Fernandez Gonzalez, Alvaro De Guzman alvarodeguzman.fernandez@upm.es
Actividades
- Artículos 80
- Libros 0
- Capítulos de libro 1
- Congresos 88
- Documentos de trabajo 0
- Informes técnicos 0
- Proyectos de investigación 15
- Tesis dirigidas 3
- Patentes o licencias de software 0
The effect of the individual species of the N plasma on the characteristics of InAsN quantum dots grown by MBE
- Gargallo-Caballero, R
- Guzmán, A
- Miguel-Sánchez, J
- Hierro, A
- Muñoz, E
Materials Science And Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials (p. 118-123) - 15/2/2008
10.1016/j.mseb.2007.09.087 Ver en origen
- ISSN 09215107
MBE growth and processing of diluted nitride quantum well lasers on GaAs (111)B
- Miguel-Sánchez, J
- Guzmán, A
- Ulloa, JM
- Montes, M
- Hierro, A
- Muñoz, E
Microelectronics Journal (p. 1442-1445) - 1/1/2006
10.1016/j.mejo.2006.05.005 Ver en origen
- ISSN 00262692
- iMarina
- iMarina
Patterning by rapid thermal annealing of GaAs layers grown on diluted nitride QWs
- Miguel-Sánchez, J
- Guzmán, A
- Jahn, U
- Luna, E
- Muñoz, E
Microelectronics Journal (p. 1552-1556) - 1/1/2006
10.1016/j.mejo.2006.05.021 Ver en origen
- ISSN 00262692
Self-organized GaAs patterns on misoriented GaAs (111)B substrates using dilute nitrides by molecular beam epitaxy
- Gargallo, R
- Miguel-Sánchez, J
- Guzmán, A
- Jahn, U
- Muñoz, E
Microelectronics Journal (p. 1547-1551) - 1/1/2006
10.1016/j.mejo.2006.05.026 Ver en origen
- ISSN 00262692
Long-wavelength room-temperature luminescence from InAs/GaAs quantum dots with an optimized GaAsSbN capping layer
- Utrilla, AD
- Ulloa, JM
- Guzman, A
- Hierro, A
Nanoscale Research Letters - 1/1/2014
10.1186/1556-276x-9-36 Ver en origen
- ISSN 19317573
Quantitative analysis of the interplay between InAs quantum dots and wetting layer during the GaAs capping process
- Gonzalez, D.
- Braza, V.
- Utrilla, A. D.
- Gonzalo, A.
- Reyes, D. F.
- Ben, T.
- Guzman, A.
- Hierro, A.
- Ulloa, J. M.;
Nanotechnology - 18/9/2017
10.1088/1361-6528/aa83e2 Ver en origen
- ISSN 09574484
Photoexcited-induced sensitivity of InGaAs surface QDs to environment
- Milla, MJ
- Ulloa, JM
- Guzmán, A
Nanotechnology - 7/11/2014
10.1088/0957-4484/25/44/445501 Ver en origen
- ISSN 09574484
General route for the decomposition of InAs quantum dots during the capping process
- Gonzalez, D.
- Reyes, D. F.
- Utrilla, A. D.
- Ben, T.
- Braza, V.
- Guzman, A.
- Hierro, A.
- Ulloa, J. M.;
Nanotechnology - 18/2/2016
10.1088/0957-4484/27/12/125703 Ver en origen
- ISSN 09574484
Metamorphic In0.20Ga0.80As p-i-n photodetectors grown on GaAs substrates for near infrared applications
- Swaminathan, K
- Yang, LM
- Grassman, TJ
- Tabares, G
- Guzman, A
- Hierro, A
- Mills, MJ
- Ringel, SA
Optics Express (p. 7280-7288) - 11/4/2011
10.1364/oe.19.007280 Ver en origen
- ISSN 10944087
- iMarina
- iMarina
Influence of substrate misorientation and growth temperature on N incorporation in InGaAsN/GaAs quantum wells grown on (111)B GaAs
- Miguel-Sánchez, J
- Guzmán, A
- Ulloa, JM
- Hierro, A
- Muñoz, E
Physica E-Low-Dimensional Systems & Nanostructures (p. 356-361) - 1/1/2004
10.1016/j.physe.2003.11.282 Ver en origen
- ISSN 13869477
Este/a investigador/a no tiene libros.
J.M. ULLOA, M. DEL MORAL, R. GARGALLO, M. MONTES, A. GUZMAN, A. HIERRO, M. BOZKURT, P.M. KOENRAAD "1.3- 1.5 nm GaAsSb-capped InAs quantum dots: effect of the Sb content on the structural and optical properties" Spring European Materials Research Society
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- MONTES BAJO, MIGUEL
- HIERRO CANO, ADRIAN
"1.3- 1.5 ¿M Gaassb-Capped Inas Quantum Dots: Effect Of The Sb Content On The Structural And Optical Properties" (p. 0-0) - 8/6/2009
- iMarina
M. MONTES, A. HIERRO, J. M. ULLOA, A. GUZMÁN, M. AL KHALFIOUI, M. HUGUES, B. DAMILANO, J. MASSIES "1.3-1.5 µm emitting InAs quantum dot LEDs with (Ga, In)(N,As) and Ga(As,Sb) capping layers: a comparison" Spring European Materials Research Society Confe
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- MONTES BAJO, MIGUEL
- HIERRO CANO, ADRIAN
"1.3-1.5 µM Emitting Inas Quantum Dot Leds With (Ga, In)(N,As) And Ga(As,Sb) Capping Layers: A Comparison" (p. 0-0) - 14/9/2009
- iMarina
J.M. ULLOA, M. DEL MORAL, R. GARGALLO, M. MONTES, A. GUZMAN, A. HIERRO, M. BOZKURT, P.M. KOENRAAD "1.3- 1.5 µm GaAsSb-capped InAs quantum dots: effect of the Sb content on the structural and optical properties" 15th European Molacular Beam Epitaxy Works
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- MONTES BAJO, MIGUEL[et al]
"Effect Of A Lattice-Matched Gaassb Capping Layer On The Structural Properties Of Inas/Ingaas/Inp Quantum Dots" - 8/3/2009
- iMarina
J.M. ULLOA, M. DEL MORAL, R. GARGALLO, M. MONTES, A. GUZMAN, A. HIERRO, M. BOZKURT, P.M. KOENRAAD "1.3- 1.5 µm GaAsSb-capped InAs quantum dots: effect of the Sb content on the structural and optical properties" 15th European Molacular Beam Epitaxy Works
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- MONTES BAJO, MIGUEL
- HIERRO CANO, ADRIAN
"Effect Of A Lattice-Matched Gaassb Capping Layer On The Structural Properties Of Inas/Ingaas/Inp Quantum Dots" (p. 0-0) - 8/3/2009
- iMarina
D.F. REYES, D.L. SALES, R. GARGALLO-CABALLERO, J.M.ULLOA, A. HIERRO, A. GUZMÁN, D. GONZÁLEZ. "Effects of the nitrogen incorporation in the optical and structural characteristics of nitrogen-dilute InAsN QDs" European Materials Research Society Spring Meet
- D.L. SALES
- D.F. REYES
- D. GONZÁLEZ
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- HIERRO CANO, ADRIAN
"Effects Of The Nitrogen Incorporation In The Optical And Structural Characteristics Of Nitrogen-Dilute Inasn Qds" (p. 0-0) - 8/6/2010
- iMarina
A.GUZMÁN FERNÁNDEZ, R. SAN-ROMÁN, A.HIERRO "Laterally biased double quantum well IR detector fabricated by MBE regrowth". 6th International Conference on Molecular Beam Epitaxy Berlín (Germany), 2010
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- HIERRO CANO, ADRIAN
"Laterally Biased Double Quantum Well Ir Detector Fabricated By Mbe Regrowth" (p. 0-0) - 22/8/2010
- iMarina
A.GUZMÁN FERNÁNDEZ, R. GARGALLO-CABLLERO, MJ. MILLA, JM. ULLOA, A. HIERRO "Low optical degradation in InGaAsN/GaAs Quantum Dot p-i-n structures emitting from 1.1 to 1.55 µm" 16th International MBE Conference Berlín (German), 2010
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- HIERRO CANO, ADRIAN
"Low Optical Degradation In Ingaasn/Gaas Quantum Dot P-I-N Structures Emitting From 1.1 To 1.55 µM" (p. 0-0) - 22/8/2010
- iMarina
Strain-balanced type-II GaAsSb/GaAsN superlattices for efficient multi-junction solar cells
- V. Braza-Blanco
- T. Ben
- D.F. Reyes
- D. González
- B. Alen
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- GONZALO MARTIN, ALICIA
- GUZMAN BALBAS, LUIS ALBERTO
- UTRILLA LOMAS, ANTONIO DAVID
- HIERRO CANO, ADRIAN
- Fuertes Marron, David
- (p. 62-62) - 18/9/2016
- iMarina
Strain-balanced type-II GaAsSb/GaAsN superlattices as 1 eV layer for efficient multi-junction solar cells
- V. Braza-Blanco
- T. Ben
- D.F. Reyes
- D. González
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- GONZALO MARTIN, ALICIA
- GUZMAN BALBAS, LUIS ALBERTO
- UTRILLA LOMAS, ANTONIO DAVID
- HIERRO CANO, ADRIAN
- Fuertes Marron, David
- (p. 62-62) - 4/9/2016
- iMarina
Unintentional Doping in GaAsSb/GaAsN Superlattice Solar Cells
- Schwarz, M
- Carro, AG
- Stanojevic, L
- Catalán-Gómez, S
- Braza, V
- Flores, S
- Fernandez-Reyes, D
- Ben, T
- González, D
- Guzman, A
- Hierro, A
- Aeberhard, U
- Ulloa, JM
14th Spanish Conference On Electron Devices, Cde 2023 - Proceedings - 1/1/2023
Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.
Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.
Zinc Oxide For TeraHertz Cascade Devices
- HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
- MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
Ejecución: 01-09-2015 - 29-02-2020
Tipo: Internacional
Importe financiado: 698871,25 Euros.
- iMarina
Extensión de medida de catodoluminiscencia(CL) al rango infrarrojo en microcospio de barrido electrónico FESEM
- Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
- Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
Ejecución: 01-01-2013 - 31-12-2015
Tipo: Nacional
- iMarina
ZNMGO-based nanocolumnar and core-shell leds with high power efficiencies
- Nakamura ., Atsushi (Participante)
- UTRILLA LOMAS, ANTONIO DAVID (Miembro del equipo de trabajo)
- KURTZ DE GRIÑO, ALEJANDRO (Miembro del equipo de trabajo)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- Muñoz Merino, Elías (Participante)
- HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-12-2010 - 30-11-2013
Tipo: Nacional
Importe financiado: 174336,00 Euros.
- iMarina
Smart nanostructured semiconductors for energy saving light solutions
- FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Participante)
- Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
- GRANDAL QUINTANA, JAVIER (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
- HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
- PRIETO MARTIN, JOSE LUIS (Participante)
- PADILLA GONZALEZ, ISIDORO (Participante)
- Gacevic, Zarko (Participante)
- Martínez Rodrigo, Javier (Participante)
- Notzel, Richard (Participante)
- Calle Gómez, Fernando (Participante)
Ejecución: 01-09-2009 - 31-08-2012
Tipo: Internacional
Importe financiado: 800650,00 Euros.
- iMarina
Regrowth of a laterally-biased double quantum well tunable detector
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
- HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
Ejecución: 01-03-2009 - 28-02-2010
Tipo: Internacional
Importe financiado: 70000,00 Euros.
- iMarina
33 RD workshop on compound semiconductor devices and integrated circuits
- FUENTES ., GONZALO (Participante)
- Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- Calle Gómez, Fernando (Investigador principal (IP))
Ejecución: 15-02-2009 - 31-12-2009
Tipo: Nacional
- iMarina
Nano y microdispositivos basados en ZnO para la detección de H2 y UV.
- MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- Muñoz Merino, Elías (Participante)
- HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-01-2009 - 31-12-2011
Tipo: Nacional
Importe financiado: 207636,00 Euros.
- iMarina
Desarrollo de laseres horizontales y de cavidad vertical para La banda de 1.35 a 1.55 micras basados en pozos cuánticos de gainnas/gaas
- SANZ LLUCH, M. DEL MAR (Participante)
- MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
Ejecución: 31-12-2005 - 31-03-2009
Tipo: Nacional
- iMarina
Antimóniuros cuánticos para fotónica cuántica y fotovoltaica: fabricación de materiales y dispositivos
- STANOJEVIC, LAZAR (Miembro del equipo de trabajo)
- STANOJEVIC, LAZAR (Investigador principal (IP))
- CATALAN GOMEZ, SERGIO (Miembro del equipo de trabajo)
- GALLEGO CARRO, ALEJANDRO (Miembro del equipo de trabajo)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-06-2020 - 31-05-2023
Tipo: Nacional
Importe financiado: 82280,00 Euros.
- iMarina
Nuevas nanoestructuras basadas en Sb para aplicaciones fotovoltaicas de alta eficiencia
- GONZALO MARTIN, ALICIA (Miembro del equipo de trabajo)
- STANOJEVIC, LAZAR (Miembro del equipo de trabajo)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
Ejecución: 30-12-2016 - 31-12-2020
Tipo: Nacional
Importe financiado: 90750,00 Euros.
- iMarina
Surface InGaAs nanostructures for sensing applications
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Codirector)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Director) Doctorando: Milla Rodrigo, María José
1/1/2015
- iMarina
Desarrollo de dispositivos optoelectrónicos mediante crecimiento por MBE y caracterización de nanoestructuras de punto cuántico basadas en (Ga,In)(As,N)
- Fernández González, Álvaro G. (Codirector)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Director) Doctorando: Gargallo Caballero, Raquel
1/1/2010
- iMarina
Crecimiento por MBE de pozos cuánticos de InGaAsN sobre GaAs (111) B y (100) para su aplicación en láseres de semiconductor.
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Codirector)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Director) Doctorando: Miguel Sanchez, Javier
1/1/2006
- iMarina
Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.
Grupos de investigación
-
Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
Rol: Miembro
Perfiles de investigador/a
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