Fernandez Gonzalez, Alvaro De Guzman alvarodeguzman.fernandez@upm.es
Actividades
- Artículos 80
- Libros 0
- Capítulos de libro 1
- Congresos 88
- Documentos de trabajo 0
- Informes técnicos 0
- Proyectos de investigación 15
- Tesis dirigidas 3
- Patentes o licencias de software 0
1 eV GaAsSbN–based solar cells for efficient multi-junction design: Enhanced solar cell performance upon annealing
- Gonzalo, A
- Stanojevic, L
- Marrón, DF
- Guzman, A
- Hierro, A
- Ulloa, JM
Solar Energy (p. 307-313) - 1/1/2021
10.1016/j.solener.2021.04.041 Ver en origen
- ISSN 0038092X
1.3 mu m emitting GaInNAs/GaAs quantum well resonant cavity LEDs
- Montes, M
- Guzmán, A
- Trampert, A
- Hierro, A
Solid-State Electronics (p. 492-496) - 1/4/2010
10.1016/j.sse.2009.11.007 Ver en origen
- ISSN 00381101
- iMarina
- iMarina
Analysis of the characteristic temperatures of (Ga,In)(N,As)/GaAs laser diodes
- Montes, M
- Hierro, A
- Ulloa, JM
- Guzman, A
- Damilano, B
- Hugues, M
- Al Khalfioui, M
- Duboz, JY
- Massies, J
Journal Of Physics D-Applied Physics - 7/8/2008
10.1088/0022-3727/41/15/155102 Ver en origen
- ISSN 00223727
Annealing effects on the crystal structure of GaInNAs quantum wells with large In and N content grown by molecular beam epitaxy
- Hierro, A
- Ulloa, JM
- Chauveau, JM
- Trampert, A
- Pinault, MA
- Tournié, E
- Guzmán, A
- Sánchez-Rojas, JL
- Calleja, E
Journal Of Applied Physics (p. 2319-2324) - 15/8/2003
10.1063/1.1591416 Ver en origen
- ISSN 00218979
Cathodoluminescence investigations of GaInNAs on GaAs(111)B
- Miguel-Sánchez, J
- Jahn, U
- Guzmán, A
- Muñoz, E
Applied Physics Letters - 18/12/2006
10.1063/1.2398919 Ver en origen
- ISSN 00036951
Correlation between interface structure and light emission at 1.3-1.55 mu m of (Ga,In)(N,As) diluted nitride heterostructures on GaAs substrates
- Trampert, A
- Chauveau, JM
- Ploog, KH
- Tournié, E
- Guzmán, A
Journal Of Vacuum Science & Technology b (p. 2195-2200) - 1/7/2004
10.1116/1.1775197 Ver en origen
- ISSN 10711023
Correlation between quantum well morphology, carrier localization and the optoelectronic properties of GaInNAs/GaAs light emitting diodes
- Ulloa, JM
- Hierro, A
- Miguel-Sánchez, J
- Guzmán, A
- Chauveau, JM
- Trampert, A
- Tournié, E
- Calleja, E
Semiconductor Science And Technology (p. 1047-1052) - 1/8/2006
10.1088/0268-1242/21/8/011 Ver en origen
- ISSN 13616641
Correlation between the performance of double-barrier quantum-well infrared photodetectors and their microstructure: On the origin of the photovoltaic effect
- Luna, E
- Trampert, A
- Guzmán, A
- Calleja, E
Journal Of Applied Physics - 15/8/2005
10.1063/1.2006990 Ver en origen
- ISSN 00218979
Critical Role of Two-Dimensional Island-Mediated Growth on the Formation of Semiconductor Heterointerfaces
- Luna, E
- Guzmán, A
- Trampert, A
- Alvarez, G
Physical Review Letters - 18/9/2012
10.1103/physrevlett.109.126101 Ver en origen
- ISSN 00319007
Current Spreading Efficiency and Fermi Level Pinning in GaInNAs-GaAs Quantum-Well Laser Diodes
- Montes Bajo, M
- Hierro, A
- Ulloa, JM
- Miguel-Sánchez, J
- Guzmán, A
- Damilano, B
- Hugues, M
- Al Khalfioui, M
- Duboz, JY
- Massies, J
Ieee Journal Of Quantum Electronics (p. 1058-1065) - 1/1/2010
10.1109/jqe.2010.2043219 Ver en origen
- ISSN 00189197
Este/a investigador/a no tiene libros.
Electroluminescence analysis of 1.3-1.5 µm InAs quantum dot LEDs with (Ga,In)(N,As) capping layers 35th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS) Friburgo (Alemania), 2008
- M. Hugues
- M. Al KHALFIOU
- J. MASSIES
- B. DAMILANO
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- MONTES BAJO, MIGUEL
- HIERRO CANO, ADRIAN
Electroluminescence Analysis Of 1.3-1.5 µM Inas Quantum Dot Leds With (Ga,In)(N,As) Capping Layers (p. 0-0) - 21/9/2008
- iMarina
Enhancement of N incorporation into (Ga)InAsN quantum dots International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS) Friburgo (Alemania), 2008
- M. Hopkinson
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- HIERRO CANO, ADRIAN
- Calleja Pardo, Enrique
Enhancement Of N Incorporation Into (Ga)Inasn Quantum Dots (p. 0-0) - 21/9/2008
- iMarina
Evaluation of the In desorption during the capped process in diluted nitride In(Ga)As quantum dots
- R Gargallo-Caballero
- et al
- DL Sales
- DF Reyes
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- HIERRO CANO, ADRIAN
Proceedings (p. 0-0) - 4/4/2011
- iMarina
Evaluation of the In desorption during the capping process of diluted nitride In(Ga)As quantum dots
- Reyes, DF
- Sales, DL
- Gargallo-Caballero, R
- Ulloa, JM
- Hierro, A
- Guzmán, A
- García, R
- González, D
Journal Of Physics: Conference Series - 1/1/2011
10.1088/1742-6596/326/1/012049 Ver en origen
- ISSN 17426588
GaAs(Sb)(N)-caped InAs/GaAs Quantum Dots for enhanced solar cell efficiency
- T. Ben
- D.F Reyes
- D. González
- Gacevic, Zarko
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- UTRILLA LOMAS, ANTONIO DAVID
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- HIERRO CANO, ADRIAN
Proceedings (p. 0-3) - 15/3/2015
- iMarina
Gas sensor based on room temperature optical properties of Surface QDs
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- HIERRO CANO, ADRIAN
Proceedings (p. 0-0) - 19/9/2011
- iMarina
High efficient luminescence in type-II GaAsSb-capped InAs quantum dots upon annealing
Proceedings (p. 0-3) - 10/3/2013
10.1063/1.4773008 Ver en origen
- ISSN 00036951
- iMarina
- iMarina
High indium content InGaAs/GaAs quantum well infrared photodetectors
- Hernando J
- Sánchez-Rojas J
- Tijero J
- Guzmán A
- Muñoz E
Proceedings Of The Ieee Cornell Conference On Advanced Concepts In High Speed Semiconductor Devices And Circuits (p. 95-100) - 1/12/2000
- iMarina
High performance environment sensors based on InGaAs surface Quantum Dots.
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
Proceedings (p. 0-3) - 10/3/2013
- iMarina
Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.
Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.
33 RD workshop on compound semiconductor devices and integrated circuits
- FUENTES ., GONZALO (Participante)
- Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- Calle Gómez, Fernando (Investigador principal (IP))
Ejecución: 15-02-2009 - 31-12-2009
Tipo: Nacional
- iMarina
Aleaciones emergentes de nitruros diluidos III-V y nanoestructuras relacionadas para aplicaciones fotovoltaicas y de fotodetección de alta eficiencia
- UTRILLA LOMAS, ANTONIO DAVID (Miembro del equipo de trabajo)
- GONZALO MARTIN, ALICIA (Miembro del equipo de trabajo)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
Ejecución: 01-01-2014 - 31-12-2016
Tipo: Nacional
Importe financiado: 103220,41 Euros.
- iMarina
Antimóniuros cuánticos para fotónica cuántica y fotovoltaica: fabricación de materiales y dispositivos
- STANOJEVIC, LAZAR (Miembro del equipo de trabajo)
- STANOJEVIC, LAZAR (Investigador principal (IP))
- CATALAN GOMEZ, SERGIO (Miembro del equipo de trabajo)
- GALLEGO CARRO, ALEJANDRO (Miembro del equipo de trabajo)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-06-2020 - 31-05-2023
Tipo: Nacional
Importe financiado: 82280,00 Euros.
- iMarina
Desarrollo de laseres horizontales y de cavidad vertical para La banda de 1.35 a 1.55 micras basados en pozos cuánticos de gainnas/gaas
- SANZ LLUCH, M. DEL MAR (Participante)
- MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
Ejecución: 31-12-2005 - 31-03-2009
Tipo: Nacional
- iMarina
Extensión de medida de catodoluminiscencia(CL) al rango infrarrojo en microcospio de barrido electrónico FESEM
- Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
- Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
Ejecución: 01-01-2013 - 31-12-2015
Tipo: Nacional
- iMarina
Nano y microdispositivos basados en ZnO para la detección de H2 y UV.
- MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- Muñoz Merino, Elías (Participante)
- HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-01-2009 - 31-12-2011
Tipo: Nacional
Importe financiado: 207636,00 Euros.
- iMarina
Nanoestructura de Semiconductores como Componentes para La Información Cuántica
- FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Participante)
- GRACIA VERANO, VICTOR (Investigador principal (IP))
- CERUTTI CERUTTI, LAURENT (Investigador principal (IP))
- RISTIC RISTIC, JELENA (Investigador principal (IP))
- SANZ MONASTERIO, MIKEL (Investigador principal (IP))
- HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
- MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-12-2005 - 01-01-2010
Tipo: Regional
- iMarina
Nanoestructura de Semiconductores como Componentes para La Información Cuántica
- GRACIA VERANO, VICTOR
- CERUTTI CERUTTI, LAURENT
- RISTIC RISTIC, JELENA
- SANZ MONASTERIO, MIKEL
- Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador/a)
Ejecución: 01-12-2005 - 01-01-2010
- iMarina
Nueva Generación de emisores de Fotones Individuales para Telecomunicaciones
- FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Investigador principal (IP))
- Gacevic, Zarko (Participante)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- GALLEGO CARRO, ALEJANDRO (Miembro del equipo de trabajo)
- ABUIN HERRAEZ, MANUEL (Miembro del equipo de trabajo)
- SCHWARZ, MALTE DANIEL (Miembro del equipo de trabajo)
Ejecución: 01-09-2023 - 31-08-2026
Tipo: Nacional
- iMarina
Nuevas nanoestructuras basadas en Sb para aplicaciones fotovoltaicas de alta eficiencia
- GONZALO MARTIN, ALICIA (Miembro del equipo de trabajo)
- STANOJEVIC, LAZAR (Miembro del equipo de trabajo)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
Ejecución: 30-12-2016 - 31-12-2020
Tipo: Nacional
Importe financiado: 90750,00 Euros.
- iMarina
Crecimiento por MBE de pozos cuánticos de InGaAsN sobre GaAs (111) B y (100) para su aplicación en láseres de semiconductor.
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Codirector)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Director) Doctorando: Miguel Sanchez, Javier
1/1/2006
- iMarina
Desarrollo de dispositivos optoelectrónicos mediante crecimiento por MBE y caracterización de nanoestructuras de punto cuántico basadas en (Ga,In)(As,N)
- Fernández González, Álvaro G. (Codirector)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Director) Doctorando: Gargallo Caballero, Raquel
1/1/2010
- iMarina
Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.
Grupos de investigación
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Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
Rol: Miembro
Perfiles de investigador/a
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Publons
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