Fernandez Gonzalez, Alvaro De Guzman alvarodeguzman.fernandez@upm.es
Actividades
- Artículos 80
- Libros 0
- Capítulos de libro 1
- Congresos 88
- Documentos de trabajo 0
- Informes técnicos 0
- Proyectos de investigación 15
- Tesis dirigidas 3
- Patentes o licencias de software 0
Voltage-tunable two-colour quantum well infrared detector with Al-graded triangular confinement barriers
- Guzmán, A
- Sánchez-Rojas, JL
- Tijero, JMG
- Hernando, J
- Calleja, E
- Muñoz, E
- Vergara, G
- Almazán, R
- Sánchez, FJ
- Verdú, M
- Montojo, MT
Semiconductor Science And Technology (p. 285-288) - 1/1/2001
10.1088/0268-1242/16/5/301 Ver en origen
- ISSN 13616641
Vertical composition fluctuations in (Ga,In)(N,As) quantum wells grown on vicinal (111)B GaAs
- Luna, E
- Trampert, A
- Miguel-Sánchez, J
- Guzmán, A
- Ploog, KH
Journal Of Physics And Chemistry Of Solids (p. 343-346) - 1/2/2008
10.1016/j.jpcs.2007.07.063 Ver en origen
- ISSN 00223697
Type II InAs/GaAsSb quantum dots: Highly tunable exciton geometry and topology
- Llorens, JM
- Wewior, L
- de Oliveira, ERC
- Ulloa, JM
- Utrilla, AD
- Guzmán, A
- Hierro, A
- Alén, B
Applied Physics Letters - 2/11/2015
10.1063/1.4934841 Ver en origen
- ISSN 00036951
Thin GaAsSb capping layers for improved performance of InAs/GaAs quantum dot solar cells
- T. Ben
- J.M. Llorens
- D.F. Reyes
- D. González
- A. Guzmán
- Gacevic, Zarko
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- GONZALO MARTIN, ALICIA
- UTRILLA LOMAS, ANTONIO DAVID
- ARTACHO HUERTAS, IRENE
- HIERRO CANO, ADRIAN
Solar Energy Materials And Solar Cells (p. 282-289) - 1/1/2017
10.1016/j.solmat.2016.09.006 Ver en origen
- ISSN 09270248
The role of Sb and N ions on the morphology and localization of (Ga,In) (N,As) quantum wells
- Guzmán, A
- Luna, E
- Ishikawa, F
- Trampert, A
Journal Of Crystal Growth (p. 1728-1732) - 15/3/2009
10.1016/j.jcrysgro.2008.12.011 Ver en origen
- ISSN 00220248
The effect of the individual species of the N plasma on the characteristics of InAsN quantum dots grown by MBE
- Gargallo-Caballero, R
- Guzmán, A
- Miguel-Sánchez, J
- Hierro, A
- Muñoz, E
Materials Science And Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials (p. 118-123) - 15/2/2008
10.1016/j.mseb.2007.09.087 Ver en origen
- ISSN 09215107
The effect of rapid thermal annealing on the photoluminescence of InAsN/InGaAs dot-in-a-well structures
- Gargallo-Caballero, R
- Miguel-Sánchez, J
- Guzmán, A
- Hierro, A
- Muñoz, E
Journal Of Physics D-Applied Physics - 21/3/2008
10.1088/0022-3727/41/6/065413 Ver en origen
- ISSN 00223727
Structural and optical quality of InGaAsN quantum wells grown on misoriented GaAs (111)b substrates by molecular beam epitaxy
- Miguel-Sánchez, J
- Hopkinson, M
- Gutiérrez, M
- Navaretti, P
- Liu, HY
- Guzmán, A
- Ulloa, JM
- Hierro, A
- Muñoz, E
Journal Of Crystal Growth (p. 62-68) - 15/9/2004
10.1016/j.jcrysgro.2004.06.022 Ver en origen
- ISSN 00220248
Structural and morphological characteristics of InGaAs/GaAs quantum well structures on tilted (1 1 1)B GaAs grown by MBE
- Sanchez, JJ
- Marty, O
- Hopkinson, M
- Izpura, I
- Guzman, A
- Tijero, JMG
Journal Of Crystal Growth (p. 363-371) - 1/9/1998
10.1016/s0022-0248(98)00471-0 Ver en origen
- ISSN 00220248
Strong Influence of the Humidity on the Electrical Properties of InGaAs Surface Quantum Dots
- Milla, MJ
- Ulloa, JM
- Guzmán, A
Acs Applied Materials & Interfaces (p. 6191-6195) - 14/5/2014
10.1021/am5010442 Ver en origen
- ISSN 19448244
Este/a investigador/a no tiene libros.
Á. Guzmán, F. Ishikawa, A. Trampert, K.H. Ploog "Effect Of Sb On The Optical Properties Of Gainnas And Gainnassb Quantum Wells Grown By Mbe" 14th European Molecular Beam Epitaxy Workshop 2007 Sierra Nevada, Granada (ESPAÑA) 5 al 7 de marzo de 2007
- KH Ploog
- F Ishikawa
- A Trampert[et al]
5/3/2007
- iMarina
Á. Guzmán, E. Luna, J. Hernando, E. Muñoz "Quantum Well Infrared Photodetectors (QWIP), Basics and current activities at UPM University" 19th NATO/RTO Sensors and Electronics Technology Panel Business Meeting Toledo (España) 9 al 9 de octubre de 2007.
- J Hernando
- E Luna
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN[et al]
9/10/2007
- iMarina
Unintentional Doping in GaAsSb/GaAsN Superlattice Solar Cells
- Schwarz, M
- Carro, AG
- Stanojevic, L
- Catalán-Gómez, S
- Braza, V
- Flores, S
- Fernandez-Reyes, D
- Ben, T
- González, D
- Guzman, A
- Hierro, A
- Aeberhard, U
- Ulloa, JM
14th Spanish Conference On Electron Devices, Cde 2023 - Proceedings - 1/1/2023
Type-II GaAsSb/GaAsN superlattice solar cells
- Gonzalo, A
- Utrilla, AD
- Aeberhard, U
- Llorens, JM
- Alén, B
- Marrón, DF
- Guzman, A
- Hierro, A
- Ulloa, JM
Proceedings Vol 10527 Physics, Simulation, And Photonic Engineering Of Photovoltaic Devices Vii (p. 1.052.701-1.052.709) - 27/1/2018
10.1117/12.2290079 Ver en origen
- ISSN 0277786X
- iMarina
- iMarina
Type-I and Type-II InAs/GaAs Quantum Dot solar cells with a GaAsSb capping layer
- T. Ben
- D.F Reyes
- D. González
- Gacevic, Zarko
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- UTRILLA LOMAS, ANTONIO DAVID
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- HIERRO CANO, ADRIAN
Proceedings (p. 0-3) - 15/3/2015
- iMarina
Tuning the size, strain and band offsets of InAs/GaAs quantum dots through a thin GaAs(Sb)(N) capping layer
- M Montes
- M Boz
- K Yamamoto
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- HIERRO CANO, ADRIAN
Proceedings (p. 0-0) - 20/3/2011
- iMarina
The influence of the Ga content on the N incorporation in InAsN and GaInNAs Quantum Dots 7th International Workshop on Epitaxial Semiconductors on Patterned Substrates and Novel Index Surfaces (ESPS-NIS), Les Arcenaulx, Marseille (Francia), 2008
- M. Hopkinson
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- HIERRO CANO, ADRIAN
- Calleja Pardo, Enrique
The Influence Of The Ga Content On The N Incorporation In Inasn And Gainnas Quantum Dots 7th International Workshop On Epitaxial (p. 0-0) - 13/10/2008
- iMarina
The influence of Ga composition of GaInAsN QDs on N incorporation.
- M. Hopkinson
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- Muñoz Merino, Elías
7th International Workshop On Epitaxial Semiconductors On Patterned Substrates And Novel Index Surfaces (p. 103-105) - 21/4/2008
- iMarina
The effect of ions and Sb on the carrier localization in GaInNAs quantum wells 15th International Conference on Molecular Beam Epitaxy Vancouver (Canada), 2008
- F ISHIKAWA
- E Luna
- A Trampert[et al]
The Effect Of Ions And Sb On The Carrier Localization In Gainnas Quantum Wells (p. 0-0) - 3/8/2008
- iMarina
Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.
Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.
Extensión de medida de catodoluminiscencia(CL) al rango infrarrojo en microcospio de barrido electrónico FESEM
- Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
- Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
Ejecución: 01-01-2013 - 31-12-2015
Tipo: Nacional
- iMarina
Desarrollo de laseres horizontales y de cavidad vertical para La banda de 1.35 a 1.55 micras basados en pozos cuánticos de gainnas/gaas
- SANZ LLUCH, M. DEL MAR (Participante)
- MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
Ejecución: 31-12-2005 - 31-03-2009
Tipo: Nacional
- iMarina
Antimóniuros cuánticos para fotónica cuántica y fotovoltaica: fabricación de materiales y dispositivos
- STANOJEVIC, LAZAR (Miembro del equipo de trabajo)
- STANOJEVIC, LAZAR (Investigador principal (IP))
- CATALAN GOMEZ, SERGIO (Miembro del equipo de trabajo)
- GALLEGO CARRO, ALEJANDRO (Miembro del equipo de trabajo)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-06-2020 - 31-05-2023
Tipo: Nacional
Importe financiado: 82280,00 Euros.
- iMarina
Aleaciones emergentes de nitruros diluidos III-V y nanoestructuras relacionadas para aplicaciones fotovoltaicas y de fotodetección de alta eficiencia
- UTRILLA LOMAS, ANTONIO DAVID (Miembro del equipo de trabajo)
- GONZALO MARTIN, ALICIA (Miembro del equipo de trabajo)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
Ejecución: 01-01-2014 - 31-12-2016
Tipo: Nacional
Importe financiado: 103220,41 Euros.
- iMarina
33 RD workshop on compound semiconductor devices and integrated circuits
- FUENTES ., GONZALO (Participante)
- Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- Calle Gómez, Fernando (Investigador principal (IP))
Ejecución: 15-02-2009 - 31-12-2009
Tipo: Nacional
- iMarina
Surface InGaAs nanostructures for sensing applications
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Codirector)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Director) Doctorando: Milla Rodrigo, María José
1/1/2015
- iMarina
Desarrollo de dispositivos optoelectrónicos mediante crecimiento por MBE y caracterización de nanoestructuras de punto cuántico basadas en (Ga,In)(As,N)
- Fernández González, Álvaro G. (Codirector)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Director) Doctorando: Gargallo Caballero, Raquel
1/1/2010
- iMarina
Crecimiento por MBE de pozos cuánticos de InGaAsN sobre GaAs (111) B y (100) para su aplicación en láseres de semiconductor.
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Codirector)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Director) Doctorando: Miguel Sanchez, Javier
1/1/2006
- iMarina
Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.
Grupos de investigación
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Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
Rol: Miembro
Perfiles de investigador/a
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