Ulloa Herrero, Jose Maria josem.ulloa@upm.es
Actividades
- Artículos 113
- Libros 0
- Capítulos de libro 2
- Congresos 130
- Documentos de trabajo 0
- Informes técnicos 0
- Proyectos de investigación 13
- Tesis dirigidas 3
- Patentes o licencias de software 0
Strong Influence of the Humidity on the Electrical Properties of InGaAs Surface Quantum Dots
- Milla, MJ
- Ulloa, JM
- Guzmán, A
Acs Applied Materials & Interfaces (p. 6191-6195) - 14/5/2014
10.1021/am5010442 Ver en origen
- ISSN 19448244
Interfacial Embedding of Laser-Manufactured Fluorinated Gold Clusters Enabling Stable Perovskite Solar Cells with Efficiency Over 24%
- Guo, Pengfei
- Zhu, Hongfu
- Zhao, Wenhao
- Liu, Chen
- Zhu, Liguo
- Ye, Qian
- Jia, Ning
- Wang, Hongyue
- Zhang, Xiuhai
- Huang, Wanxia
- Vinokurov, Vladimir A.
- Ivanov, Evgenii
- Shchukin, Dmitry
- Harvey, Daniel
- Ulloa, Jose Maria
- Hierro, Adrian
- Wang, Hongqiang;
Advanced Materials - 1/1/2021
10.1002/adma.202101590 Ver en origen
- ISSN 09359648
Dependence of Surface InGaAs Quantum Dot Luminescence on the Molecular Properties of the Environment
- Milla, MJ
- Ulloa, JM
- Guzmán, A
Applied Physics Express - 1/9/2013
10.7567/apex.6.092002 Ver en origen
- ISSN 18820778
Impact of the Sb content on the performance of GaAsSb-capped InAs/GaAs quantum dot lasers
- Utrilla, AD
- Ulloa, JM
- Guzman, A
- Hierro, A
Applied Physics Letters - 9/9/2013
10.1063/1.4821071 Ver en origen
- ISSN 00036951
Optical properties and microstructure of 2.02-3.30 eV ZnCdO nanowires: Effect of thermal annealing
- Lopez-Ponce, M
- Hierro, A
- Ulloa, JM
- Lefebvre, P
- Muñoz, E
- Agouram, S
- Muñoz-Sanjosé, V
- Yamamoto, K
- Nakamura, A
- Temmyo, J
Applied Physics Letters - 8/4/2013
10.1063/1.4799491 Ver en origen
- ISSN 00036951
Role of the wetting layer in the enhanced responsivity of InAs/GaAsSb quantum dot infrared photodetectors
- Guzmán, A
- Yamamoto, K
- Ulloa, JM
- Llorens, JM
- Hierro, A
Applied Physics Letters - 6/7/2015
10.1063/1.4926364 Ver en origen
- ISSN 00036951
GaAsSb/GaAsN short-period superlattices as a capping layer for improved InAs quantum dot-based optoelectronics
Applied Physics Letters - 28/7/2014
10.1063/1.4891557 Ver en origen
- ISSN 00036951
Type II InAs/GaAsSb quantum dots: Highly tunable exciton geometry and topology
- Llorens, JM
- Wewior, L
- de Oliveira, ERC
- Ulloa, JM
- Utrilla, AD
- Guzmán, A
- Hierro, A
- Alén, B
Applied Physics Letters - 2/11/2015
10.1063/1.4934841 Ver en origen
- ISSN 00036951
High optical sensitivity to ambient conditions of uncapped InGaAs surface quantum dots
- Milla, MJ
- Ulloa, JM
- Guzmán, A
Applied Physics Letters - 26/3/2012
10.1063/1.3697992 Ver en origen
- ISSN 00036951
Inhibition of In desorption in diluted nitride InAsN quantum dots
- Reyes, DF
- González, D
- Sales, DL
- Gargallo-Caballero, R
- Guzmán, A
- Ulloa, JM
- Hierro, A
Applied Physics Letters - 14/2/2011
10.1063/1.3554386 Ver en origen
- ISSN 00036951
Este/a investigador/a no tiene libros.
InAs Quantum Dot Formation Studied at the Atomic Scale by Cross-sectional Scanning Tunnelling Microscopy
- Ulloa, J. M.
- Offermans, P.
- Koenraad, P. M.;
Handbook Of Self Assembled Semiconductor Nanostructures For Novel Devices In Photonics And Electronics (p. 165-200) - 1/1/2008
From Dot to Ring: Tunable Exciton Topology in Type-II InAs/GaAsSb Quantum Dots
- Llorens J
- Lopes-Oliveira V
- López-Richard V
- Ulloa J
- Alén B
Nanoscience And Technology (p. 57-88) - 1/1/2018
10.1007/978-3-319-95159-1_3 Ver en origen
- ISSN 14344904
Stacked GaAs(Sb)(N)-capped InAs/GaAs quantum dots for enhanced solar cell efficiency
- Utrilla, AD
- Ulloa, JM
- Gacevic, Z
- Reyes, DF
- González, D
- Ben, T
- Guzmán, A
- Hierro, A
Proceedings Of Spie - The International Society For Optical Engineering - 1/1/2015
10.1117/12.2077151 Ver en origen
- ISSN 0277786X
Coupling of localized surface plasmons to intersubband transitions in CdO/GaAs
- Castellano, EM
- Tamayo-Arriola, J
- Gonzalo, A
- Stanojevic, L
- Ulloa, JM
- Klymov, O
- Yeste, J
- Agouram, S
- Muñoz, E
- Munoz-Sanjose, V
- Bajo, MM
- Hierro, A
Proceedings Of Spie - The International Society For Optical Engineering (p. 1200203) - 1/1/2022
10.1117/12.2615766 Ver en origen
- EISSN 1996-756X
- ISSN 0277786X
Influence of carrier localization on the performance of MBE grown GaInNAs/GaAs QW light emitting diodes and laser diodes
- Ulloa, JM
- Hierro, A
- Montes, M
- Miguel-Sánchez, J
- Guzmán, A
- Damilano, B
- Barjon, J
- Hugues, M
- Duboz, JY
- Massies, J
- Trampert, A
Proceedings Of Spie - The International Society For Optical Engineering (p. 81-90) - 9/12/2005
10.1117/12.608369 Ver en origen
- ISSN 0277786X
Effects of rapid thermal annealing on InGaAsN quantum well based devices grown on misoriented (111)B GaAs
- Miguel-Sánchez, J
- Guzmán, A
- Ulloa, JM
- Hierro, A
- Muñoz, E
Proceedings Of Spie - The International Society For Optical Engineering (p. 766-773) - 9/12/2005
10.1117/12.608415 Ver en origen
- ISSN 0277786X
Processing and adsorption control in ZnO single nanowire photodetectors
Proceedings Of The 8th Spanish Conference On Electron Devices, Cde'2011 (p. 0-0) - 9/2/2011
10.1109/sced.2011.5744157 Ver en origen
- iMarina
- iMarina
The use of Abel-Tersoff potentials in atomistic simulations of InGaAsSb/GaAs
- Haxha, V.
- Garg, R.
- Migliorato, M. A.
- Drouzas, I. W.
- Ulloa, J. M.
- Koenraad, P. M.
- Steer, M. J.
- Liu, H. Y.
- Hopkinson, M.
- Mowbray, D. J.;
Proceedings Of The International Conference On Numerical Simulation Of Optoelectronic Devices, Nusod (p. 111-+) - 1/1/2008
10.1109/nusod.2008.4668267 Ver en origen
- ISSN 03068919
Type-II GaAsSb/GaAsN superlattice solar cells
- Gonzalo, A
- Utrilla, AD
- Aeberhard, U
- Llorens, JM
- Alén, B
- Marrón, DF
- Guzman, A
- Hierro, A
- Ulloa, JM
Proceedings Vol 10527 Physics, Simulation, And Photonic Engineering Of Photovoltaic Devices Vii (p. 1.052.701-1.052.709) - 27/1/2018
10.1117/12.2290079 Ver en origen
- ISSN 0277786X
- iMarina
- iMarina
Analysis of capping with GaAsSbN thin layers in (un)coupled InAs/GaAs multi quantum dot layers for enhanced solar cells
- V. Braza
- T. Ben
- D. González
- D. F. Reyes
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- UTRILLA LOMAS, ANTONIO DAVID
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- HIERRO CANO, ADRIAN
Proceedings, 912?913 (2016). (Isbn: 9783527808465). (p. 912-913) - 28/8/2016
- iMarina
J.M. ULLOA, P.M. KOENRAAD, M. HOPKINSON "Structural properties of GaAsN/GaAs quantum wells studied at the atomic scale by cross-sectional scanning tunneling microscopy". European Materials Research Society Spring Meeting 2010 Strasbourg (France), 2010
- P.M. Koenraad
- M. HOPKINSON
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
Structural Properties Of Gaasn/Gaas Quantum Wells Studied At The Atomic Scale By Cross-Sectional Scanning Tunneling Microscopy (p. 0-0) - 8/6/2010
- iMarina
The influence of the Ga content on the N incorporation in InAsN and GaInNAs Quantum Dots 7th International Workshop on Epitaxial Semiconductors on Patterned Substrates and Novel Index Surfaces (ESPS-NIS), Les Arcenaulx, Marseille (Francia), 2008
- M. Hopkinson
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- HIERRO CANO, ADRIAN
- Calleja Pardo, Enrique
The Influence Of The Ga Content On The N Incorporation In Inasn And Gainnas Quantum Dots 7th International Workshop On Epitaxial (p. 0-0) - 13/10/2008
- iMarina
Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.
Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.
Antimóniuros cuánticos para fotónica cuántica y fotovoltaica: fabricación de materiales y dispositivos
- STANOJEVIC, LAZAR (Miembro del equipo de trabajo)
- STANOJEVIC, LAZAR (Investigador principal (IP))
- CATALAN GOMEZ, SERGIO (Miembro del equipo de trabajo)
- GALLEGO CARRO, ALEJANDRO (Miembro del equipo de trabajo)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-06-2020 - 31-05-2023
Tipo: Nacional
Importe financiado: 82280,00 Euros.
- iMarina
Nuevas nanoestructuras basadas en Sb para aplicaciones fotovoltaicas de alta eficiencia
- GONZALO MARTIN, ALICIA (Miembro del equipo de trabajo)
- STANOJEVIC, LAZAR (Miembro del equipo de trabajo)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
Ejecución: 30-12-2016 - 31-12-2020
Tipo: Nacional
Importe financiado: 90750,00 Euros.
- iMarina
Zinc Oxide For TeraHertz Cascade Devices
- HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
- MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
Ejecución: 01-09-2015 - 29-02-2020
Tipo: Internacional
Importe financiado: 698871,25 Euros.
- iMarina
Aleaciones emergentes de nitruros diluidos III-V y nanoestructuras relacionadas para aplicaciones fotovoltaicas y de fotodetección de alta eficiencia
- UTRILLA LOMAS, ANTONIO DAVID (Miembro del equipo de trabajo)
- GONZALO MARTIN, ALICIA (Miembro del equipo de trabajo)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
Ejecución: 01-01-2014 - 31-12-2016
Tipo: Nacional
Importe financiado: 103220,41 Euros.
- iMarina
ZNMGO-based nanocolumnar and core-shell leds with high power efficiencies
- Nakamura ., Atsushi (Participante)
- UTRILLA LOMAS, ANTONIO DAVID (Miembro del equipo de trabajo)
- KURTZ DE GRIÑO, ALEJANDRO (Miembro del equipo de trabajo)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- Muñoz Merino, Elías (Participante)
- HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-12-2010 - 30-11-2013
Tipo: Nacional
Importe financiado: 174336,00 Euros.
- iMarina
Regrowth of a laterally-biased double quantum well tunable detector
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
- HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
Ejecución: 01-03-2009 - 28-02-2010
Tipo: Internacional
Importe financiado: 70000,00 Euros.
- iMarina
Nano y microdispositivos basados en ZnO para la detección de H2 y UV.
- MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- Muñoz Merino, Elías (Participante)
- HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-01-2009 - 31-12-2011
Tipo: Nacional
Importe financiado: 207636,00 Euros.
- iMarina
Desarrollo de laseres horizontales y de cavidad vertical para La banda de 1.35 a 1.55 micras basados en pozos cuánticos de gainnas/gaas
- SANZ LLUCH, M. DEL MAR (Participante)
- MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
Ejecución: 31-12-2005 - 31-03-2009
Tipo: Nacional
- iMarina
Quantum Semiconductor Technologies Exploiting Antimony
- SCHWARZ, MALTE DANIEL (Becario/a)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-12-2020 - 30-11-2024
Tipo: Internacional
Importe financiado: 250904,88 Euros.
- iMarina
Propiedades ópticas y estructurales de nanoestructuras de Zn(Cd)(Mg)O
- HIERRO CANO, ADRIAN (Director)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Director) Doctorando: López Ponce, Manuel
1/1/2015
- iMarina
Structures based on GaAs(Sb)(N) semiconductor alloys for high efficiency multi-junction solar cells
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Director) Doctorando: Gonzalo Martín, Alicia
1/1/2019
- iMarina
Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.
Grupos de investigación
-
Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
Rol: Miembro
Perfiles de investigador/a
-
ORCID