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Feijoo Guerro, Pedro Carlos pc.feijoo@upm.es

MATEMÁTICA APLICADA A LA INGENIERÍA INDUSTRIAL / Universidad Politécnica de Madrid

Actividades

Optimization of in situ plasma oxidation of metallic gadolinium thin films deposited by high pressure sputtering on silicon

  • Angela Pampillon, Maria
  • Carlos Feijoo, Pedro
  • San Andres, Enrique
  • Luisa Lucia, Maria;

Journal Of Vacuum Science And Technology B: Nanotechnology And Microelectronics - 1/1/2013

10.1116/1.4769893 Ver en origen

  • ISSN 21662746

Optimization of gadolinium oxide growth deposited on Si by high pressure sputtering

  • Carlos Feijoo, Pedro
  • Angela Pampillon, Maria
  • San Andres, Enrique;

Journal Of Vacuum Science And Technology B: Nanotechnology And Microelectronics - 1/1/2013

10.1116/1.4766184 Ver en origen

  • ISSN 21662746

Anomalous thermal oxidation of gadolinium thin films deposited on silicon by high pressure sputtering

  • Pampillon, M. A.
  • Feijoo, P. C.
  • San Andres, E.
  • Lucia, M. L.
  • del Prado, A.
  • Toledano-Luque, M.;

Microelectronic Engineering (p. 2991-2996) - 1/9/2011

10.1016/j.mee.2011.04.058 Ver en origen

  • ISSN 01679317

Unveiling the impact of the bias-dependent charge neutrality point on graphene based multi-transistor applications

  • Pasadas F
  • Medina-Rull A
  • Feijoo PC
  • Pacheco-Sanchez A
  • Marin EG
  • Ruiz FG
  • Rodriguez N
  • Godoy A
  • Jiménez D
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Nano Express - 1/9/2021

10.1088/2632-959x/abfdd0 Ver en origen

  • ISSN 2632959X

2D pn junctions driven out-of-equilibrium

  • Chaves FA
  • Feijoo PC
  • Jiménez D

Nanoscale Advances (p. 3252-3262) - 1/8/2020

10.1039/d0na00267d Ver en origen

  • ISSN 25160230

Does carrier velocity saturation help to enhance: F maxin graphene field-effect transistors?

  • Feijoo PC
  • Pasadas F
  • Bonmann M
  • Asad M
  • Yang X
  • Generalov A
  • Vorobiev A
  • Banszerus L
  • Stampfer C
  • Otto M
  • Neumaier D
  • Stake J
  • Jiménez D
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Nanoscale Advances (p. 4179-4186) - 1/9/2020

10.1039/c9na00733d Ver en origen

  • ISSN 25160230

Scaling of graphene field-effect transistors supported on hexagonal boron nitride: Radio-frequency stability as a limiting factor

  • Feijoo P
  • Pasadas F
  • Iglesias J
  • Martin M
  • Rengel R
  • Li C
  • Kim W
  • Riikonen J
  • Lipsanen H
  • Jiménez D
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Nanotechnology - 6/11/2017

10.1088/1361-6528/aa9094 Ver en origen

  • ISSN 09574484

Gadolinium scandate by high-pressure sputtering for future generations of high-kappa dielectrics

  • Feijoo, P. C.
  • Pampillon, M. A.
  • Andres, E. San
  • Fierro, J. L. G.;

Semiconductor Science And Technology - 1/8/2013

10.1088/0268-1242/28/8/085004 Ver en origen

  • ISSN 13616641

Scavenging effect on plasma oxidized Gd2O3 grown by high pressure sputtering on Si and InP substrates

  • Pampillon, M. A.
  • Feijoo, P. C.
  • Andres, E. San
  • Garcia, H.
  • Castan, H.
  • Duenas, S.;

Semiconductor Science And Technology - 1/3/2015

10.1088/0268-1242/30/3/035023 Ver en origen

  • ISSN 13616641

High-k gadolinium scandate on Si obtained by high pressure sputtering from metal targets and in-situ plasma oxidation

  • Pampillón MA
  • San Andrés E
  • Feijoo PC
  • Fierro JLG

Semiconductor Science And Technology - 10/2/2017

10.1088/1361-6641/aa58cc Ver en origen

  • ISSN 13616641

Este/a investigador/a no tiene libros.

Este/a investigador/a no tiene capítulos de libro.

Towards high-k integration with III-V channels: Interface optimization of high pressure sputtered gadolinium oxide on indium phospide

  • CARMINA CAÑADILLA SOTO
  • PEDRO CARLOS FEIJOO GUERRO
  • MARIA ANGELA PAMPILLON ARCE
  • ALVARO DEL PRADO MILLAN
  • ENRIQUE SAN ANDRES SERRANO

9th Spanish Conference On Electron Devices, Cde 2013 (p. 25-28) - 8/4/2013

10.1109/cde.2013.6481333 Ver en origen

  • ISSN 9781467346689

Plasma oxidation of metallic gadolinium deposited on silicon by high pressure sputtering as high permittivity dielectric

  • PEDRO CARLOS FEIJOO GUERRO
  • JOSE LUIS GARCIA FIERRO
  • MARIA ANGELA PAMPILLON ARCE
  • ENRIQUE SAN ANDRES SERRANO

9th Spanish Conference On Electron Devices, Cde 2013 (p. 5-8) - 8/4/2013

10.1109/cde.2013.6481328 Ver en origen

  • ISSN 9781467346689

Electrical study of ScO-based MIS structures using Al and Ti as gate electrodes

  • LUIS A BAILON VEGA
  • HELENA CASTAN LANASPA
  • SALVADOR DUEÑAS CARAZO
  • PEDRO CARLOS FEIJOO GUERRO
  • HECTOR GARCIA GARCIA
  • MARIA ANGELA PAMPILLON ARCE
  • ENRIQUE SAN ANDRES SERRANO
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9th Spanish Conference On Electron Devices, Cde 2013 (p. 285-288) - 8/4/2013

10.1109/cde.2013.6481398 Ver en origen

  • ISSN 9781467346689

Gadolinium scandate by high pressure sputtering as a high-k dielectric

  • PEDRO CARLOS FEIJOO GUERRO
  • MARIA ANGELA PAMPILLON ARCE
  • ENRIQUE SAN ANDRES SERRANO

9th Spanish Conference On Electron Devices, Cde 2013 (p. 17-20) - 8/4/2013

10.1109/cde.2013.6481331 Ver en origen

  • ISSN 9781467346689

Electrical characterization of high-pressure reactive sputtered Sc 2O3 films on silicon

  • Castán H
  • Dueñas S
  • Gómez A
  • García H
  • Bailón L
  • Feijoo PC
  • Toledano-Luque M
  • Del Prado A
  • San Andrés E
  • Lucía ML
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Ecs Transactions (p. 287-297) - 1/1/2010

10.1149/1.3375614 Ver en origen

  • ISSN 19386737

High pressure sputtering for high-k dielectric deposition. Is it worth trying?

  • San Andres, E.
  • Feijoo, P. C.
  • Pampillon, M. A.
  • Lucia, M. L.
  • del Prado, A.;

Ecs Transactions (p. 27-39) - 11/5/2014

10.1149/06102.0027ecst Ver en origen

  • ISSN 19386737

Towards metal electrode interface scavenging of rare-earth scandates: A Sc2O3 and Gd2O3 study

  • ANTONIO JOSE BLAZQUEZ FERNANDEZ
  • PEDRO CARLOS FEIJOO GUERRO
  • MARIA LUISA LUCIA MULAS
  • MARIA ANGELA PAMPILLON ARCE
  • ALVARO DEL PRADO MILLAN
  • ENRIQUE SAN ANDRES SERRANO
  • MARIA TOLEDANO LUQUE
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Microelectronic Engineering (p. 1357-1360) - 1/7/2011

10.1016/j.mee.2011.03.025 Ver en origen

  • ISSN 01679317

Electrical characterization of gadolinium oxide deposited by high pressure sputtering with in situ plasma oxidation

  • Angela Pampillon, Maria
  • Carlos Feijoo, Pedro
  • San Andres, Enrique;

Microelectronic Engineering (p. 236-239) - 25/6/2013

10.1016/j.mee.2013.03.094 Ver en origen

  • ISSN 01679317

High permittivity gadolinium oxide deposited on indium phosphide by high-pressure sputtering without interface treatments

  • San Andres, Enrique
  • Angela Pampillon, Maria
  • Carlos Feijoo, Pedro
  • Perez, Raul
  • Canadilla, Carmina;

Microelectronic Engineering (p. 223-226) - 25/6/2013

10.1016/j.mee.2013.03.133 Ver en origen

  • ISSN 01679317

Positive bias temperature instabilities on sub-nanometere EOT FinFETs

  • Feijoo PC
  • Cho M
  • Togo M
  • San Andrés E
  • Groeseneken G

Microelectronics Reliability (p. 1521-1524) - 3/10/2011

10.1016/j.microrel.2011.06.014 Ver en origen

  • ISSN 00262714

Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.

Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.

Graphene-Based Disruptive Technologies (Graphene Core 3)

  • David Jiménez Jiménez (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-04-2020 - 31-03-2023

Importe financiado: 490000,00 Euros.

  • iMarina

Nuevas dinámicas de electrones y fonones para nanotecnologías emergentes: Aplicación a heteroestructuras 2D van der Waals y dispositivos de THz

  • Xavier Cartoixà
  • Xavier Oriols (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2019 - 31-12-2021

Tipo: Nacional

Importe financiado: 97647,00 Euros.

  • iMarina

RIS3CAT – Comunitats Emergents

  • David Jiménez Jiménez (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-06-2018 - 30-06-2021

Importe financiado: 175000,00 Euros.

  • iMarina

Transporte de electrones y fonones en nanodispositivos para aplicaciones de bajo y cero consumo (ELEPHONT)

  • Xavier Cartoixà Soler
  • Xavier Oriols Pladevall (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2016 - 31-12-2018

Tipo: Nacional

Importe financiado: 116900,00 Euros.

  • iMarina

Grup de Recerca Consolidat

  • Xavier Aymerich (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2014 - 31-12-2018

Importe financiado: 30000,00 Euros.

  • iMarina

Graphene-Based Revolutions in ICT And Beyond

  • David Jiménez Jiménez (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-10-2013 - 31-12-2015

Importe financiado: 475618,00 Euros.

  • iMarina

Dispositivos electrónicos de baja dimensionalidad para aplicaciones de radiofrecuencia y digitales: simulación y desarrollo de software

  • Xavier Oriols (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2013 - 31-12-2015

Tipo: Nacional

Importe financiado: 123201,00 Euros.

  • iMarina

Fabricación de dispositivos de efecto campo con dieléctrico de alta permitividad sobre Si y semiconductores III-V para el nodo de 22 nm

  • ENRIQUE SAN ANDRES SERRANO (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2011 - 31-12-2013

Tipo: Nacional

Importe financiado: 213444,00 Euros.

  • iMarina

Medida a temperatura variable de estructuras de puerta de transistores con dieléctricos de alta permitividad

  • Germán González Díaz (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2008 - 31-12-2008

  • iMarina

Nueva generación de dieléctricos de alta permitividad para su aplicación en la puerta de transistores de utilidad en radiofrecuencia

  • Ignacio Mártil de la Plaza (Investigador principal (IP))
  • FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS (Investigador/a)

Ejecución: 01-01-2007 - 31-12-2010

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene tesis dirigidas.

Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.

Última actualización de los datos: 5/03/24 19:21