Fernandez Gonzalez, Alvaro De Guzman alvarodeguzman.fernandez@upm.es
Actividades
- Artículos 80
- Libros 0
- Capítulos de libro 1
- Congresos 88
- Documentos de trabajo 0
- Informes técnicos 0
- Proyectos de investigación 15
- Tesis dirigidas 3
- Patentes o licencias de software 0
1 eV GaAsSbN–based solar cells for efficient multi-junction design: Enhanced solar cell performance upon annealing
- Gonzalo, A
- Stanojevic, L
- Marrón, DF
- Guzman, A
- Hierro, A
- Ulloa, JM
Solar Energy (p. 307-313) - 1/1/2021
10.1016/j.solener.2021.04.041 Ver en origen
- ISSN 0038092X
1.3 mu m emitting GaInNAs/GaAs quantum well resonant cavity LEDs
- Montes, M
- Guzmán, A
- Trampert, A
- Hierro, A
Solid-State Electronics (p. 492-496) - 1/4/2010
10.1016/j.sse.2009.11.007 Ver en origen
- ISSN 00381101
- iMarina
- iMarina
Analysis of the characteristic temperatures of (Ga,In)(N,As)/GaAs laser diodes
- Montes, M
- Hierro, A
- Ulloa, JM
- Guzman, A
- Damilano, B
- Hugues, M
- Al Khalfioui, M
- Duboz, JY
- Massies, J
Journal Of Physics D-Applied Physics - 7/8/2008
10.1088/0022-3727/41/15/155102 Ver en origen
- ISSN 00223727
Annealing effects on the crystal structure of GaInNAs quantum wells with large In and N content grown by molecular beam epitaxy
- Hierro, A
- Ulloa, JM
- Chauveau, JM
- Trampert, A
- Pinault, MA
- Tournié, E
- Guzmán, A
- Sánchez-Rojas, JL
- Calleja, E
Journal Of Applied Physics (p. 2319-2324) - 15/8/2003
10.1063/1.1591416 Ver en origen
- ISSN 00218979
Cathodoluminescence investigations of GaInNAs on GaAs(111)B
- Miguel-Sánchez, J
- Jahn, U
- Guzmán, A
- Muñoz, E
Applied Physics Letters - 18/12/2006
10.1063/1.2398919 Ver en origen
- ISSN 00036951
Correlation between interface structure and light emission at 1.3-1.55 mu m of (Ga,In)(N,As) diluted nitride heterostructures on GaAs substrates
- Trampert, A
- Chauveau, JM
- Ploog, KH
- Tournié, E
- Guzmán, A
Journal Of Vacuum Science & Technology b (p. 2195-2200) - 1/7/2004
10.1116/1.1775197 Ver en origen
- ISSN 10711023
Correlation between quantum well morphology, carrier localization and the optoelectronic properties of GaInNAs/GaAs light emitting diodes
- Ulloa, JM
- Hierro, A
- Miguel-Sánchez, J
- Guzmán, A
- Chauveau, JM
- Trampert, A
- Tournié, E
- Calleja, E
Semiconductor Science And Technology (p. 1047-1052) - 1/8/2006
10.1088/0268-1242/21/8/011 Ver en origen
- ISSN 13616641
Correlation between the performance of double-barrier quantum-well infrared photodetectors and their microstructure: On the origin of the photovoltaic effect
- Luna, E
- Trampert, A
- Guzmán, A
- Calleja, E
Journal Of Applied Physics - 15/8/2005
10.1063/1.2006990 Ver en origen
- ISSN 00218979
Critical Role of Two-Dimensional Island-Mediated Growth on the Formation of Semiconductor Heterointerfaces
- Luna, E
- Guzmán, A
- Trampert, A
- Alvarez, G
Physical Review Letters - 18/9/2012
10.1103/physrevlett.109.126101 Ver en origen
- ISSN 00319007
Current Spreading Efficiency and Fermi Level Pinning in GaInNAs-GaAs Quantum-Well Laser Diodes
- Montes Bajo, M
- Hierro, A
- Ulloa, JM
- Miguel-Sánchez, J
- Guzmán, A
- Damilano, B
- Hugues, M
- Al Khalfioui, M
- Duboz, JY
- Massies, J
Ieee Journal Of Quantum Electronics (p. 1058-1065) - 1/1/2010
10.1109/jqe.2010.2043219 Ver en origen
- ISSN 00189197
Este/a investigador/a no tiene libros.
The influence of Ga composition of GaInAsN QDs on N incorporation.
- M. Hopkinson
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- Muñoz Merino, Elías
7th International Workshop On Epitaxial Semiconductors On Patterned Substrates And Novel Index Surfaces (p. 103-105) - 21/4/2008
- iMarina
The influence of the Ga content on the N incorporation in InAsN and GaInNAs Quantum Dots 7th International Workshop on Epitaxial Semiconductors on Patterned Substrates and Novel Index Surfaces (ESPS-NIS), Les Arcenaulx, Marseille (Francia), 2008
- M. Hopkinson
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- HIERRO CANO, ADRIAN
- Calleja Pardo, Enrique
The Influence Of The Ga Content On The N Incorporation In Inasn And Gainnas Quantum Dots 7th International Workshop On Epitaxial (p. 0-0) - 13/10/2008
- iMarina
Tuning the size, strain and band offsets of InAs/GaAs quantum dots through a thin GaAs(Sb)(N) capping layer
- M Montes
- M Boz
- K Yamamoto
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- HIERRO CANO, ADRIAN
Proceedings (p. 0-0) - 20/3/2011
- iMarina
Type-I and Type-II InAs/GaAs Quantum Dot solar cells with a GaAsSb capping layer
- T. Ben
- D.F Reyes
- D. González
- Gacevic, Zarko
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- UTRILLA LOMAS, ANTONIO DAVID
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- HIERRO CANO, ADRIAN
Proceedings (p. 0-3) - 15/3/2015
- iMarina
Type-II GaAsSb/GaAsN superlattice solar cells
- Gonzalo, A
- Utrilla, AD
- Aeberhard, U
- Llorens, JM
- Alén, B
- Marrón, DF
- Guzman, A
- Hierro, A
- Ulloa, JM
Proceedings Vol 10527 Physics, Simulation, And Photonic Engineering Of Photovoltaic Devices Vii (p. 1.052.701-1.052.709) - 27/1/2018
10.1117/12.2290079 Ver en origen
- ISSN 0277786X
- iMarina
- iMarina
Unintentional Doping in GaAsSb/GaAsN Superlattice Solar Cells
- Schwarz, M
- Carro, AG
- Stanojevic, L
- Catalán-Gómez, S
- Braza, V
- Flores, S
- Fernandez-Reyes, D
- Ben, T
- González, D
- Guzman, A
- Hierro, A
- Aeberhard, U
- Ulloa, JM
14th Spanish Conference On Electron Devices, Cde 2023 - Proceedings - 1/1/2023
Á. Guzmán, E. Luna, J. Hernando, E. Muñoz "Quantum Well Infrared Photodetectors (QWIP), Basics and current activities at UPM University" 19th NATO/RTO Sensors and Electronics Technology Panel Business Meeting Toledo (España) 9 al 9 de octubre de 2007.
- J Hernando
- E Luna
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN[et al]
9/10/2007
- iMarina
Á. Guzmán, F. Ishikawa, A. Trampert, K.H. Ploog "Effect Of Sb On The Optical Properties Of Gainnas And Gainnassb Quantum Wells Grown By Mbe" 14th European Molecular Beam Epitaxy Workshop 2007 Sierra Nevada, Granada (ESPAÑA) 5 al 7 de marzo de 2007
- KH Ploog
- F Ishikawa
- A Trampert[et al]
5/3/2007
- iMarina
Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.
Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.
33 RD workshop on compound semiconductor devices and integrated circuits
- FUENTES ., GONZALO (Participante)
- Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- Calle Gómez, Fernando (Investigador principal (IP))
Ejecución: 15-02-2009 - 31-12-2009
Tipo: Nacional
- iMarina
Aleaciones emergentes de nitruros diluidos III-V y nanoestructuras relacionadas para aplicaciones fotovoltaicas y de fotodetección de alta eficiencia
- UTRILLA LOMAS, ANTONIO DAVID (Miembro del equipo de trabajo)
- GONZALO MARTIN, ALICIA (Miembro del equipo de trabajo)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
Ejecución: 01-01-2014 - 31-12-2016
Tipo: Nacional
Importe financiado: 103220,41 Euros.
- iMarina
Antimóniuros cuánticos para fotónica cuántica y fotovoltaica: fabricación de materiales y dispositivos
- STANOJEVIC, LAZAR (Miembro del equipo de trabajo)
- STANOJEVIC, LAZAR (Investigador principal (IP))
- CATALAN GOMEZ, SERGIO (Miembro del equipo de trabajo)
- GALLEGO CARRO, ALEJANDRO (Miembro del equipo de trabajo)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-06-2020 - 31-05-2023
Tipo: Nacional
Importe financiado: 82280,00 Euros.
- iMarina
Desarrollo de laseres horizontales y de cavidad vertical para La banda de 1.35 a 1.55 micras basados en pozos cuánticos de gainnas/gaas
- SANZ LLUCH, M. DEL MAR (Participante)
- MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
Ejecución: 31-12-2005 - 31-03-2009
Tipo: Nacional
- iMarina
Extensión de medida de catodoluminiscencia(CL) al rango infrarrojo en microcospio de barrido electrónico FESEM
- Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
- Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
Ejecución: 01-01-2013 - 31-12-2015
Tipo: Nacional
- iMarina
Nano y microdispositivos basados en ZnO para la detección de H2 y UV.
- MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- Muñoz Merino, Elías (Participante)
- HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-01-2009 - 31-12-2011
Tipo: Nacional
Importe financiado: 207636,00 Euros.
- iMarina
Nanoestructura de Semiconductores como Componentes para La Información Cuántica
- FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Participante)
- GRACIA VERANO, VICTOR (Investigador principal (IP))
- CERUTTI CERUTTI, LAURENT (Investigador principal (IP))
- RISTIC RISTIC, JELENA (Investigador principal (IP))
- SANZ MONASTERIO, MIKEL (Investigador principal (IP))
- HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
- MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-12-2005 - 01-01-2010
Tipo: Regional
- iMarina
Nanoestructura de Semiconductores como Componentes para La Información Cuántica
- GRACIA VERANO, VICTOR
- CERUTTI CERUTTI, LAURENT
- RISTIC RISTIC, JELENA
- SANZ MONASTERIO, MIKEL
- Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador/a)
Ejecución: 01-12-2005 - 01-01-2010
- iMarina
Nueva Generación de emisores de Fotones Individuales para Telecomunicaciones
- FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Investigador principal (IP))
- Gacevic, Zarko (Participante)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- GALLEGO CARRO, ALEJANDRO (Miembro del equipo de trabajo)
- ABUIN HERRAEZ, MANUEL (Miembro del equipo de trabajo)
- SCHWARZ, MALTE DANIEL (Miembro del equipo de trabajo)
Ejecución: 01-09-2023 - 31-08-2026
Tipo: Nacional
- iMarina
Nuevas nanoestructuras basadas en Sb para aplicaciones fotovoltaicas de alta eficiencia
- GONZALO MARTIN, ALICIA (Miembro del equipo de trabajo)
- STANOJEVIC, LAZAR (Miembro del equipo de trabajo)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
Ejecución: 30-12-2016 - 31-12-2020
Tipo: Nacional
Importe financiado: 90750,00 Euros.
- iMarina
Crecimiento por MBE de pozos cuánticos de InGaAsN sobre GaAs (111) B y (100) para su aplicación en láseres de semiconductor.
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Codirector)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Director) Doctorando: Miguel Sanchez, Javier
1/1/2006
- iMarina
Desarrollo de dispositivos optoelectrónicos mediante crecimiento por MBE y caracterización de nanoestructuras de punto cuántico basadas en (Ga,In)(As,N)
- Fernández González, Álvaro G. (Codirector)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Director) Doctorando: Gargallo Caballero, Raquel
1/1/2010
- iMarina
Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.
Grupos de investigación
-
Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
Rol: Miembro
Perfiles de investigador/a
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