • Germán González Díaz (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2008 - 31-12-2008

  • iMarina

Nueva generación de dieléctricos de alta permitividad para su aplicación en la puerta de transistores de utilidad en radiofrecuencia

  • Ignacio Mártil de la Plaza (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2007 - 31-12-2010

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene tesis dirigidas.

Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.

Última actualización de los datos: 5/03/24 19:21