Fernandez Gonzalez, Alvaro De Guzman alvarodeguzman.fernandez@upm.es
Actividades
- Artículos 80
- Libros 0
- Capítulos de libro 1
- Congresos 88
- Documentos de trabajo 0
- Informes técnicos 0
- Proyectos de investigación 15
- Tesis dirigidas 3
- Patentes o licencias de software 0
Effect of indium content on the normal-incident photoresponse of InGaAs/GaAs quantum-well infrared photodetectors
- Hernando, J
- Sánchez-Rojas, JL
- Guzmán, A
- Muñoz, E
- Tijero, JMG
- González, D
- Aragón, G
- García, R
Applied Physics Letters (p. 2390-2392) - 16/4/2001
10.1063/1.1365951 Ver en origen
- ISSN 00036951
High responsivity and internal gain mechanisms in Au-ZnMgO Schottky photodiodes
- Tabares, G
- Hierro, A
- Ulloa, JM
- Guzman, A
- Muñoz, E
- Nakamura, A
- Hayashi, T
- Temmyo, J
Applied Physics Letters - 1/1/2010
10.1063/1.3340945 Ver en origen
- ISSN 00036951
Impact of the Sb content on the performance of GaAsSb-capped InAs/GaAs quantum dot lasers
- Utrilla, AD
- Ulloa, JM
- Guzman, A
- Hierro, A
Applied Physics Letters - 9/9/2013
10.1063/1.4821071 Ver en origen
- ISSN 00036951
High optical sensitivity to ambient conditions of uncapped InGaAs surface quantum dots
- Milla, MJ
- Ulloa, JM
- Guzmán, A
Applied Physics Letters - 26/3/2012
10.1063/1.3697992 Ver en origen
- ISSN 00036951
Role of the wetting layer in the enhanced responsivity of InAs/GaAsSb quantum dot infrared photodetectors
- Guzmán, A
- Yamamoto, K
- Ulloa, JM
- Llorens, JM
- Hierro, A
Applied Physics Letters - 6/7/2015
10.1063/1.4926364 Ver en origen
- ISSN 00036951
Effect of nitrogen on the optical properties of InGaAsN p-i-n structures grown on misoriented (111)B GaAs substrates
- Miguel-Sánchez, J
- Guzmán, A
- Ulloa, JM
- Hierro, A
- Muñoz, E
Applied Physics Letters (p. 2524-2526) - 5/4/2004
10.1063/1.1695639 Ver en origen
- ISSN 00036951
Size and shape tunability of self-assembled InAs/GaAs nanostructures through the capping rate
- Utrilla, Antonio D.
- Grossi, Davide F.
- Reyes, Daniel F.
- Gonzalo, Alicia
- Braza, Veronica
- Ben, Teresa
- Gonzalez, David
- Guzman, Alvaro
- Hierro, Adrian
- Koenraad, Paul M.
- Ulloa, Jose M.;
Applied Surface Science (p. 260-266) - 30/6/2018
10.1016/j.apsusc.2018.03.098 Ver en origen
- ISSN 01694332
Optoelectronic properties of 2-D and 3-D-grown GaInNAs/GaAs QW light emitting diodes and laser diodes
- Ulloa, JM
- Hierro, A
- Miguel-Sanchez, J
- Guzman, A
- Trampert, A
- Sanchez-Rojas, JL
- Calleja, E
Iee Proceedings-Optoelectronics (p. 421-425) - 1/10/2004
10.1049/ip-opt:20040911 Ver en origen
- ISSN 13502433
Effect of nitrogen ions on the properties of InGaAsN quantum wells grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
- Miguel-Sánchez, J
- Guzmán, A
- Ulloa, JM
- Hierro, A
- Muñoz, E
Iee Proceedings-Optoelectronics (p. 305-308) - 1/1/2004
10.1049/ip-opt:20040910 Ver en origen
- ISSN 13502433
Optical characterisation of quantum well infra-red detector structures
- A Guzmán
- JL Sánchez-Rojas
- JMG Tijero
- JJ Sánchez
- J Hernando
- E Calleja
- E Muñoz
- G Vergara
- MT Montojo
- LJ Gómez
- P Rodriíguez
- R Almazán
- M Verdú
Iee Proceedings-Optoelectronics (p. 89-92) - 1/12/1999
10.1049/ip-opt:19990183 Ver en origen
- ISSN 13502433
- iMarina
- iMarina
Este/a investigador/a no tiene libros.
J.M. ULLOA, M. DEL MORAL, R. GARGALLO, M. MONTES, A. GUZMAN, A. HIERRO, M. BOZKURT, P.M. KOENRAAD "1.3- 1.5 nm GaAsSb-capped InAs quantum dots: effect of the Sb content on the structural and optical properties" Spring European Materials Research Society
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- MONTES BAJO, MIGUEL
- HIERRO CANO, ADRIAN
"1.3- 1.5 ¿M Gaassb-Capped Inas Quantum Dots: Effect Of The Sb Content On The Structural And Optical Properties" (p. 0-0) - 8/6/2009
- iMarina
M. MONTES, A. HIERRO, J. M. ULLOA, A. GUZMÁN, M. AL KHALFIOUI, M. HUGUES, B. DAMILANO, J. MASSIES "1.3-1.5 µm emitting InAs quantum dot LEDs with (Ga, In)(N,As) and Ga(As,Sb) capping layers: a comparison" Spring European Materials Research Society Confe
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- MONTES BAJO, MIGUEL
- HIERRO CANO, ADRIAN
"1.3-1.5 µM Emitting Inas Quantum Dot Leds With (Ga, In)(N,As) And Ga(As,Sb) Capping Layers: A Comparison" (p. 0-0) - 14/9/2009
- iMarina
J.M. ULLOA, M. DEL MORAL, R. GARGALLO, M. MONTES, A. GUZMAN, A. HIERRO, M. BOZKURT, P.M. KOENRAAD "1.3- 1.5 µm GaAsSb-capped InAs quantum dots: effect of the Sb content on the structural and optical properties" 15th European Molacular Beam Epitaxy Works
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- MONTES BAJO, MIGUEL[et al]
"Effect Of A Lattice-Matched Gaassb Capping Layer On The Structural Properties Of Inas/Ingaas/Inp Quantum Dots" - 8/3/2009
- iMarina
J.M. ULLOA, M. DEL MORAL, R. GARGALLO, M. MONTES, A. GUZMAN, A. HIERRO, M. BOZKURT, P.M. KOENRAAD "1.3- 1.5 µm GaAsSb-capped InAs quantum dots: effect of the Sb content on the structural and optical properties" 15th European Molacular Beam Epitaxy Works
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- MONTES BAJO, MIGUEL
- HIERRO CANO, ADRIAN
"Effect Of A Lattice-Matched Gaassb Capping Layer On The Structural Properties Of Inas/Ingaas/Inp Quantum Dots" (p. 0-0) - 8/3/2009
- iMarina
D.F. REYES, D.L. SALES, R. GARGALLO-CABALLERO, J.M.ULLOA, A. HIERRO, A. GUZMÁN, D. GONZÁLEZ. "Effects of the nitrogen incorporation in the optical and structural characteristics of nitrogen-dilute InAsN QDs" European Materials Research Society Spring Meet
- D.L. SALES
- D.F. REYES
- D. GONZÁLEZ
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- HIERRO CANO, ADRIAN
"Effects Of The Nitrogen Incorporation In The Optical And Structural Characteristics Of Nitrogen-Dilute Inasn Qds" (p. 0-0) - 8/6/2010
- iMarina
A.GUZMÁN FERNÁNDEZ, R. SAN-ROMÁN, A.HIERRO "Laterally biased double quantum well IR detector fabricated by MBE regrowth". 6th International Conference on Molecular Beam Epitaxy Berlín (Germany), 2010
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- HIERRO CANO, ADRIAN
"Laterally Biased Double Quantum Well Ir Detector Fabricated By Mbe Regrowth" (p. 0-0) - 22/8/2010
- iMarina
A.GUZMÁN FERNÁNDEZ, R. GARGALLO-CABLLERO, MJ. MILLA, JM. ULLOA, A. HIERRO "Low optical degradation in InGaAsN/GaAs Quantum Dot p-i-n structures emitting from 1.1 to 1.55 µm" 16th International MBE Conference Berlín (German), 2010
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN
- HIERRO CANO, ADRIAN
"Low Optical Degradation In Ingaasn/Gaas Quantum Dot P-I-N Structures Emitting From 1.1 To 1.55 µM" (p. 0-0) - 22/8/2010
- iMarina
Strain-balanced type-II GaAsSb/GaAsN superlattices for efficient multi-junction solar cells
- V. Braza-Blanco
- T. Ben
- D.F. Reyes
- D. González
- B. Alen
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- GONZALO MARTIN, ALICIA
- GUZMAN BALBAS, LUIS ALBERTO
- UTRILLA LOMAS, ANTONIO DAVID
- HIERRO CANO, ADRIAN
- Fuertes Marron, David
- (p. 62-62) - 18/9/2016
- iMarina
Strain-balanced type-II GaAsSb/GaAsN superlattices as 1 eV layer for efficient multi-junction solar cells
- V. Braza-Blanco
- T. Ben
- D.F. Reyes
- D. González
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA
- GONZALO MARTIN, ALICIA
- GUZMAN BALBAS, LUIS ALBERTO
- UTRILLA LOMAS, ANTONIO DAVID
- HIERRO CANO, ADRIAN
- Fuertes Marron, David
- (p. 62-62) - 4/9/2016
- iMarina
Unintentional Doping in GaAsSb/GaAsN Superlattice Solar Cells
- Schwarz, M
- Carro, AG
- Stanojevic, L
- Catalán-Gómez, S
- Braza, V
- Flores, S
- Fernandez-Reyes, D
- Ben, T
- González, D
- Guzman, A
- Hierro, A
- Aeberhard, U
- Ulloa, JM
14th Spanish Conference On Electron Devices, Cde 2023 - Proceedings - 1/1/2023
Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.
Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.
Zinc Oxide For TeraHertz Cascade Devices
- HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
- MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
Ejecución: 01-09-2015 - 29-02-2020
Tipo: Internacional
Importe financiado: 698871,25 Euros.
- iMarina
Extensión de medida de catodoluminiscencia(CL) al rango infrarrojo en microcospio de barrido electrónico FESEM
- Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
- Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
Ejecución: 01-01-2013 - 31-12-2015
Tipo: Nacional
- iMarina
ZNMGO-based nanocolumnar and core-shell leds with high power efficiencies
- Nakamura ., Atsushi (Participante)
- UTRILLA LOMAS, ANTONIO DAVID (Miembro del equipo de trabajo)
- KURTZ DE GRIÑO, ALEJANDRO (Miembro del equipo de trabajo)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- Muñoz Merino, Elías (Participante)
- HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-12-2010 - 30-11-2013
Tipo: Nacional
Importe financiado: 174336,00 Euros.
- iMarina
Smart nanostructured semiconductors for energy saving light solutions
- FERNANDEZ GARRIDO, SERGIO (Participante)
- Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP))
- GRANDAL QUINTANA, JAVIER (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
- HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
- PRIETO MARTIN, JOSE LUIS (Participante)
- PADILLA GONZALEZ, ISIDORO (Participante)
- Gacevic, Zarko (Participante)
- Martínez Rodrigo, Javier (Participante)
- Notzel, Richard (Participante)
- Calle Gómez, Fernando (Participante)
Ejecución: 01-09-2009 - 31-08-2012
Tipo: Internacional
Importe financiado: 800650,00 Euros.
- iMarina
Regrowth of a laterally-biased double quantum well tunable detector
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
- HIERRO CANO, ADRIAN (Participante)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
Ejecución: 01-03-2009 - 28-02-2010
Tipo: Internacional
Importe financiado: 70000,00 Euros.
- iMarina
33 RD workshop on compound semiconductor devices and integrated circuits
- FUENTES ., GONZALO (Participante)
- Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- Calle Gómez, Fernando (Investigador principal (IP))
Ejecución: 15-02-2009 - 31-12-2009
Tipo: Nacional
- iMarina
Nano y microdispositivos basados en ZnO para la detección de H2 y UV.
- MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- Muñoz Merino, Elías (Participante)
- HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-01-2009 - 31-12-2011
Tipo: Nacional
Importe financiado: 207636,00 Euros.
- iMarina
Desarrollo de laseres horizontales y de cavidad vertical para La banda de 1.35 a 1.55 micras basados en pozos cuánticos de gainnas/gaas
- SANZ LLUCH, M. DEL MAR (Participante)
- MONTES BAJO, MIGUEL (Participante)
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Participante)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Participante)
- HIERRO CANO, ADRIAN (Investigador principal (IP))
Ejecución: 31-12-2005 - 31-03-2009
Tipo: Nacional
- iMarina
Antimóniuros cuánticos para fotónica cuántica y fotovoltaica: fabricación de materiales y dispositivos
- STANOJEVIC, LAZAR (Miembro del equipo de trabajo)
- STANOJEVIC, LAZAR (Investigador principal (IP))
- CATALAN GOMEZ, SERGIO (Miembro del equipo de trabajo)
- GALLEGO CARRO, ALEJANDRO (Miembro del equipo de trabajo)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-06-2020 - 31-05-2023
Tipo: Nacional
Importe financiado: 82280,00 Euros.
- iMarina
Nuevas nanoestructuras basadas en Sb para aplicaciones fotovoltaicas de alta eficiencia
- GONZALO MARTIN, ALICIA (Miembro del equipo de trabajo)
- STANOJEVIC, LAZAR (Miembro del equipo de trabajo)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Investigador principal (IP))
- ULLOA HERRERO, JOSE MARIA (Investigador principal (IP))
Ejecución: 30-12-2016 - 31-12-2020
Tipo: Nacional
Importe financiado: 90750,00 Euros.
- iMarina
Surface InGaAs nanostructures for sensing applications
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Codirector)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Director) Doctorando: Milla Rodrigo, María José
1/1/2015
- iMarina
Desarrollo de dispositivos optoelectrónicos mediante crecimiento por MBE y caracterización de nanoestructuras de punto cuántico basadas en (Ga,In)(As,N)
- Fernández González, Álvaro G. (Codirector)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Director) Doctorando: Gargallo Caballero, Raquel
1/1/2010
- iMarina
Crecimiento por MBE de pozos cuánticos de InGaAsN sobre GaAs (111) B y (100) para su aplicación en láseres de semiconductor.
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Codirector)
- FERNANDEZ GONZALEZ, ALVARO DE GUZMAN (Director) Doctorando: Miguel Sanchez, Javier
1/1/2006
- iMarina
Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.
Grupos de investigación
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Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
Rol: Miembro
Perfiles de investigador/a
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