Fernandez Gonzalez, Alvaro De Guzman alvarodeguzman.fernandez@upm.es
Actividades
- Artículos 80
- Libros 0
- Capítulos de libro 1
- Congresos 88
- Documentos de trabajo 0
- Informes técnicos 0
- Proyectos de investigación 15
- Tesis dirigidas 3
- Patentes o licencias de software 0
Electrical characterization of Schottky contacts to n-MgZnO films
Thin Solid Films (p. 539-545) - 2/12/2013
10.1016/j.tsf.2013.09.007 Ver en origen
- ISSN 00406090
Innovación didáctica: la gestión ambiental como eje transversal en educación primaria y secundaria
- Alvaro de Guzmán Fernández González
- Nancy Hidalgo Dittel
- Florangel Villegas Verdu
- Jeison Alfaro Aguirre
- Yanury Chaves Solano
- Miguel Ángel Guevara Agu?ero
Tecnología En Marcha (p. 22-36) - 1/1/2012
- ISSN 03793962
- iMarina
Impact of Nitrogen Ion Density on the Optical and Structural Properties of MBE Grown GaInNAs/GaAs (100) and (111)B Quantum Wells
- Miguel-Sánchez J
- Guzmán
- Hierro A
- Muñoz E
- Jahn U
- Trampert A
Springer Series In Materials Science (p. 35-63) - 1/1/2008
10.1007/978-3-540-74529-7 Ver en origen
- ISSN 0933033X
1.3 mu m emitting GaInNAs/GaAs quantum well resonant cavity LEDs
- Montes, M
- Guzmán, A
- Trampert, A
- Hierro, A
Solid-State Electronics (p. 492-496) - 1/4/2010
10.1016/j.sse.2009.11.007 Ver en origen
- ISSN 00381101
- iMarina
- iMarina
Diluted nitride type-II superlattices: Overcoming the difficulties of bulk GaAsSbN in solar cells
- Gonzalo, A
- Utrilla, AD
- Aeberhard, U
- Braza, V
- Reyes, DF
- Marrón, DF
- Llorens, JM
- Alén, B
- Ben, T
- González, D
- Guzman, A
- Hierro, A
- Ulloa, JM
Solar Energy Materials And Solar Cells - 15/6/2020
10.1016/j.solmat.2020.110500 Ver en origen
- ISSN 09270248
Influence of Sb/N contents during the capping process on the morphology of InAs/GaAs quantum dots
- L. Wewior
- JM. Llorens
- B. Alen
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
Solar Energy Materials And Solar Cells (p. 154-161) - 1/2/2016
10.1016/j.solmat.2015.07.015 Ver en origen
- ISSN 09270248
- iMarina
- iMarina
Impact of alloyed capping layers on the performance of In As quantum dot solar cells
- Utrilla, A. D.
- Ulloa, J. M.
- Gacevic, Z.
- Reyes, D. F.
- Artacho, I.
- Ben, T.
- Gonzalez, D.
- Hierro, A.
- Guzman, A.;
Solar Energy Materials And Solar Cells (p. 128-135) - 15/1/2016
10.1016/j.solmat.2015.08.009 Ver en origen
- ISSN 09270248
Thin GaAsSb capping layers for improved performance of InAs/GaAs quantum dot solar cells
- T. Ben
- J.M. Llorens
- D.F. Reyes
- D. González
- A. Guzmán
- Gacevic, Zarko
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- GONZALO MARTIN, ALICIA
- UTRILLA LOMAS, ANTONIO DAVID
- ARTACHO HUERTAS, IRENE
- HIERRO CANO, ADRIAN
Solar Energy Materials And Solar Cells (p. 282-289) - 1/1/2017
10.1016/j.solmat.2016.09.006 Ver en origen
- ISSN 09270248
Open circuit voltage recovery in GaAsSbN-based solar cells: Role of deep N-related radiative states
- Gonzalo, A
- Stanojevic, L
- Utrilla, AD
- Reyes, DF
- Braza, V
- Marrón, DF
- Ben, T
- González, D
- Hierro, A
- Guzman, A
- Ulloa, JM
Solar Energy Materials And Solar Cells - 15/9/2019
10.1016/j.solmat.2019.109949 Ver en origen
- ISSN 09270248
- iMarina
- iMarina
1 eV GaAsSbN–based solar cells for efficient multi-junction design: Enhanced solar cell performance upon annealing
- Gonzalo, A
- Stanojevic, L
- Marrón, DF
- Guzman, A
- Hierro, A
- Ulloa, JM
Solar Energy (p. 307-313) - 1/1/2021
10.1016/j.solener.2021.04.041 Ver en origen
- ISSN 0038092X
Este/a investigador/a no tiene libros.
Stacked GaAs(Sb)(N)-capped InAs/GaAs quantum dots for enhanced solar cell effiiency
- T Ben
- DF Reyes
- Gacevic, Zarko[et al]
Proceedings (p. 0-3) - 15/3/2015
- iMarina
Local vibration modes and nitrogen incorporation in AlGaAs : N layers
- Gallardo, E
- Lazic, S
- Calleja, JM
- Miguel-Sánchez, J
- Montes, M
- Hierro, A
- Gargallo-Caballero, R
- Guzmán, A
- Muñoz, E
- Teweldeberhan, AM
- Fahy, S
Physica Status Solidi c (p. 2345-2348) - 1/12/2008
Carrier diffusion lengths in (In,Ga)(As,N)/GaAs quantum wells studied by spatially resolved cathodoluminescence
- Jahn, U
- Miguel-Sanchez, J
- Flissikowski, T
- Grahn, HT
- Hey, R
- Guzmán, A
Physica Status Solidi (C) Current Topics In Solid State Physics (p. 627-+) - 8/5/2006
10.1002/pssc.200564131 Ver en origen
- ISSN 18626351
Dependence of N incorporation into (Ga)InAsN QDs on Ga content probed by rapid thermal annealing
- Gargallo-Caballero, R
- Guzmán, A
- Hopkinson, M
- Ulloa, JM
- Hierro, A
- Calleja, E
Physica Status Solidi (C) Current Topics In Solid State Physics (p. 1441-+) - 1/1/2009
10.1002/pssc.200881524 Ver en origen
- ISSN 18626351
Electroluminescence analysis of 1.3-1.5 mu m InAs quantum dot LEDs with (Ga,In)(N,As) capping layers
- Montes, M
- Hierro, A
- Ulloa, JM
- Guzmán, A
- Al Khalfioui, M
- Hugues, M
- Damilano, B
- Massies, J
Physica Status Solidi (C) Current Topics In Solid State Physics (p. 1424-+) - 1/1/2009
10.1002/pssc.200881521 Ver en origen
- ISSN 18626351
- iMarina
- iMarina
Evaluation of the In desorption during the capping process of diluted nitride In(Ga)As quantum dots
- Reyes, DF
- Sales, DL
- Gargallo-Caballero, R
- Ulloa, JM
- Hierro, A
- Guzmán, A
- García, R
- González, D
Journal Of Physics: Conference Series - 1/1/2011
10.1088/1742-6596/326/1/012049 Ver en origen
- ISSN 17426588
J.M. ULLOA, R. GARGALLO-CABALLERO, A. GUZMÁN, A. HIERRO . "GaAsSbN-capped InAs quantum dots for 1.3 - 1.55 µm emission" European Materials Research Society Spring Meeting 2010. Strasbourg (France), 2010
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- HIERRO CANO, ADRIAN
Gaassbn-Capped Inas Quantum Dots For 1.3 ¿ 1.55 µM Emission (p. 0-0) - 7/6/2010
- iMarina
J. M. ULLOA, M. DEL MORAL, M. BOZKURT, R. GARGALLO-CABALLERO, A. GUZMÁN, P. M. KOENRAAD, A. HIERRO "GaAsSb-capped InAs quantum dots: from enlarged quantum dot height to alloy fluctuations" Internacional Quantum Dot Conference 2010. Nottinghan (UK), 2010
- P. M. Koenraad
- M. DEL MORAL
- M. Bozkurt
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- HIERRO CANO, ADRIAN
Gaassb-Capped Inas Quantum Dots: From Enlarged Quantum Dot Height To Alloy Fluctuations (p. 0-0) - 26/4/2010
- iMarina
Enhancement of N incorporation into (Ga)InAsN quantum dots International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS) Friburgo (Alemania), 2008
- M. Hopkinson
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- HIERRO CANO, ADRIAN
- Calleja Pardo, Enrique
Enhancement Of N Incorporation Into (Ga)Inasn Quantum Dots (p. 0-0) - 21/9/2008
- iMarina
Electroluminescence analysis of 1.3-1.5 µm InAs quantum dot LEDs with (Ga,In)(N,As) capping layers 35th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS) Friburgo (Alemania), 2008
- M. Hugues
- M. Al KHALFIOU
- J. MASSIES
- B. DAMILANO
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- MONTES BAJO, MIGUEL
- HIERRO CANO, ADRIAN
Electroluminescence Analysis Of 1.3-1.5 µM Inas Quantum Dot Leds With (Ga,In)(N,As) Capping Layers (p. 0-0) - 21/9/2008
- iMarina
Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.
Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.
Zinc Oxide For TeraHertz Cascade Devices
- HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
- MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
Ejecución: 01-09-2015 - 29-02-2020
Tipo: Internacional
Importe financiado: 698871,25 Euros.
- iMarina
Extensión de medida de catodoluminiscencia(CL) al rango infrarrojo en microcospio de barrido electrónico FESEM
- Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
- Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
Ejecución: 01-01-2013 - 31-12-2015
Tipo: Nacional
- iMarina
ZNMGO-based nanocolumnar and core-shell leds with high power efficiencies
- Nakamura ., Atsushi (Participante)
- UTRILLA LOMAS, ANTONIO DAVID (Miembro del equipo de trabajo)
- KURTZ DE GRIÑO, ALEJANDRO (Miembro del equipo de trabajo)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- Muñoz Merino, Elías (Participante)
- HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-12-2010 - 30-11-2013
Tipo: Nacional
Importe financiado: 174336,00 Euros.
- iMarina
Smart nanostructured semiconductors for energy saving light solutions
- FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Participante)
- Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
- GRANDAL QUINTANA, JAVIER (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
- HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
- PRIETO MARTIN, JOSE LUIS (Participante)
- PADILLA GONZALEZ, ISIDORO (Participante)
- Gacevic, Zarko (Participante)
- Martínez Rodrigo, Javier (Participante)
- Notzel, Richard (Participante)
- Calle Gómez, Fernando (Participante)
Ejecución: 01-09-2009 - 31-08-2012
Tipo: Internacional
Importe financiado: 800650,00 Euros.
- iMarina
Regrowth of a laterally-biased double quantum well tunable detector
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
- HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
Ejecución: 01-03-2009 - 28-02-2010
Tipo: Internacional
Importe financiado: 70000,00 Euros.
- iMarina
33 RD workshop on compound semiconductor devices and integrated circuits
- FUENTES ., GONZALO (Participante)
- Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- Calle Gómez, Fernando (Investigador principal (IP))
Ejecución: 15-02-2009 - 31-12-2009
Tipo: Nacional
- iMarina
Nano y microdispositivos basados en ZnO para la detección de H2 y UV.
- MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- Muñoz Merino, Elías (Participante)
- HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-01-2009 - 31-12-2011
Tipo: Nacional
Importe financiado: 207636,00 Euros.
- iMarina
Desarrollo de laseres horizontales y de cavidad vertical para La banda de 1.35 a 1.55 micras basados en pozos cuánticos de gainnas/gaas
- SANZ LLUCH, M. DEL MAR (Participante)
- MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
Ejecución: 31-12-2005 - 31-03-2009
Tipo: Nacional
- iMarina
Antimóniuros cuánticos para fotónica cuántica y fotovoltaica: fabricación de materiales y dispositivos
- STANOJEVIC, LAZAR (Miembro del equipo de trabajo)
- STANOJEVIC, LAZAR (Investigador principal (IP))
- CATALAN GOMEZ, SERGIO (Miembro del equipo de trabajo)
- GALLEGO CARRO, ALEJANDRO (Miembro del equipo de trabajo)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-06-2020 - 31-05-2023
Tipo: Nacional
Importe financiado: 82280,00 Euros.
- iMarina
Nuevas nanoestructuras basadas en Sb para aplicaciones fotovoltaicas de alta eficiencia
- GONZALO MARTIN, ALICIA (Miembro del equipo de trabajo)
- STANOJEVIC, LAZAR (Miembro del equipo de trabajo)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
Ejecución: 30-12-2016 - 31-12-2020
Tipo: Nacional
Importe financiado: 90750,00 Euros.
- iMarina
Surface InGaAs nanostructures for sensing applications
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Codirector)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Director) Doctorando: Milla Rodrigo, María José
1/1/2015
- iMarina
Desarrollo de dispositivos optoelectrónicos mediante crecimiento por MBE y caracterización de nanoestructuras de punto cuántico basadas en (Ga,In)(As,N)
- Fernández González, Álvaro G. (Codirector)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Director) Doctorando: Gargallo Caballero, Raquel
1/1/2010
- iMarina
Crecimiento por MBE de pozos cuánticos de InGaAsN sobre GaAs (111) B y (100) para su aplicación en láseres de semiconductor.
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Codirector)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Director) Doctorando: Miguel Sanchez, Javier
1/1/2006
- iMarina
Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.
Grupos de investigación
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Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
Rol: Miembro
Perfiles de investigador/a
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