Esquivias Moscardo, Ignacio ignacio.esquivias@upm.es
Actividades
- Artículos 84
- Libros 0
- Capítulos de libro 2
- Congresos 157
- Documentos de trabajo 0
- Informes técnicos 0
- Proyectos de investigación 17
- Tesis dirigidas 8
- Patentes o licencias de software 0
INFLUENCE OF SUBSTRATE-TEMPERATURE ON THE OPTICAL-PROPERTIES OF EVAPORATED SILICON FILMS
- ESQUIVIAS, I
- RODRIGUEZ, T
- SANZMAUDES, J
- SANGRADOR, J;
Thin Solid Films (p. L35-L37) - 20/4/1984
10.1016/0040-6090(84)90129-9 Ver en origen
- ISSN 00406090
STRUCTURAL-PROPERTIES OF EVAPORATED SILICON FILMS
- ESQUIVIAS, I
- SANZMAUDES, J
- SANGRADOR, J
- RODRIGUEZ, T;
Journal Of Vacuum Science & Technology a (p. 1791-1796) - 1/1/1985
10.1116/1.573381 Ver en origen
- ISSN 07342101
ELECTRICAL-PROPERTIES OF EVAPORATED SILICON FILMS
- SANGRADOR, J
- ESQUIVIAS, I
- RODRIGUEZ, T
- SANZMAUDES, J;
Thin Solid Films (p. 79-86) - 15/3/1985
10.1016/0040-6090(85)90398-0 Ver en origen
- ISSN 00406090
STRUCTURAL-PROPERTIES OF ELECTRON-BEAM EVAPORATED ZINC-SULFIDE THIN-FILMS
- ESQUIVIAS, I
- RECIO, M
- RODRIGUEZ, T
- SANZMAUDES, J;
Vacuum (p. 723-725) - 1/1/1989
10.1016/0042-207x(89)90024-9 Ver en origen
- ISSN 0042207X
PHOTO-INDUCED ELECTRICAL DEFECTS IN LOW-TEMPERATURE PHOTOCHEMICAL VAPOR-DEPOSITED SILICON-NITRIDE FILMS
- IBORRA, E
- LOPEZRUBIO, JA
- ESQUIVIAS, I
- SANZMAUDES, J
- RODRIGUEZ, T;
Journal Of Applied Physics (p. 1617-1620) - 1/2/1990
10.1063/1.345627 Ver en origen
- ISSN 00218979
EFFECT OF DEPOSITION TEMPERATURE ON THE ELECTRICAL-PROPERTIES OF P-TYPE HG0.8CD0.2TE-ZNS INTERFACE
- ESQUIVIAS, I
- LINARES, E
- IBORRA, E
- SANGRADOR, J;
Journal Of Crystal Growth (p. 584-588) - 1/4/1990
10.1016/0022-0248(90)91041-n Ver en origen
- ISSN 00220248
Properties of anodic fluoride films on Hg1-xCdtxTe
- Esquivias I
- Brink D
- Dal Colle M
- Baars J
- Bruder M
Materials Science And Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials (p. 207-211) - 15/7/1991
10.1016/0921-5107(91)90173-s Ver en origen
- ISSN 09215107
Vertically compact 15GHz GaAs/AIGaAs multiple quantum well laser grown by molecular beam epitaxy
- Ralston J
- Gallagher D
- Tasker P
- Zappe H
- Esquivias I
- Fleissner J
Electronics Letters (p. 1720-1722) - 29/8/1991
10.1049/el:19911071 Ver en origen
- ISSN 00135194
IVB-1 High-Speed GaAs/AlGaAs Multiple-Quantum-Well Lasers: Design and Characterization
- I Esquivias
- S Weisser
- JD Ralston
- DFG Gallagher
- EC Larkins
- PJ Tasker
- J Rosenzweig
- J Fleissner
Ieee Transactions On Electron Devices (p. 2660-2661) - 1/1/1992
10.1109/16.163524 Ver en origen
- ISSN 00189383
- iMarina
- iMarina
Efficient high-speed direct modulation in P-DOPED ln0.35Ga0.65As/GaAs multiquantum well lasers
Electronics Letters (p. 2141-2143) - 1/1/1992
10.1049/el:19921374 Ver en origen
- ISSN 00135194
Este/a investigador/a no tiene libros.
Tapered semiconductor optical amplifiers
- Migliorato M
- Pal J
- Huang X
- Hu W
- Willatzen M
- Gu Y
- Li S
- Xia C
- Fu Y
- Connelly M
- Kaunga-Nyirenda S
- Dlubek M
- Lim J
- Bull S
- Phillips A
- Sujecki S
- Larkins E
- Rizou Z
- Zoiros K
- Mascali G
- Romano V
- MacKenzie R
- Kordt P
- Bobbert P
- Coehoorn R
- May F
- Lennartz C
- Andrienko D
- Kuo Y
- Chang J
- Shih Y
- Chen F
- Tsai M
- Totovi? A
- Gvozdi? D
- Matuschek N
- Duelk M
- Chen-Wu K
- Tsung-Yang J
- Yuh-Wu R
- Migliorato M
- Pal J
- Huang X
- Hu W
- Willatzen M
- Gu Y
- Li S
- Xia C
- Fu Y
- Connelly M
- Kaunga-Nyirenda S
- Dlubek M
- Lim J
- Bull S
- Phillips A
- Sujecki S
- Larkins E
- Rizou Z
Handbook Of Optoelectronic Device Modeling And Simulation: Fundamentals, Materials, Nanostructures, Leds, And Amplifiers (p. 697-714) - 1/1/2017
High-brightness tapered lasers
- Esquivias I
- Pérez-Serrano A
- Tijero J
Handbook Of Optoelectronic Device Modeling And Simulation: Lasers, Modulators, Photodetectors, Solar Cells, And Numerical Methods (p. 59-80) - 1/1/2017
CHARACTERIZATION OF ANODIC FLUORIDE FILMS ON HG1-XCDXTE
- ESQUIVIAS, I
- DALCOLLE, M
- BRINK, D
- BAARS, J
- BRUDER, M;
Growth And Characterization Of Materials For Infrared Detectors And Nonlinear Optical Switches (p. 55-66) - 1/1/1991
Influence of facet reflectivity on the differential gain and K-factor in high-speed GaAs/AlGaAs and InGaAs/GaAs MQW lasers
- Weisser S
- Esquivias I
- Ralston J
- Rosenzweig J
- Schonfelder A
- Larkins E
- Fleissner J
Technical Digest - International Electron Devices Meeting (p. 863-866) - 1/1/1992
10.1109/iedm.1992.307493 Ver en origen
- ISSN 01631918
High-frequency characterization of 30 GHz p-type modulation-doped In0.35Ga0.65As/GaAs MQW lasers
Technical Digest - International Electron Devices Meeting (p. 1009-1011) - 1/1/1992
10.1109/iedm.1992.307531 Ver en origen
- ISSN 01631918
- iMarina
- iMarina
Comparison of vertically-compact high-speed GaAs and In0.35Ga0.65As MQW diode lasers designed for monolithic integration
Conference Digest - Ieee International Semiconductor Laser Conference (p. 176-177) - 1/1/1992
10.1109/islc.1992.763626 Ver en origen
- ISSN 08999406
Modelling and characterization of high-speed GaAs and In0.35Ga0.65As multiple-quantum-well laser diodes
- Schönfelder A
- Weisser S
- Esquivias I
- Ralston J
- Rosenzweig J
- Gallagher D
Conference Proceedings - Lasers And Electro-Optics Society Annual Meeting-Leos (p. 189-190) - 1/1/1992
10.1109/leos.1992.693907 Ver en origen
- ISSN 10928081
16-GHZ GAAS/ALGAAS MULTIPLE QUANTUM-WELL LASER WITH VERTICALLY COMPACT WAVE-GUIDE STRUCTURE
- RALSTON, JD
- ESQUIVIAS, I
- WEISSER, S
- GALLAGHER, DFG
- TASKER, PJ
- LARKINS, EC
- ROSENZWEIG, J
- ZAPPE, HP
- FLEISSNER, J
- AS, DJ;
High-Speed Electronics And Optoelectronics (p. 127-136) - 1/1/1992
Performance and optoelectronic integration of GaAs-based high-speed semiconductor lasers
Conference Proceedings - Lasers And Electro-Optics Society Annual Meeting (p. 637-638) - 1/12/1993
- iMarina
DC-FREQUENCY AND HIGH-FREQUENCY PROPERTIES OF IN0.35GA0.65AS/GAAS STRAINED-LAYER MQW LASER-DIODES WITH P-DOPING
- ESQUIVIAS, I
- WEISSER, S
- SCHONFELDER, A
- RALSTON, JD
- TASKER, PJ
- LARKINS, EC
- FLEISSNER, J
- BENZ, W
- ROSENZWEIG, J;
Institute Of Physics Conference Series (p. 265-270) - 1/1/1994
- ISSN 09513248
- iMarina
Carrier capture and escape times in In0.35Ga0.65As/GaAs multiple quantum well lasers determined from high-frequency impedance and modulation response measurements
- Esquivias I
- Weisser S
- Tasker P
- Ralston J
- Rosenzweig J
- Romero B
(p. 417-418) - 1/12/1994
- iMarina
Carrier transport effects in undoped In0.35Ga0.65As/GaAs MQW lasers determined from high-frequency impedance measurements
Leos '94 - Conference Proceedings, Vol 2 (p. 161-162) - 1/12/1994
- iMarina
Este/a investigador/a no tiene documentos de trabajo.
Este/a investigador/a no tiene informes técnicos.
BRIGHT.EU: Wide wavelength light sources for public welfare: high brightness laser diodes for telecom, medical and environment use
- ESQUIVIAS MOSCARDO, IGNACIO (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-07-2004 - 30-09-2006
Tipo: Internacional
- iMarina
WWW.BRIGHTER.EU: World Wide Welfare: High Brightness semiconductor lasers for generic use.
- Ignacio Esquivias Moscardó (Investigador principal (IP))
- GARCIA TIJERO, JOSE MANUEL (Investigador/a)
Ejecución: 01-10-2006 - 31-03-2010
Tipo: Internacional
- iMarina
Ayuda complementaria al proyecto láseres de semiconductor de alto brillo para uso genérico
- Ignacio Esquivias Moscardó (Investigador principal (IP))
- GARCIA TIJERO, JOSE MANUEL (Investigador/a)
Ejecución: 01-10-2006 - 30-09-2009
Tipo: Nacional
- iMarina
Multigigahertz optical modulator of very low RF driving power
- Ignacio Esquivias Moscardó (Investigador principal (IP))
- GEDAY, MORTEN ANDREAS (Miembro de equipo)
Ejecución: 12-06-2008 - 31-07-2009
Tipo: Internacional
Importe financiado: 20000,00 Euros.
- iMarina
Screening and pre-evaluation of shortwave infrared laser diode for space application
- Ignacio Esquivias (Investigador principal (IP))
- GARCIA TIJERO, JOSE MANUEL (Investigador/a)
Ejecución: 17-02-2009 - 31-05-2010
Tipo: Internacional
Importe financiado: 12000,00 Euros.
- iMarina
Láseres de semiconductor avanzados para procesado de señal todo-óptico y generación de pulsos cortos
- Ignacio Esquivias Moscardó (Investigador principal (IP))
- GARCIA TIJERO, JOSE MANUEL (Investigador/a)
Ejecución: 01-01-2010 - 30-06-2013
Tipo: Nacional
Importe financiado: 182420,00 Euros.
- iMarina
Multi-section semiconductor lasers for all-optical signal processing and short pulse generation
- ESQUIVIAS MOSCARDO, IGNACIO (Investigador principal (IP))
- GARCIA TIJERO, JOSE MANUEL (Participante)
Ejecución: 01-09-2010 - 31-08-2012
Tipo: Internacional
Importe financiado: 154417,00 Euros.
- iMarina
High Brightness Semiconductor Laser Sources for Space Applications in Earth Observation
- ESQUIVIAS MOSCARDO, IGNACIO (Investigador principal (IP))
- PEREZ SERRANO, ANTONIO (Participante)
- AGUILERA NAVARRO, SANTIAGO (Participante)
- GARCIA TIJERO, JOSE MANUEL (Participante)
- VILERA SUAREZ, MARIAFERNANDA (Participante)
Ejecución: 01-12-2012 - 29-02-2016
Tipo: Internacional
Importe financiado: 300951,00 Euros.
- iMarina
Técnicas de medición de distancias basadas en láseres de semiconductor avanzados-SP3
- Arias Rodríguez, Julia (Participante)
- VILERA SUAREZ, MARIAFERNANDA (Miembro del equipo de trabajo)
- AGUILERA NAVARRO, SANTIAGO (Participante)
- ESQUIVIAS MOSCARDO, IGNACIO (Participante)
- GARCIA TIJERO, JOSE MANUEL (Investigador principal (IP))
Ejecución: 01-01-2013 - 30-06-2016
Tipo: Nacional
Importe financiado: 157599,00 Euros.
- iMarina
CEMDATIC. Sensores e Instrumentación en Tecnologías Fotónicas
- DEL POZO MELERO, GONZALO (Participante)
- VILERA SUAREZ, MARIAFERNANDA (Participante)
- OTON SANCHEZ, JOSE MANUEL (Investigador principal (IP))
- ESCOLANO MOYANO, JOSE MIGUEL (Participante)
- GEDAY, MORTEN ANDREAS (Participante)
- GARCIA TIJERO, JOSE MANUEL (Participante)
- ROSADO PÉREZ, ALEJANDRO (Participante)
- CAÑO GARCIA, MANUEL (Participante)
- QUINTANA ARREGUI, PATXI XABIER (Participante)
- GIL VALVERDE, MANUEL (Participante)
- PEREZ SERRANO, ANTONIO (Participante)
- GORDO QUIROGA, FERNANDO JOSE (Participante)
- ESQUIVIAS MOSCARDO, IGNACIO (Participante)
Ejecución: 01-10-2014 - 31-12-2018
Tipo: Regional
Importe financiado: 154524,00 Euros.
- iMarina
Caracterización de láseres de pozo cuántico mediante medidas eléctricas en continua
- ESQUIVIAS MOSCARDO, IGNACIO (Director) Doctorando: ARIAS RODRIGUEZ, María Julia
1/1/1998
- iMarina
Analisis teórico y experimental de los efectos de captura y escape de portadores en láseres de pozo cuántico
- ESQUIVIAS MOSCARDO, IGNACIO (Director) Doctorando: ROMERO HERRERO, Beatriz
1/1/1998
- iMarina
Modelado, simulación y diseño de diodos láser de alto brillo
- Ignacio Esquivias Moscardó (Director) Doctorando: Borruel Navarro, Luis
1/1/2004
- iMarina
Diseño, Análisis y Simulación de Diodos Láser con Forma de Embudo.
- ESQUIVIAS MOSCARDO, IGNACIO (Director) Doctorando: ODRIOZOLA FRANCO, Helena
1/1/2010
- iMarina
Short pulse generation from semiconductor lasers: characterization, modeling and applications
- López-Hernández, Francisco José (Director)
- ESQUIVIAS MOSCARDO, IGNACIO (Director) Doctorando: Consoli Barone, Antonio
1/1/2011
- iMarina
Propiedades Ópticas de los Materiales Activos en Diodos Láser con Confinamiento Cuántico
- ESQUIVIAS MOSCARDO, IGNACIO (Director) Doctorando: RODRIGUEZ PEREZ, Daniel
1/1/2015
Defensa realizada en: Universidad Politécnica de Madrid
- Dialnet
- iMarina
Emission characteristics of 1.5 um monolithically integrated master oscillator power amplifiers
- GARCIA TIJERO, JOSE MANUEL (Director)
- ESQUIVIAS MOSCARDO, IGNACIO (Director) Doctorando: VILERA SUÁREZ, Mariafernanda
1/1/2017
- iMarina
Experimental and theoretical study of the optical frequency comb generated by gain-switching of semiconductor lasers
- ESQUIVIAS MOSCARDO, IGNACIO (Director)
- GARCIA TIJERO, JOSE MANUEL (Director) Doctorando: ROSADO PÉREZ, Alejandro
1/1/2020
- iMarina
Este/a investigador/a no tiene patentes o licencias de software.
Grupos de investigación
-
Grupo de Fotónica Aplicada
Rol: Investigador Principal
Perfiles de investigador/a
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