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Perfil en el portal institucional

Ulloa Herrero, Jose Maria josem.ulloa@upm.es

CIENCIA DE MATERIALES / Universidad Politécnica de Madrid

Actividades

VIS-UV ZnCdO/ZnO multiple quantum well nanowires and the quantification of Cd diffusion

  • Lopez-Ponce, M
  • Nakamura, A
  • Suzuki, M
  • Temmyo, J
  • Agouram, S
  • Martínez-Tomás, MC
  • Muñoz-Sanjosé, V
  • Lefebvre, P
  • Ulloa, JM
  • Muñoz, E
  • Hierro, A
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Nanotechnology - 27/6/2014

10.1088/0957-4484/25/25/255202 Ver en origen

  • ISSN 09574484

GaAsSb/GaAsN short-period superlattices as a capping layer for improved InAs quantum dot-based optoelectronics

  • Utrilla, AD
  • Reyes, DF
  • Ulloa, JM
  • González, D
  • Ben, T
  • Guzman, A
  • Hierro, A
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Applied Physics Letters - 28/7/2014

10.1063/1.4891557 Ver en origen

  • ISSN 00036951

xArchiMate: Enterprise Architecture simulation, experimentation and analysis

  • Manzur, Laura
  • Mario Ulloa, Jorge
  • Sanchez, Mario
  • Villalobos, Jorge;

Simulation-Transactions Of The Society For Modeling And Simulation International (p. 276-301) - 1/1/2015

10.1177/0037549715575188 Ver en origen

  • ISSN 00375497

Effect of annealing in the Sb and In distribution of type II GaAsSb-capped InAs quantum dots

  • Reyes, D. F.
  • Ulloa, J. M.
  • Guzman, A.
  • Hierro, A.
  • Sales, D. L.
  • Beanland, R.
  • Sanchez, A. M.
  • Gonzalez, D.;
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Semiconductor Science And Technology - 15/10/2015

10.1088/0268-1242/30/11/114006 Ver en origen

  • ISSN 13616641

Type II InAs/GaAsSb quantum dots: Highly tunable exciton geometry and topology

  • Llorens, JM
  • Wewior, L
  • de Oliveira, ERC
  • Ulloa, JM
  • Utrilla, AD
  • Guzmán, A
  • Hierro, A
  • Alén, B
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Applied Physics Letters - 2/11/2015

10.1063/1.4934841 Ver en origen

  • ISSN 00036951

Role of the wetting layer in the enhanced responsivity of InAs/GaAsSb quantum dot infrared photodetectors

  • Guzmán, A
  • Yamamoto, K
  • Ulloa, JM
  • Llorens, JM
  • Hierro, A

Applied Physics Letters - 6/7/2015

10.1063/1.4926364 Ver en origen

  • ISSN 00036951

Optical properties of ZnMgO films grown by spray pyrolysis and their application to UV photodetection

  • Lopez-Ponce, M
  • Hierro, A
  • Marín-Borrás, V
  • Tabares, G
  • Kurtz, A
  • Albert, S
  • Agouram, S
  • Muñoz-Sanjosé, V
  • Muñoz, E
  • Ulloa, JM
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Semiconductor Science And Technology - 7/9/2015

10.1088/0268-1242/30/10/105026 Ver en origen

  • ISSN 13616641

Impact of alloyed capping layers on the performance of In As quantum dot solar cells

  • Utrilla, A. D.
  • Ulloa, J. M.
  • Gacevic, Z.
  • Reyes, D. F.
  • Artacho, I.
  • Ben, T.
  • Gonzalez, D.
  • Hierro, A.
  • Guzman, A.;
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Solar Energy Materials And Solar Cells (p. 128-135) - 15/1/2016

10.1016/j.solmat.2015.08.009 Ver en origen

  • ISSN 09270248

Scanning tunneling microscopy contrast of isovalent impurities on the GaAs (110) surface explained with a geometrical model

  • Tilley, F. J.
  • Roy, Mervyn
  • Maksym, P. A.
  • Koenraad, P. M.
  • Krammel, C. M.
  • Ulloa, J. M.;

Physical Review b - 27/1/2016

10.1103/physrevb.93.035313 Ver en origen

  • ISSN 01631829

Influence of Sb/N contents during the capping process on the morphology of InAs/GaAs quantum dots

  • L. Wewior
  • JM. Llorens
  • B. Alen
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA

Solar Energy Materials And Solar Cells (p. 154-161) - 1/2/2016

10.1016/j.solmat.2015.07.015 Ver en origen

  • ISSN 09270248

Este/a investigador/a no tiene libros.

InAs Quantum Dot Formation Studied at the Atomic Scale by Cross-sectional Scanning Tunnelling Microscopy

  • Ulloa, J. M.
  • Offermans, P.
  • Koenraad, P. M.;

Handbook Of Self Assembled Semiconductor Nanostructures For Novel Devices In Photonics And Electronics (p. 165-200) - 1/1/2008

10.1016/b978-0-08-046325-4.00005-0 Ver en origen

From Dot to Ring: Tunable Exciton Topology in Type-II InAs/GaAsSb Quantum Dots

  • Llorens J
  • Lopes-Oliveira V
  • López-Richard V
  • Ulloa J
  • Alén B

Nanoscience And Technology (p. 57-88) - 1/1/2018

10.1007/978-3-319-95159-1_3 Ver en origen

  • ISSN 14344904

Piezoelectric effects in InGaAs Quantum Well Lasers grown on (111)B GaAs substrates

  • Borruel, L
  • Ulloa, JM
  • Sanchez, JJ
  • Romero, B
  • Temmyo, J
  • Tijero, JMG
  • Sanchez-Rojas, JL
  • Esquivias, I;
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Proceedings Of Spie - The International Society For Optical Engineering (p. 215-226) - 9/9/2001

10.1117/12.432568 Ver en origen

  • ISSN 0277786X

Optimization of InGaAsN on GaAs (111)B for semicnductor laser devices

  • Miguel-Sánchez, J
  • Guzmán, A
  • Ulloa, JM
  • Hierro, A
  • Muñoz, E

2005 Spanish Conference On Electron Devices (p. 319-322) - 1/12/2005

10.1109/sced.2005.1504392 Ver en origen

  • ISSN 0780388100

Effects of rapid thermal annealing on InGaAsN quantum well based devices grown on misoriented (111)B GaAs

  • Miguel-Sánchez, J
  • Guzmán, A
  • Ulloa, JM
  • Hierro, A
  • Muñoz, E

Proceedings Of Spie - The International Society For Optical Engineering (p. 766-773) - 9/12/2005

10.1117/12.608415 Ver en origen

  • ISSN 0277786X

Influence of carrier localization on the performance of MBE grown GaInNAs/GaAs QW light emitting diodes and laser diodes

  • Ulloa, JM
  • Hierro, A
  • Montes, M
  • Miguel-Sánchez, J
  • Guzmán, A
  • Damilano, B
  • Barjon, J
  • Hugues, M
  • Duboz, JY
  • Massies, J
  • Trampert, A
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Proceedings Of Spie - The International Society For Optical Engineering (p. 81-90) - 9/12/2005

10.1117/12.608369 Ver en origen

  • ISSN 0277786X

Analysis of the room temperature performance of 1.3-1.52 mu m GaInNAs/GaAs LDs grown by MBE

  • Hierro, A
  • Ulloa, JM
  • Montes, M
  • Damilano, B
  • Barjon, J
  • Hugues, M
  • Duboz, JY
  • Massies, J
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Proceedings Of Spie - The International Society For Optical Engineering (p. 72-80) - 9/12/2005

10.1117/12.608368 Ver en origen

  • ISSN 0277786X

(Ga,In)(N,As)/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy for above 1.3 mu m low threshold lasers

  • Damilano, B
  • Barjon, J
  • Hugues, M
  • Duboz, JY
  • Massies, J
  • Ulloa, JM
  • Montes, M
  • Hierro, A
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Proceedings Of Spie - The International Society For Optical Engineering (p. 781-789) - 12/12/2005

10.1117/12.608752 Ver en origen

  • ISSN 0277786X

Atomic scale study of the impact of the strain and composition of the capping layer on the formation of InAs quantum dots

  • Ulloa, J. M.
  • Celebi, C.
  • Koenraad, P. M.
  • Simon, A.
  • Gapihan, E.
  • Letoublon, A.
  • Bertru, N.
  • Drouzas, I.
  • Mowbray, D. J.
  • Steer, M. J.
  • Hopkinson, M.;
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Journal Of Applied Physics - 1/1/2007

10.1063/1.2722738 Ver en origen

  • ISSN 00218979

I. W.D. Drouzas, J. M. Ulloa, P. M. Koenraad, D. J. Mowbray, M. Steer, H. Y. Liu, M. Hopkinson "InAs self-assembled quantum dots with a GaAsSb strain reducing layer: Structural and compositional analysis by cross sectional scanning tunnelling microscopy"

  • P. M. Koenraad
  • M. Hopkison
  • M. Steer
  • I. W.D. Drouzas
  • H. Y. Liu
  • D. J. Mowbray
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
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2/4/2007

  • iMarina

J. M. Ulloa, C. Çelebi, P. Offermans, P.M. Koenraad, A. Simon, E. Gapihan, A. Letoublon, N. Bertru, I. Drouzas, D.J. Mowbray, M.J. Steer, M. Hopkinson "Capping of InAs quantum dots studied at the atomic scale by cross-sectional scanning tunneling micros

  • P.M. Koenraad
  • P. Offermans
  • N. Bertru
  • M.J. Steer
  • M. Hopkinson
  • I. Drouzas
  • E. Gapihan
  • D.J. Mowbray
  • C. Çelebi
  • A. Letoublon
  • A. Simon
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
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2/4/2007

  • iMarina

J. M. Ulloa, P. M. Koenraad, E. Gapihan, A. Letoublon, N. Bertru "Double capping of InAs/InP (311)B quantum dots studied by cross-sectional scanning tunneling microscopy" One day Quantum Dot Meeting 2007 Nottingham (UK) 2 al 5 de abril de 2007 2007

  • P. M. Koenraad
  • N. Bertru
  • E. Gapihan
  • A. Letoublon
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA

2/4/2007

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.

Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.

Desarrollo de laseres horizontales y de cavidad vertical para La banda de 1.35 a 1.55 micras basados en pozos cuánticos de gainnas/gaas

  • SANZ LLUCH, M. DEL MAR (Participante)
  • MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))

Ejecución: 31-12-2005 - 31-03-2009

Tipo: Nacional

  • iMarina

Nano y microdispositivos basados en ZnO para la detección de H2 y UV.

  • MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
  • Muñoz Merino, Elías (Participante)
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-01-2009 - 31-12-2011

Tipo: Nacional

Importe financiado: 207636,00 Euros.

  • iMarina

Regrowth of a laterally-biased double quantum well tunable detector

  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)

Ejecución: 01-03-2009 - 28-02-2010

Tipo: Internacional

Importe financiado: 70000,00 Euros.

  • iMarina

ZNMGO-based nanocolumnar and core-shell leds with high power efficiencies

  • Nakamura ., Atsushi (Participante)
  • UTRILLA LOMAS, ANTONIO DAVID (Miembro del equipo de trabajo)
  • KURTZ DE GRIÑO, ALEJANDRO (Miembro del equipo de trabajo)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
  • Muñoz Merino, Elías (Participante)
  • HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
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Ejecución: 01-12-2010 - 30-11-2013

Tipo: Nacional

Importe financiado: 174336,00 Euros.

  • iMarina

Aleaciones emergentes de nitruros diluidos III-V y nanoestructuras relacionadas para aplicaciones fotovoltaicas y de fotodetección de alta eficiencia

  • UTRILLA LOMAS, ANTONIO DAVID (Miembro del equipo de trabajo)
  • GONZALO MARTIN, ALICIA (Miembro del equipo de trabajo)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)

Ejecución: 01-01-2014 - 31-12-2016

Tipo: Nacional

Importe financiado: 103220,41 Euros.

  • iMarina

Emerging diluted III-V-nitrides and related engineered nanostructures for high efficient photovoltaic and photodetection applications

  • Jose María Ulloa (Investigador principal (IP))
  • CATALAN GOMEZ, SERGIO (Titulado/a universitario/a en formación)

Ejecución: 01-01-2014 - 31-12-2016

  • iMarina

Zinc Oxide For TeraHertz Cascade Devices

  • HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
  • MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)

Ejecución: 01-09-2015 - 29-02-2020

Tipo: Internacional

Importe financiado: 698871,25 Euros.

  • iMarina

Nuevas nanoestructuras basadas en Sb para aplicaciones fotovoltaicas de alta eficiencia

  • GONZALO MARTIN, ALICIA (Miembro del equipo de trabajo)
  • STANOJEVIC, LAZAR (Miembro del equipo de trabajo)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))

Ejecución: 30-12-2016 - 31-12-2020

Tipo: Nacional

Importe financiado: 90750,00 Euros.

  • iMarina

Quantum Semiconductor Technologies Exploiting Antimony

  • SCHWARZ, MALTE DANIEL (Becario/a)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-12-2020 - 30-11-2024

Tipo: Internacional

Importe financiado: 250904,88 Euros.

  • iMarina

Antimóniuros cuánticos para fotónica cuántica y fotovoltaica: fabricación de materiales y dispositivos

  • STANOJEVIC, LAZAR (Miembro del equipo de trabajo)
  • STANOJEVIC, LAZAR (Investigador principal (IP))
  • CATALAN GOMEZ, SERGIO (Miembro del equipo de trabajo)
  • GALLEGO CARRO, ALEJANDRO (Miembro del equipo de trabajo)
  • FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))

Ejecución: 01-06-2020 - 31-05-2023

Tipo: Nacional

Importe financiado: 82280,00 Euros.

  • iMarina

Propiedades ópticas y estructurales de nanoestructuras de Zn(Cd)(Mg)O

  • HIERRO CANO, ADRIAN (Director)
  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Director) Doctorando: López Ponce, Manuel

1/1/2015

  • iMarina

Tuning the properties of InAs/GaAs quantum dots through a modified capping layer: application to optoelectronic devices

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Director) Doctorando: Utrilla Lomas, Antonio David

1/1/2017

  • iMarina

Structures based on GaAs(Sb)(N) semiconductor alloys for high efficiency multi-junction solar cells

  • ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Director) Doctorando: Gonzalo Martín, Alicia

1/1/2019

  • iMarina

Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.

Última actualización de los datos: 5/03/24 19:07