Ulloa Herrero, Jose Maria josem.ulloa@upm.es
Actividades
- Artículos 113
- Libros 0
- Capítulos de libro 2
- Congresos 130
- Documentos de trabajo 0
- Informes técnicos 0
- Proyectos de investigación 13
- Tesis dirigidas 3
- Patentes o licencias de software 0
1 eV GaAsSbN–based solar cells for efficient multi-junction design: Enhanced solar cell performance upon annealing
- Gonzalo, A
- Stanojevic, L
- Marrón, DF
- Guzman, A
- Hierro, A
- Ulloa, JM
Solar Energy (p. 307-313) - 1/1/2021
10.1016/j.solener.2021.04.041 Ver en origen
- ISSN 0038092X
Achievement of InSb Quantum Dots on InP(100) Substrates
- Lu, Wei
- Rohel, Tony
- Bertru, Nicolas
- Folliot, Herve
- Paranthoen, Cyril
- Jancu, Jean Marc
- Letoublon, Antoine
- Le Corre, Alain
- Gatel, Christophe
- Ponchet, Anne
- Combe, Nicolas
- Ulloa, Jose Maria
- Koenraad, Paul;
Japanese Journal Of Applied Physics - 1/1/2010
10.1143/jjap.49.060210 Ver en origen
- ISSN 00214922
AlGaN nanocolumns and AlGaN/GaN/AlGaN nanostructures grown by molecular beam epitaxy
- Ristic, J
- Sánchez-García, MA
- Ulloa, JM
- Calleja, E
- Sanchez-Páramo, J
- Calleja, JM
- Jahn, U
- Trampert, A
- Ploog, KH
Physica Status Solidi B-Basic Solid State Physics (p. 717-721) - 1/12/2002
10.1002/1521-3951(200212)234:3<717::aid-pssb717>3.0.co;2-8 Ver en origen
- ISSN 15213951
An atomic scale study on the effect of Sb during capping of MBE grown III-V semiconductor QDs
- Bozkurt, M.
- Ulloa, J. M.
- Koenraad, P. M.;
Semiconductor Science And Technology - 1/6/2011
10.1088/0268-1242/26/6/064007 Ver en origen
- ISSN 13616641
Analysis of the characteristic temperatures of (Ga,In)(N,As)/GaAs laser diodes
- Montes, M
- Hierro, A
- Ulloa, JM
- Guzman, A
- Damilano, B
- Hugues, M
- Al Khalfioui, M
- Duboz, JY
- Massies, J
Journal Of Physics D-Applied Physics - 7/8/2008
10.1088/0022-3727/41/15/155102 Ver en origen
- ISSN 00223727
Analysis of the modified optical properties and band structure of GaAs1-xSbx-capped InAs/GaAs quantum dots
- Ulloa, JM
- Llorens, JM
- del Moral, M
- Bozkurt, M
- Koenraad, PM
- Hierro, A
Journal Of Applied Physics - 1/10/2012
10.1063/1.4755794 Ver en origen
- ISSN 00218979
Annealing effects on the crystal structure of GaInNAs quantum wells with large In and N content grown by molecular beam epitaxy
- Hierro, A
- Ulloa, JM
- Chauveau, JM
- Trampert, A
- Pinault, MA
- Tournié, E
- Guzmán, A
- Sánchez-Rojas, JL
- Calleja, E
Journal Of Applied Physics (p. 2319-2324) - 15/8/2003
10.1063/1.1591416 Ver en origen
- ISSN 00218979
Atomic scale characterization of Mn doped InAs/GaAs quantum dots
- Bozkurt, M.
- Grant, V. A.
- Ulloa, J. M.
- Campion, R. P.
- Foxon, C. T.
- Marega, E.
- Salamo, G. J.
- Koenraad, P. M.;
Applied Physics Letters - 1/1/2010
10.1063/1.3293296 Ver en origen
- ISSN 00036951
Breaking the Intersubband Selection Rules for Absorption with ZnO Quantum Wells: Light Polarization Sensitivity under Normal Incidence
- Bajo, MM
- Tamayo-Arriola, J
- Le Biavan, N
- Ulloa, JM
- Vennéguès, P
- Lefebvre, D
- Hugues, M
- Chauveau, JM
- Hierro, A
Physical Review Applied - 12/9/2018
10.1103/physrevapplied.10.034022 Ver en origen
- ISSN 23317019
Capping of InAs quantum dots grown on (311)B InP studied by cross-sectional scanning tunneling microscopy
- Celebi, C.
- Ulloa, J. M.
- Koenraad, P. M.
- Simon, A.
- Letoublon, A.
- Bertru, N.;
Applied Physics Letters - 1/1/2006
10.1063/1.2221884 Ver en origen
- ISSN 00036951
Este/a investigador/a no tiene libros.
From Dot to Ring: Tunable Exciton Topology in Type-II InAs/GaAsSb Quantum Dots
- Llorens J
- Lopes-Oliveira V
- López-Richard V
- Ulloa J
- Alén B
Nanoscience And Technology (p. 57-88) - 1/1/2018
10.1007/978-3-319-95159-1_3 Ver en origen
- ISSN 14344904
InAs Quantum Dot Formation Studied at the Atomic Scale by Cross-sectional Scanning Tunnelling Microscopy
- Ulloa, J. M.
- Offermans, P.
- Koenraad, P. M.;
Handbook Of Self Assembled Semiconductor Nanostructures For Novel Devices In Photonics And Electronics (p. 165-200) - 1/1/2008
J.M. Ulloa, M. Montes, K. Yamamoto, Z. Gacevic, A. Guzmán, A. Hierro, M. Bozkurt, P.M.Koenraad, D. Fernández, D. González and D. Sales "Tuning the size, strain and band offsets of InAs/GaAs quantum dots through a thin GaAs(Sb)(N) capping layer"
- P.M. Koenraad
- M. Montes
- M. Bozkurt
- K. Yamamoto
- D. Sales
- D. González
- D. Fernández
- A. Guzman
- Gacevic, Zarko
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- HIERRO CANO, ADRIAN
"Tuning The Size, Strain And Band Offsets Of Inas/Gaas Quantum Dots Through A Thin Gaas(Sb)(N) Capping Layer" (p. 0-0) - 20/3/2011
- iMarina
J.M. Ulloa, P.M. Koenraad, E. Gapihan, A. Letoublon, N. Bertru, D. Fuster, Y. Gonzalez, L. Gonzalez "Atomic scale structural characterization of long wavelength InAs/InP quantum dots and wires" International Workshop on Long Wavelenght Quantum Dots: Gro
- Y. González
- P.M. Koenraad
- N. BERTRU
- L. GONZALEZ
- E. GAPIHAN
- D. Fuster
- A. LETOUBLON
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
5/7/2007
- iMarina
Localization of the hole wavefunction in InAs/GaAsSb quantum dots
- L Wewior
- JM Llorens
- B. Alen
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
Proceedings (p. 0-3) - 28/1/2015
- iMarina
M. MONTES, A. HIERRO, J. M. ULLOA, A. GUZMÁN, M. AL KHALFIOUI, M. HUGUES, B. DAMILANO, J. MASSIES "1.3-1.5 µm emitting InAs quantum dot LEDs with (Ga, In)(N,As) and Ga(As,Sb) capping layers: a comparison" Spring European Materials Research Society Confe
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- MONTES BAJO, MIGUEL
- HIERRO CANO, ADRIAN
"1.3-1.5 µM Emitting Inas Quantum Dot Leds With (Ga, In)(N,As) And Ga(As,Sb) Capping Layers: A Comparison" (p. 0-0) - 14/9/2009
- iMarina
M. MONTES, A. HIERRO, J. M. ULLOA, M. AL KHALFIOUI, M. HUGUES, B. DAMILANO, J. MASSIES "InAs/(Ga,In)(N,As) Quantum Dot LEDs Emitting at 1.3-1.5 ìm" 7th Spanish Conference on Electron Devices 2009 Santiago Compostela (Spain), 2009
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- MONTES BAJO, MIGUEL
- HIERRO CANO, ADRIAN
"Inas/(Ga,In)(N,As) Quantum Dot Leds Emitting At 1.3-1.5 Ìm" 7th Spanish Conference On Electron Devices 2009 santiago Compostela (Spain), 2009 (p. 0-0) - 11/2/2009
- iMarina
MBE growth approaches for improving Sb-based In0.5Ga0.5As(Sb)/GaAs QDs
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- HIERRO CANO, ADRIAN
Proceedings (p. 0-0) - 9/5/2011
- iMarina
Mid-infrared photodetectors based on GaAsSb-capped InAs quantum dots
- K Yamamoto
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- HIERRO CANO, ADRIAN
Proceedings (p. 0-0) - 14/9/2011
- iMarina
Mn and Fe doped InAs quantum dots studied by X-STM 35th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS) Rust (Alemania), 2008
- R. NOTZEL
- P.M. Koenraad
- P.J VAN VELDHOVEN
- M. BOZKURT
- C. Çelebi
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
Mn And Fe Doped Inas Quantum Dots Studied By X-Stm (p. 0-0) - 21/9/2008
- iMarina
Modified optical properties of GaAs(Sb)(N)-capped InAs/GaAs quantum dots
- M Montes
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- HIERRO CANO, ADRIAN
Proceedings (p. 0-0) - 16/6/2011
- iMarina
Morphological and Structural Characterization of MgxZn1-xO?, 8th International Workshop on Zinc Oxide and Related Materials
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- HIERRO CANO, ADRIAN
- Muñoz Merino, Elías
8th International Workshop On Zinc Oxide And Related Materials, (p. 10-15) - 8/9/2014
- iMarina
Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.
Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.
Aleaciones emergentes de nitruros diluidos III-V y nanoestructuras relacionadas para aplicaciones fotovoltaicas y de fotodetección de alta eficiencia
- UTRILLA LOMAS, ANTONIO DAVID (Miembro del equipo de trabajo)
- GONZALO MARTIN, ALICIA (Miembro del equipo de trabajo)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
Ejecución: 01-01-2014 - 31-12-2016
Tipo: Nacional
Importe financiado: 103220,41 Euros.
- iMarina
Antimóniuros cuánticos para fotónica cuántica y fotovoltaica: fabricación de materiales y dispositivos
- STANOJEVIC, LAZAR (Miembro del equipo de trabajo)
- STANOJEVIC, LAZAR (Investigador principal (IP))
- CATALAN GOMEZ, SERGIO (Miembro del equipo de trabajo)
- GALLEGO CARRO, ALEJANDRO (Miembro del equipo de trabajo)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-06-2020 - 31-05-2023
Tipo: Nacional
Importe financiado: 82280,00 Euros.
- iMarina
Desarrollo de laseres horizontales y de cavidad vertical para La banda de 1.35 a 1.55 micras basados en pozos cuánticos de gainnas/gaas
- SANZ LLUCH, M. DEL MAR (Participante)
- MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
Ejecución: 31-12-2005 - 31-03-2009
Tipo: Nacional
- iMarina
Emerging diluted III-V-nitrides and related engineered nanostructures for high efficient photovoltaic and photodetection applications
- Jose María Ulloa (Investigador principal (IP))
- CATALAN GOMEZ, SERGIO (Titulado/a universitario/a en formación)
Ejecución: 01-01-2014 - 31-12-2016
- iMarina
MICROFABRICACIÓN DE DISPOSITIVOS OPTOELECTRÓNICOS EN GaAs
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-09-2020 - 31-08-2021
- iMarina
Nano y microdispositivos basados en ZnO para la detección de H2 y UV.
- MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- Muñoz Merino, Elías (Participante)
- HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-01-2009 - 31-12-2011
Tipo: Nacional
Importe financiado: 207636,00 Euros.
- iMarina
Nueva Generación de emisores de Fotones Individuales para Telecomunicaciones
- FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Investigador principal (IP))
- Gacevic, Zarko (Participante)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- GALLEGO CARRO, ALEJANDRO (Miembro del equipo de trabajo)
- ABUIN HERRAEZ, MANUEL (Miembro del equipo de trabajo)
- SCHWARZ, MALTE DANIEL (Miembro del equipo de trabajo)
Ejecución: 01-09-2023 - 31-08-2026
Tipo: Nacional
- iMarina
Nuevas nanoestructuras basadas en Sb para aplicaciones fotovoltaicas de alta eficiencia
- GONZALO MARTIN, ALICIA (Miembro del equipo de trabajo)
- STANOJEVIC, LAZAR (Miembro del equipo de trabajo)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
Ejecución: 30-12-2016 - 31-12-2020
Tipo: Nacional
Importe financiado: 90750,00 Euros.
- iMarina
PRTR. Comunicaciones cuánticas
- PEDROS AYALA, JORGE (Participante)
- HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
- BOSCA MOJENA, ALBERTO (Participante)
- FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Participante)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
- Calle Gómez, Fernando (Participante)
- GALLEGO CARRO, ALEJANDRO (Participante)
- STANOJEVIC, LAZAR (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- FABA GARCIA, JAVIER (Participante)
- Martin Ayuso, Vicente (Investigador principal (IP))
- Gacevic, Zarko (Investigador principal (IP))
- BRITO MENDEZ, RUBEN DAVID (Participante)
- VICENTE GARCIA, RAFAEL JUAN (Participante)
- SEBASTIAN LOMBRAÑA, ALBERTO JUAN (Participante)
- ROSALES BEJARANO, JOSE LUIS (Participante)
- SAEZ DE BURUAGA BROUNS, JAIME (Participante)
- GARCIA-ARISCO RIVERA, JESUS (Participante)
- OBRADOVIC, JOVANA (Participante)
Ejecución: 01-01-2022 - 31-12-2024
Tipo: Regional
- iMarina
Quantum Semiconductor Technologies Exploiting Antimony
- SCHWARZ, MALTE DANIEL (Becario/a)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-12-2020 - 30-11-2024
Tipo: Internacional
Importe financiado: 250904,88 Euros.
- iMarina
Propiedades ópticas y estructurales de nanoestructuras de Zn(Cd)(Mg)O
- HIERRO CANO, ADRIAN (Director)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Director) Doctorando: López Ponce, Manuel
1/1/2015
- iMarina
Structures based on GaAs(Sb)(N) semiconductor alloys for high efficiency multi-junction solar cells
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Director) Doctorando: Gonzalo Martín, Alicia
1/1/2019
- iMarina
Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.
Grupos de investigación
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Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
Rol: Miembro
Perfiles de investigador/a
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