Fernandez Gonzalez, Alvaro De Guzman alvarodeguzman.fernandez@upm.es
Actividades
- Artículos 80
- Libros 0
- Capítulos de libro 1
- Congresos 88
- Documentos de trabajo 0
- Informes técnicos 0
- Proyectos de investigación 15
- Tesis dirigidas 3
- Patentes o licencias de software 0
Strong Influence of the Humidity on the Electrical Properties of InGaAs Surface Quantum Dots
- Milla, MJ
- Ulloa, JM
- Guzmán, A
Acs Applied Materials & Interfaces (p. 6191-6195) - 14/5/2014
10.1021/am5010442 Ver en origen
- ISSN 19448244
Dependence of Surface InGaAs Quantum Dot Luminescence on the Molecular Properties of the Environment
- Milla, MJ
- Ulloa, JM
- Guzmán, A
Applied Physics Express - 1/9/2013
10.7567/apex.6.092002 Ver en origen
- ISSN 18820778
Dominant carrier recombination mechanisms in GaInNAs/GaAs quantum well light-emitting diodes
- Ulloa, JM
- Hierro, A
- Miguel-Sánchez, J
- Guzmán, A
- Tournié, E
- Sánchez-Rojas, JL
- Calleja, E
Applied Physics Letters (p. 40-42) - 5/7/2004
10.1063/1.1769078 Ver en origen
- ISSN 00036951
GaAsSb/GaAsN short-period superlattices as a capping layer for improved InAs quantum dot-based optoelectronics
Applied Physics Letters - 28/7/2014
10.1063/1.4891557 Ver en origen
- ISSN 00036951
Type II InAs/GaAsSb quantum dots: Highly tunable exciton geometry and topology
- Llorens, JM
- Wewior, L
- de Oliveira, ERC
- Ulloa, JM
- Utrilla, AD
- Guzmán, A
- Hierro, A
- Alén, B
Applied Physics Letters - 2/11/2015
10.1063/1.4934841 Ver en origen
- ISSN 00036951
Impact of the Sb content on the performance of GaAsSb-capped InAs/GaAs quantum dot lasers
- Utrilla, AD
- Ulloa, JM
- Guzman, A
- Hierro, A
Applied Physics Letters - 9/9/2013
10.1063/1.4821071 Ver en origen
- ISSN 00036951
High responsivity and internal gain mechanisms in Au-ZnMgO Schottky photodiodes
- Tabares, G
- Hierro, A
- Ulloa, JM
- Guzman, A
- Muñoz, E
- Nakamura, A
- Hayashi, T
- Temmyo, J
Applied Physics Letters - 1/1/2010
10.1063/1.3340945 Ver en origen
- ISSN 00036951
Inhibition of In desorption in diluted nitride InAsN quantum dots
- Reyes, DF
- González, D
- Sales, DL
- Gargallo-Caballero, R
- Guzmán, A
- Ulloa, JM
- Hierro, A
Applied Physics Letters - 14/2/2011
10.1063/1.3554386 Ver en origen
- ISSN 00036951
Role of the wetting layer in the enhanced responsivity of InAs/GaAsSb quantum dot infrared photodetectors
- Guzmán, A
- Yamamoto, K
- Ulloa, JM
- Llorens, JM
- Hierro, A
Applied Physics Letters - 6/7/2015
10.1063/1.4926364 Ver en origen
- ISSN 00036951
Effect of nitrogen on the optical properties of InGaAsN p-i-n structures grown on misoriented (111)B GaAs substrates
- Miguel-Sánchez, J
- Guzmán, A
- Ulloa, JM
- Hierro, A
- Muñoz, E
Applied Physics Letters (p. 2524-2526) - 5/4/2004
10.1063/1.1695639 Ver en origen
- ISSN 00036951
Este/a investigador/a no tiene libros.
J.M. ULLOA, M. DEL MORAL, R. GARGALLO, M. MONTES, A. GUZMAN, A. HIERRO, M. BOZKURT, P.M. KOENRAAD "1.3- 1.5 nm GaAsSb-capped InAs quantum dots: effect of the Sb content on the structural and optical properties" Spring European Materials Research Society
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- MONTES BAJO, MIGUEL
- HIERRO CANO, ADRIAN
"1.3- 1.5 ¿M Gaassb-Capped Inas Quantum Dots: Effect Of The Sb Content On The Structural And Optical Properties" (p. 0-0) - 8/6/2009
- iMarina
M. MONTES, A. HIERRO, J. M. ULLOA, A. GUZMÁN, M. AL KHALFIOUI, M. HUGUES, B. DAMILANO, J. MASSIES "1.3-1.5 µm emitting InAs quantum dot LEDs with (Ga, In)(N,As) and Ga(As,Sb) capping layers: a comparison" Spring European Materials Research Society Confe
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- MONTES BAJO, MIGUEL
- HIERRO CANO, ADRIAN
"1.3-1.5 µM Emitting Inas Quantum Dot Leds With (Ga, In)(N,As) And Ga(As,Sb) Capping Layers: A Comparison" (p. 0-0) - 14/9/2009
- iMarina
J.M. ULLOA, M. DEL MORAL, R. GARGALLO, M. MONTES, A. GUZMAN, A. HIERRO, M. BOZKURT, P.M. KOENRAAD "1.3- 1.5 µm GaAsSb-capped InAs quantum dots: effect of the Sb content on the structural and optical properties" 15th European Molacular Beam Epitaxy Works
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- MONTES BAJO, MIGUEL[et al]
"Effect Of A Lattice-Matched Gaassb Capping Layer On The Structural Properties Of Inas/Ingaas/Inp Quantum Dots" - 8/3/2009
- iMarina
J.M. ULLOA, M. DEL MORAL, R. GARGALLO, M. MONTES, A. GUZMAN, A. HIERRO, M. BOZKURT, P.M. KOENRAAD "1.3- 1.5 µm GaAsSb-capped InAs quantum dots: effect of the Sb content on the structural and optical properties" 15th European Molacular Beam Epitaxy Works
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- MONTES BAJO, MIGUEL
- HIERRO CANO, ADRIAN
"Effect Of A Lattice-Matched Gaassb Capping Layer On The Structural Properties Of Inas/Ingaas/Inp Quantum Dots" (p. 0-0) - 8/3/2009
- iMarina
D.F. REYES, D.L. SALES, R. GARGALLO-CABALLERO, J.M.ULLOA, A. HIERRO, A. GUZMÁN, D. GONZÁLEZ. "Effects of the nitrogen incorporation in the optical and structural characteristics of nitrogen-dilute InAsN QDs" European Materials Research Society Spring Meet
- D.L. SALES
- D.F. REYES
- D. GONZÁLEZ
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- HIERRO CANO, ADRIAN
"Effects Of The Nitrogen Incorporation In The Optical And Structural Characteristics Of Nitrogen-Dilute Inasn Qds" (p. 0-0) - 8/6/2010
- iMarina
A.GUZMÁN FERNÁNDEZ, R. SAN-ROMÁN, A.HIERRO "Laterally biased double quantum well IR detector fabricated by MBE regrowth". 6th International Conference on Molecular Beam Epitaxy Berlín (Germany), 2010
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- HIERRO CANO, ADRIAN
"Laterally Biased Double Quantum Well Ir Detector Fabricated By Mbe Regrowth" (p. 0-0) - 22/8/2010
- iMarina
A.GUZMÁN FERNÁNDEZ, R. GARGALLO-CABLLERO, MJ. MILLA, JM. ULLOA, A. HIERRO "Low optical degradation in InGaAsN/GaAs Quantum Dot p-i-n structures emitting from 1.1 to 1.55 µm" 16th International MBE Conference Berlín (German), 2010
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- HIERRO CANO, ADRIAN
"Low Optical Degradation In Ingaasn/Gaas Quantum Dot P-I-N Structures Emitting From 1.1 To 1.55 µM" (p. 0-0) - 22/8/2010
- iMarina
Strain-balanced type-II GaAsSb/GaAsN superlattices for efficient multi-junction solar cells
- V. Braza-Blanco
- T. Ben
- D.F. Reyes
- D. González
- B. Alen
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- GONZALO MARTIN, ALICIA
- GUZMAN BALBAS, LUIS ALBERTO
- UTRILLA LOMAS, ANTONIO DAVID
- HIERRO CANO, ADRIAN
- Fuertes Marron, David
- (p. 62-62) - 18/9/2016
- iMarina
Strain-balanced type-II GaAsSb/GaAsN superlattices as 1 eV layer for efficient multi-junction solar cells
- V. Braza-Blanco
- T. Ben
- D.F. Reyes
- D. González
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- GONZALO MARTIN, ALICIA
- GUZMAN BALBAS, LUIS ALBERTO
- UTRILLA LOMAS, ANTONIO DAVID
- HIERRO CANO, ADRIAN
- Fuertes Marron, David
- (p. 62-62) - 4/9/2016
- iMarina
Unintentional Doping in GaAsSb/GaAsN Superlattice Solar Cells
- Schwarz, M
- Carro, AG
- Stanojevic, L
- Catalán-Gómez, S
- Braza, V
- Flores, S
- Fernandez-Reyes, D
- Ben, T
- González, D
- Guzman, A
- Hierro, A
- Aeberhard, U
- Ulloa, JM
14th Spanish Conference On Electron Devices, Cde 2023 - Proceedings - 1/1/2023
Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.
Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.
Aleaciones emergentes de nitruros diluidos III-V y nanoestructuras relacionadas para aplicaciones fotovoltaicas y de fotodetección de alta eficiencia
- UTRILLA LOMAS, ANTONIO DAVID (Miembro del equipo de trabajo)
- GONZALO MARTIN, ALICIA (Miembro del equipo de trabajo)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
Ejecución: 01-01-2014 - 31-12-2016
Tipo: Nacional
Importe financiado: 103220,41 Euros.
- iMarina
Nanoestructura de Semiconductores como Componentes para La Información Cuántica
- FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Participante)
- GRACIA VERANO, VICTOR (Investigador principal (IP))
- CERUTTI CERUTTI, LAURENT (Investigador principal (IP))
- RISTIC RISTIC, JELENA (Investigador principal (IP))
- SANZ MONASTERIO, MIKEL (Investigador principal (IP))
- HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
- MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-12-2005 - 01-01-2010
Tipo: Regional
- iMarina
Nanoestructura de Semiconductores como Componentes para La Información Cuántica
- GRACIA VERANO, VICTOR
- CERUTTI CERUTTI, LAURENT
- RISTIC RISTIC, JELENA
- SANZ MONASTERIO, MIKEL
- Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador/a)
Ejecución: 01-12-2005 - 01-01-2010
- iMarina
PRTR. Comunicaciones cuánticas
- PEDROS AYALA, JORGE (Participante)
- HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
- BOSCA MOJENA, ALBERTO (Participante)
- FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Participante)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
- Calle Gómez, Fernando (Participante)
- GALLEGO CARRO, ALEJANDRO (Participante)
- STANOJEVIC, LAZAR (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- FABA GARCIA, JAVIER (Participante)
- Martin Ayuso, Vicente (Investigador principal (IP))
- Gacevic, Zarko (Investigador principal (IP))
- BRITO MENDEZ, RUBEN DAVID (Participante)
- VICENTE GARCIA, RAFAEL JUAN (Participante)
- SEBASTIAN LOMBRAÑA, ALBERTO JUAN (Participante)
- ROSALES BEJARANO, JOSE LUIS (Participante)
- SAEZ DE BURUAGA BROUNS, JAIME (Participante)
- GARCIA-ARISCO RIVERA, JESUS (Participante)
- OBRADOVIC, JOVANA (Participante)
Ejecución: 01-01-2022 - 31-12-2024
Tipo: Regional
- iMarina
Nueva Generación de emisores de Fotones Individuales para Telecomunicaciones
- FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Investigador principal (IP))
- Gacevic, Zarko (Participante)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- GALLEGO CARRO, ALEJANDRO (Miembro del equipo de trabajo)
- ABUIN HERRAEZ, MANUEL (Miembro del equipo de trabajo)
- SCHWARZ, MALTE DANIEL (Miembro del equipo de trabajo)
Ejecución: 01-09-2023 - 31-08-2026
Tipo: Nacional
- iMarina
Surface InGaAs nanostructures for sensing applications
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Codirector)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Director) Doctorando: Milla Rodrigo, María José
1/1/2015
- iMarina
Desarrollo de dispositivos optoelectrónicos mediante crecimiento por MBE y caracterización de nanoestructuras de punto cuántico basadas en (Ga,In)(As,N)
- Fernández González, Álvaro G. (Codirector)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Director) Doctorando: Gargallo Caballero, Raquel
1/1/2010
- iMarina
Crecimiento por MBE de pozos cuánticos de InGaAsN sobre GaAs (111) B y (100) para su aplicación en láseres de semiconductor.
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Codirector)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Director) Doctorando: Miguel Sanchez, Javier
1/1/2006
- iMarina
Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.
Grupos de investigación
-
Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
Rol: Miembro
Perfiles de investigador/a
-
ORCID
-
Publons
-
Scopus Author ID
-
Dialnet id