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Feijoo Guerro, Pedro Carlos pc.feijoo@upm.es

MATEMÁTICA APLICADA A LA INGENIERÍA INDUSTRIAL / Universidad Politécnica de Madrid

Actividades

2D pn junctions driven out-of-equilibrium

  • Chaves FA
  • Feijoo PC
  • Jiménez D

Nanoscale Advances (p. 3252-3262) - 1/8/2020

10.1039/d0na00267d Ver en origen

  • ISSN 25160230

An Extraction Method for Mobility Degradation and Contact Resistance of Graphene Transistors

  • Pacheco-Sanchez A
  • Mavredakis N
  • Feijoo PC
  • Jimenez D

Ieee Transactions On Electron Devices (p. 4037-4041) - 1/7/2022

10.1109/ted.2022.3176830 Ver en origen

  • ISSN 00189383

Anomalous thermal oxidation of gadolinium thin films deposited on silicon by high pressure sputtering

  • Pampillon, M. A.
  • Feijoo, P. C.
  • San Andres, E.
  • Lucia, M. L.
  • del Prado, A.
  • Toledano-Luque, M.;

Microelectronic Engineering (p. 2991-2996) - 1/9/2011

10.1016/j.mee.2011.04.058 Ver en origen

  • ISSN 01679317

Compact Modeling Technology for the Simulation of Integrated Circuits Based on Graphene Field-Effect Transistors

  • Pasadas F
  • Feijoo PC
  • Mavredakis N
  • Pacheco-Sanchez A
  • Chaves FA
  • Jiménez D

Advanced Materials - 1/12/2022

10.1002/adma.202201691 Ver en origen

  • ISSN 09359648

Contact resistance extraction of graphene FET technologies based on individual device characterization

  • Pacheco-Sanchez A
  • Feijoo PC
  • Jiménez D

Solid-State Electronics - 1/10/2020

10.1016/j.sse.2020.107882 Ver en origen

  • ISSN 00381101

Does carrier velocity saturation help to enhance: F maxin graphene field-effect transistors?

  • Feijoo PC
  • Pasadas F
  • Bonmann M
  • Asad M
  • Yang X
  • Generalov A
  • Vorobiev A
  • Banszerus L
  • Stampfer C
  • Otto M
  • Neumaier D
  • Stake J
  • Jiménez D
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Nanoscale Advances (p. 4179-4186) - 1/9/2020

10.1039/c9na00733d Ver en origen

  • ISSN 25160230

Electrical characterization of high-pressure reactive sputtered ScO x films on silicon

  • LUIS BAILON
  • HELENA CASTAN
  • SALVADOR DUEÑAS
  • PEDRO CARLOS FEIJOO GUERRO
  • HECTOR GARCIA
  • ALFONSO GOMEZ
  • MARIA LUISA LUCIA MULAS
  • ALVARO DEL PRADO MILLAN
  • ENRIQUE SAN ANDRES SERRANO
  • MARIA TOLEDANO LUQUE
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Thin Solid Films (p. 2268-2272) - 31/1/2011

10.1016/j.tsf.2010.10.073 Ver en origen

  • ISSN 00406090

Experimental Observation and Modeling of the Impact of Traps on Static and Analog/HF Performance of Graphene Transistors

  • Pacheco-Sanchez A
  • Mavredakis N
  • Feijoo PC
  • Wei W
  • Pallecchi E
  • Happy H
  • Jimenez D
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Ieee Transactions On Electron Devices (p. 5790-5796) - 1/12/2020

10.1109/ted.2020.3029542 Ver en origen

  • ISSN 00189383

Gadolinium scandate by high-pressure sputtering for future generations of high-kappa dielectrics

  • Feijoo, P. C.
  • Pampillon, M. A.
  • Andres, E. San
  • Fierro, J. L. G.;

Semiconductor Science And Technology - 1/8/2013

10.1088/0268-1242/28/8/085004 Ver en origen

  • ISSN 13616641

High pressure sputtering as a viable technique for future high permittivity dielectric on III-V integration: GdOx on InP demonstration

  • Angela Pampillon, Maria
  • Canadilla, Carmina
  • Carlos Feijoo, Pedro
  • San Andres, Enrique
  • del Prado, Alvaro;

Journal Of Vacuum Science And Technology B: Nanotechnology And Microelectronics - 1/1/2013

10.1116/1.4771970 Ver en origen

  • ISSN 21662746

Este/a investigador/a no tiene libros.

Este/a investigador/a no tiene capítulos de libro.

Formació Docent en Educació Superior (Training in Teaching at Higher Education)

  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS

  • iMarina

Gadolinium Scandate by High Pressure Sputtering as a High-k Dielectric

  • Feijoo, P. C.
  • Pampillon, M. A.
  • Andres, E. San;

Proceedings Of The 2013 Spanish Conference On Electron Devices (Cde 2013) (p. 17-20) - 1/1/2013

  • ISSN 21634971
  • iMarina

Gadolinium scandate by high pressure sputtering as a high-k dielectric

  • PEDRO CARLOS FEIJOO GUERRO
  • MARIA ANGELA PAMPILLON ARCE
  • ENRIQUE SAN ANDRES SERRANO

9th Spanish Conference On Electron Devices, Cde 2013 (p. 17-20) - 8/4/2013

10.1109/cde.2013.6481331 Ver en origen

  • ISSN 9781467346689

Graphene encapsulated on h-BN: an analysis of mobility and saturation velocity for GFET operation

  • JM Iglesias
  • EM Hamham
  • MJ Martín
  • E Pascual
  • PC Feijoo
  • F Pasadas
  • D Jiménez
  • R Rengel
... Ver más Contraer

16/7/2017

  • iMarina

Grow and Structural Characterization of Semiconductor Nanostructures

  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS

  • iMarina

Growth of Gadolinium Oxide by Thermal Oxidation of Thin Metallic Gadolinium Layers

  • PEDRO CARLOS FEIJOO GUERRO
  • MARIA LUISA LUCIA MULAS
  • MARIA ANGELA PAMPILLON ARCE
  • ALVARO DEL PRADO MILLAN
  • ENRIQUE SAN ANDRES SERRANO
  • MARIA TOLEDANO LUQUE

17/3/2010

  • iMarina

Growth of silicon nitride on silicon by electron cyclotron resonance plasma nitridation

  • PEDRO CARLOS FEIJOO GUERRO
  • MARIA LUISA LUCIA MULAS
  • ALVARO DEL PRADO MILLAN
  • ENRIQUE SAN ANDRES SERRANO
  • MARIA TOLEDANO LUQUE

Proceedings Of The 2009 Spanish Conference On Electron Devices, Cde'09 (p. 16-18) - 24/4/2009

10.1109/sced.2009.4800418 Ver en origen

High permittivity gadolinium oxide deposited on indium phosphide by high-pressure sputtering without interface treatments

  • San Andres, Enrique
  • Angela Pampillon, Maria
  • Carlos Feijoo, Pedro
  • Perez, Raul
  • Canadilla, Carmina;

Microelectronic Engineering (p. 223-226) - 25/6/2013

10.1016/j.mee.2013.03.133 Ver en origen

  • ISSN 01679317

High pressure sputtering as a viable technique for future high k on III-V integration: Gd2O3 on InP demonstration.

  • CARMINA CAÑADILLA SOTO
  • PEDRO CARLOS FEIJOO GUERRO
  • MARIA ANGELA PAMPILLON ARCE
  • ALVARO DEL PRADO MILLAN
  • ENRIQUE SAN ANDRES SERRANO

25/6/2012

  • iMarina

High pressure sputtering for high-k dielectric deposition. Is it worth trying?

  • San Andres, E.
  • Feijoo, P. C.
  • Pampillon, M. A.
  • Lucia, M. L.
  • del Prado, A.;

Ecs Transactions (p. 27-39) - 11/5/2014

10.1149/06102.0027ecst Ver en origen

  • ISSN 19386737

Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.

Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.

Dispositivos electrónicos de baja dimensionalidad para aplicaciones de radiofrecuencia y digitales: simulación y desarrollo de software

  • Xavier Oriols (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2013 - 31-12-2015

Tipo: Nacional

Importe financiado: 123201,00 Euros.

  • iMarina

Fabricación de dispositivos de efecto campo con dieléctrico de alta permitividad sobre Si y semiconductores III-V para el nodo de 22 nm

  • ENRIQUE SAN ANDRES SERRANO (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2011 - 31-12-2013

Tipo: Nacional

Importe financiado: 213444,00 Euros.

  • iMarina

Graphene-Based Disruptive Technologies (Graphene Core 2)

  • David Jiménez Jiménez (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-04-2018 - 31-03-2020

Importe financiado: 400000,00 Euros.

  • iMarina

Graphene-Based Disruptive Technologies (Graphene Core 3)

  • David Jiménez Jiménez (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-04-2020 - 31-03-2023

Importe financiado: 490000,00 Euros.

  • iMarina

Graphene-Based Revolutions in ICT And Beyond

  • David Jiménez Jiménez (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-10-2013 - 31-12-2015

Importe financiado: 475618,00 Euros.

  • iMarina

Graphene-based disruptive technologies (Grephane Core 1)

  • David Jiménez Jiménez (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2016 - 31-12-2018

Importe financiado: 490000,00 Euros.

  • iMarina

Grup de Recerca Consolidat

  • Xavier Aymerich (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2014 - 31-12-2018

Importe financiado: 30000,00 Euros.

  • iMarina

Medida a temperatura variable de estructuras de puerta de transistores con dieléctricos de alta permitividad

  • Germán González Díaz (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2008 - 31-12-2008

  • iMarina

Nueva generación de dieléctricos de alta permitividad para su aplicación en la puerta de transistores de utilidad en radiofrecuencia

  • Ignacio Mártil de la Plaza (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2007 - 31-12-2010

  • iMarina

Nuevas dinámicas de electrones y fonones para nanotecnologías emergentes: Aplicación a heteroestructuras 2D van der Waals y dispositivos de THz

  • Xavier Cartoixà
  • Xavier Oriols (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2019 - 31-12-2021

Tipo: Nacional

Importe financiado: 97647,00 Euros.

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene tesis dirigidas.

Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.

Última actualización de los datos: 5/03/24 19:21